Avaliação Av 1

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Avaliação: CCE0252_AV1_201201583241 » MATERIAIS ELÉTRICOS
	Tipo de Avaliação: AV1 
	Aluno: 
	Professor:
	JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS
	Turma: 9001/A
	Nota da Prova: 5,0 de 8,0 Nota do Trabalho: Nota de Participação: 2 Data: 16/04/2013 19:21:16
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	��1a Questão (Cód.: 86563)
	5a sem.: Propriedade dos Materiais Elétricos
	Pontos:0,5 / 0,5 
	O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada?
	
	
	Logarítmica
	
	Quadrática
	
	Exponencial
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_ok.gif" \* MERGEFORMATINET 
	Linear
	
	Trigonométrica
	
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	��2a Questão (Cód.: 160235)
	2a sem.: Propriedades dos Materiais Elétricos e Semicondutividade
	Pontos:0,0 / 1,0 
	A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática.
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais.
	
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	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n.
	
	Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron.
	
	Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material.
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_ok.gif" \* MERGEFORMATINET 
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.
	
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga.
	
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	��3a Questão (Cód.: 160248)
	3a sem.: Semicondutividade (parte 1)
	Pontos:1,0 / 1,0 
	Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores é correto afirmar que:
	
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	Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas.
	
	A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
	
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
	
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.
	
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	��4a Questão (Cód.: 99575)
	2a sem.: Condutores
	Pontos:0,5 / 0,5 
	Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 1,6 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2.
	
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_ok.gif" \* MERGEFORMATINET 
	12 mili ohms
	
	14 mili ohms
	
	13 mili ohms
	
	11 mili ohms
	
	10 mili ohms
	
	�
	��5a Questão (Cód.: 160252)
	4a sem.: Semicondutividade (parte 2)
	Pontos:1,0 / 1,0 
	A quantidade de buracos e elétrons em um semicondutor é uma função da temperatura a que este é submetido. Baseado no gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013% (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
	
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_ok.gif" \* MERGEFORMATINET 
	A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco aumenta acentuadamente com o aumento da temperatura.
	
	A uma dada temperatura, quanto menor a concentração de Boro, maior será a condutividade do semicondutor.
	
	As condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos e intrínsecos nunca se igualam.
	
	A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco diminui acentuadamente com o aumento da temperatura.
	
	A 400oC aproximadamente, as condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos se igualam. 
	
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	��6a Questão (Cód.: 160210)
	1a sem.: Propriedades dos Materiais Elétricos
	Pontos:1,0 / 1,0 
	Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3) 
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
	
	
	V=N.i.E
	
	P=U.i
	
	V=R i.A/l
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	V=R.i
	
	F=m.a
	
	�
	��7a Questão (Cód.: 160288)
	4a sem.: Semicondutividade (parte 2)
	Pontos:1,0 / 1,0 
	Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
	
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_ok.gif" \* MERGEFORMATINET 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	
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	��8a Questão (Cód.: 160244)
	3a sem.: Semicondutividade (parte 1)
	Pontos:0,0 / 0,5 
	A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
	
	
	Elipse.
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_nao.gif" \* MERGEFORMATINET 
	Parábola.
	
	Círculo.
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_ok.gif" \* MERGEFORMATINET 
	Reta.
	
	Hipérbole.
	
	���9a Questão (Cód.: 100186)
	2a sem.: Resistividade
	Pontos:0,0 / 0,5 
	Considere as seguintes afirmações:
I. Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20ºC
II. Os materiais considerados isolantes têm um valor de condutividade grande.
III. A condutividade é o inverso da resistividade.
IV. A unidade da resistividade no SI é o Ω/m.
V. Resistividade é a resistência específica de um material.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
	
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_ok.gif" \* MERGEFORMATINET 
	As afirmações III e V. 
	
	Somente a afirmação III. 
	
	As afirmações I, IV e V. 
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_nao.gif" \* MERGEFORMATINET 
	As afirmações III e IV. 
	
	As afirmações I, II e IV. 
	
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	��10a Questão (Cód.: 99564)
	1a sem.: Condutores
	Pontos:0,0 / 1,0 
	Na temperatura de 25oC mediu-se o valor da resistência de um resistor e obteve-se 12,2 Ω. O material do qual é feito o resistor apresenta um coeficiente de temperatura igual a 0,0042 oC-1. Determine o valor da nova resistência na temperatura de 60oC.
	
	
	11,65 ohms 
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_ok.gif" \* MERGEFORMATINET 
	13,99 ohms 
	
	15,82 ohms
	
	9,23 ohms 
	�� INCLUDEPICTURE "http://bquestoes.estacio.br/img/imagens/peq_nao.gif" \* MERGEFORMATINET 
	4,36 ohms