PROVA EDO 2016 2

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Disciplina: EDO0852 - ELETRÔNICA Período Acad.: 2016.2 (G) / NF 
Aluno: HERON FERREIRA DA SILVA Matrícula: 201002045568 
 Turma: 9001 
 
 
Prezado(a) Aluno(a), 
Responda a todas as questões com atenção. Somente clique no botão VERIFICAR E ENCAMINHAR ao ter 
certeza de que respondeu a todas as questões. 
 
 
1. 
 
 
Que valor deve ter a razão VGS/VP para que ID tenha o valor nulo? 
 (Ref.: 201002187617) 
 
1 ponto 
 
 
 
 
0 
 
 
0,5 
 
 
2 
 
 
1 
 
 
infinito 
 
 
 
2. 
 
 
Em uma primeira aproximação considera-se o diodo como um componente ideal, 
que quando conduz é considerado um curto. No circuito a seguir, considerando o 
diodo ideal, determine o valor da tensão Vo. 
 
 (Ref.: 201002196290) 
 
1 ponto 
 
 
 
 
Vo = 2,5 V 
 
 
Vo = 7,5 V 
 
 
Vo = 10 V 
 
 
Vo = 6,5 V 
 
 
Vo = 5 V 
 
 
 
3. 
 
 
Que diodo deve ser utilizado para que se tenha sobre ele uma queda de 
tensão de 300 mV? (Ref.: 201002187602) 
 
1 ponto 
 
 
 
 
Germanio 
 
 
Alumínio 
 
 
InGaAs 
 
 
Silício 
 
 
AlGaAs 
 
 
 
4. 
 
 
A fonte de alimentação CC representada pelo esquema da 
figura abaixo apresenta defeito. Considere que existe apenas 
um componente elétrico defeituoso (aberto / interrompido), e 
que a fonte está alimentada com tensão alternada da rede elétrica 
Ve (127 Vrms, 60 Hz) e R >> XL (XL = reatância do indutor) 
 
Analisando o sinal observado na tela do osciloscópio, qual é 
a provável causa do defeito? 
 (Ref.: 201002196071) 
 
1 ponto 
 
 
 
 
Indutor aberto 
 
 
Diodo D1 aberto 
 
 
Capacitor aberto 
 
 
Diodo D2 aberto 
 
 
Fusível aberto 
 
 
 
5. 
 
 
Em uma primeira aproximação considera-se o diodo como um componente ideal, 
que quando conduz é considerado um curto. No circuito a seguir, considerando 
os diodos ideais, determine o valor da tensão Vo. 
 
 (Ref.: 201002196280) 
 
1 ponto 
 
 
 
 
Vo = 12 V 
 
 
Vo = -12 V 
 
 
Vo = -8 V 
 
 
Vo = 0 V 
 
 
8 V 
 
 
 
6. 
 
 
Um transistor operando fora da região ativa funciona como: (Ref.: 
201002187454) 
 
1 ponto 
 
 
 
 
Snubber 
 
 
Retificador de onda completa 
 
 
Grampeador 
 
 
Retificador de meia onda 
 
 
Chave semicondutora 
 
 
 
7. 
 
 
Durante a manutenção de um equipamento observou-se que 
 quando a chave S está na posição 1, o transistor Q1 satura e o LED emite luz, 
 quando a chave s está na posção 2, o transistor entra em corte e o LED deixa 
de emitir 
 
1 pon
to 
 
Analisando o circuito, conclui-se que RB é igual a 
 (Ref.: 201002190882) 
 
 
 
 
12,25k ohms 
 
 
7,65k ohms 
 
 
10,5k ohms 
 
 
5,65k ohms 
 
 
15,50k ohms 
 
 
 
8. 
 
 
O diodo de silício se estiver diretamente polarizado conduzirá e o diodo zener se 
estiver inversamente polarizado estará ligado, ou seja, estará conduzindo e terá 
em seus terminais a tensão Vz. Considere que o diodo de silício quando está 
conduzindo terá uma diferença de potencial de 0,7 V entre seus terminais. No 
circuito abaixo a chave S poderá estar na posição 1 ou na posição 2. Determine o 
valor da tensão Vo para cada uma das posições da chave S. 
 
1 ponto 
 
 (Ref.: 201002196414) 
 
 
 
 
Posição 1 - Vo = 12 V Posição 2 - Vo = 4,7 V 
 
 
Posição 1 - Vo = 6,7 V Posição 2 - Vo = 12 V 
 
 
Posição 1 - Vo = 4,7 V Posição 2 - Vo = 6,7 V 
 
 
Posição 1 - Vo = 6,7 V Posição 2 - Vo = 4,7 V 
 
 
Posição 1 - Vo = 6,7 V Posição 2 - Vo = 6,7 V 
 
 
 
9. 
 
 
São terminais de um FET (Ref.: 201002187607) 
 
1 ponto 
 
 
 
 
Base, coletor e emissor 
 
 
Gate, dreno e fonte 
 
 
base1 base2 e emissor 
 
 
Base, dreno e supridouro 
 
 
Catodo anodo e gate 
 
 
 
10. 
 
 
O diodo de silício se estiver diretamente polarizado conduzirá. Considere que 
quando ele está conduzindo terá uma diferença de potencial de 0,7 V entre seus 
terminais. Diodos de silício foram utilizados no circuito mostrado a 
seguir. Determine o valor das correntes I1 e I2. 
 
1 ponto 
 
 (Ref.: 201002196314) 
 
 
 
 
I1 = 2,73 mA I2 = 1,76 mA 
 
 
I1 = 2,73 mA I2 = 0,58 mA 
 
 
I1 = 2,25 mA I2 = 0,58 mA 
 
 
I1 = 1,5 mA I2 = 0,58 mA 
 
 
I1 = 1,35 mA I2 = 1,35 mA