Eletrônica_Analógica_I-FET-parte03

Eletrônica Analógica I

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UFPA

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Victor Petta
09/06/2014
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
O FET COMO AMPLIFICADOR
ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
O MODELO DO FET PARA PEQUENOS SINAIS
= Inclinação da curva no 
ponto de operação (Q)
Ponto Q
Fator de 
transcondutância
Pode ser determinado 
por análise gráfica ou 
por uma função 
matemática.
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA:
quando
A inclinação da curva é máxima
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Folha de dados: ݃௠ ൌ ݕ௙௦
Logo, ݃௠ ൌ ݃௠଴ 1 െ ܸீ ௌ௉ܸ
Exemplo:
ou ݃௠ ൌ ݃௙௦
BF245
MPF102
3
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Gráfico de gm versus VGS
݃௠ ൌ ݃௠଴ 1 െ ܸீ ௌ௉ܸ
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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gm versus ID para um JFET com IDSS = 8 mA e VP = ‐4 V.
IMPACTO DE ID sobre gm
Sabe‐se que: 1 െ ܸீ ௌ௉ܸ ൌ
ܫ஽
ܫ஽ௌௌ ݃௠ ൌ ݃௠଴ 1 െ
ܸீ ௌ
௉ܸ
ൌ ݃௠଴ ܫ஽ܫ஽ௌௌ
݃௠ ൌ ݃௠଴ ܫ஽ܫ஽ௌௌ
Valores mais altos são obtidos
quando VGS se aproxima de 0 V e
quando ID se aproxima de IDSS.
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
IMPEDÂNCIA DE ENTRADA DO FET
ܼ௜ ൌ ∞	Ω JFET:  109 Ω
MOSFET:  1012 a 1015 Ω
ࡵࡳ ≅ ૙
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DO FET
ܼ௢ ൌ ݎௗ ൌ 1ݕ௢௦
Folha de dados
ݎௗ ൌ ∆ ஽ܸௌ∆ܫ஽ ቤ ௏ಸೄస೎೚೙ೞ೟ೌ೙೟೐
5
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
MPF102
Exemplo
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO FET
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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CIRCUITO JFET COM POLARIZAÇÃO FIXA
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Impedância de entrada:
Impedância de saída: Se rd ≥ 10RD :
Circuito JFET com polarização fixa
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Ganho de tensão:
ܣ௩ ൌ ௢ܸ௜ܸ
Se rd ≥ 10RD :
Há um deslocamento de fase de 180o entre Vi e Vo.
Circuito JFET com polarização fixa
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Circuito equivalente do amplificador
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
CIRCUITO JFET COM AUTOPOLARIZAÇÃO
Rs com capacitor de desvio
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Circuito JFET com autopolarização
Rs com desvio
desviado
por
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Circuito JFET com autopolarização
Rs com desvio
Mesmo circuito equivalente CA obtido para o caso da polarização fixa.
Impedância de entrada:
Impedância de saída: Se rd ≥ 10RD :
Se rd ≥ 10RD :Ganho de tensão:
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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CIRCUITO JFET COM AUTOPOLARIZAÇÃO
Equivalente CA, considerando rd = ∞:
Rs sem capacitor de desvio
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Circuito JFET com autopolarização
Rs sem desvio
Impedância de entrada:
Impedância de saída:
Estabelecer Vi= 0 V Vg= 0 V e VRG = 0 V 
௚ܸ௦ ൌ ௚ܸ െ ௦ܸ ൌ െ ௦ܸ
௚ܸ௦ ൌ െሺܫ௢ ൅ ܫௗோሻܴௌ
ܫ௢ ൅ ܫௗோ ൌ ݃௠ ௚ܸ௦
ܫ௢ ൅ ܫௗோ ൌ െ݃௠	ሺܫ௢ ൅ ܫௗோሻܴௌ ܫ௢	 1 ൅ ݃௠ܴௌ ൌ െܫௗோሺ1 ൅ ݃௠ܴௌሻ ܫ௢ 	ൌ െܫௗோ
Então, ௢ܸ 	 ൌ െܫௗோܴ஽ ௢ܸ 	ൌ ܫ௢ܴ஽ ܼ௢ 	ൌ ܴ஽
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Circuito JFET com autopolarização
Rs sem desvio e considerando o efeito de rd
Impedância de entrada:
Impedância de saída:
Se rd ≥ 10RD :
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Circuito JFET com autopolarização
Rs sem desvio e considerando o efeito de rd
Ganho de tensão:
Se
Há um deslocamento de fase de 180o
entre Vi e Vo.
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Exercício
Para o circuito amplificador da figura abaixo, determine os parâmetros gm, rd, Zi, Zo e Av
considerando rd = ∞ e considerando o efeito de rd no circuito.
Dado:  ݕ௢௦ ൌ 20	ߤܵ
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Solução:
(a) Determinação de gm
* Para isso, tem que conhecer o ponto de operação CC (VGS,Q ; ID,Q), o qual pode ser
encontrado pelo método gráfico ou pelo método matemático.
݃௠ ൌ ݃௠଴ 1 െ ܸீ ௌ,ொ௉ܸ ൌ ݃௠଴
ܫ஽,ொ
ܫ஽ௌௌ
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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(b) Determinação de rd
(c) Determinação de Zi
(d) Determinação de Zo, considerando o efeito de rd
(e) Determinação de Zo, considerando rd = ∞
Diferença (Erro): 2,48%3,3 kΩ
= 3,22 kΩ
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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(f) Determinação de Av , considerando o efeito de rd
(g) Determinação de Av , considerando rd = ∞
‐ Teste da condição: condição 
satisfeita!
Diferença (Erro): 3,12%
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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CIRCUITO JFET COM DIVISOR DE TENSÃO
As equações são as mesmas obtidas para a configuração com autopolarização. A única
diferença é a equação para Zi (sensível a R1||R2)
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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CIRCUITO JFET COM SEGUIDOR DE FONTE (DRENO COMUM)
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Impedância de entrada:
Impedância de saída:
Estabelecer Vi = 0 V Vg= 0 V e VRG = 0 V 
௚ܸ௦ ൌ ௚ܸ െ ௦ܸ ൌ െ ௦ܸ ൌ െ ௢ܸ
Circuito JFET com Seguidor de Fonte (Dreno Comum)
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Se rd ≥ 10RS :
Circuito JFET com Seguidor de Fonte (Dreno Comum)
Ganho de tensão:
Se rd ≥ 10RS : Vo está em fase com Vi .
O ganho de tensão nunca será maior que 1.
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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CIRCUITO JFET NA CONFIGURAÇÃO PORTA COMUM
Equivalente CA
O isolamento entre
os circuitos de
entrada e saída é
perdido.
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Circuito JFET na Configuração Porta Comum
Impedância de entrada:
b
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Circuito JFET na Configuração Porta Comum
Se e
Impedância de saída:
Estabelecer Vi = 0 V
Se
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Circuito JFET na Configuração Porta Comum
b
Ganho de tensão:
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Se
Circuito JFET na Configuração Porta Comum
Vo está em fase com Vi .
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Configuração fonte comum
Operação de um determinado sinal
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Configuração fonte comum
Operação de um determinado sinal
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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MOSFET TIPO DEPLEÇÃO   (D‐MOSFET)
‐ A equação de Shockley é aplicável também ao MOSFET tipo depleção.
‐ A única diferença é que a tensão VGS,Q pode ser positiva em dispositivos de canal n e
negativa em dispositivos de canal p. O Resultado é que gm pode ser maior que gm0.
‐ A faixa de rd para este dispositivo é muito similar à faixa dos JFETs.
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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MOSFET TIPO DEPLEÇÃO
VGS,Q = 0 V
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
intensificação
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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CIRCUITO MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO (E‐MOSFET) COM REALIMENTAÇÃO DE DRENO
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Circuito MOSFET Tipo Intensificação (E‐MOSFET) com Realimentação de Dreno
Impedância de entrada:
Tipicamente,  
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Circuito MOSFET Tipo Intensificação (E‐MOSFET) com Realimentação de Dreno
Para
Impedância de saída:
resulta em 
Ganho de tensão:
e
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Circuito MOSFET Tipo Intensificação (E‐MOSFET) com Realimentação de Dreno
Tem‐se que:
Há um deslocamento de fase de 180o entre Vi e Vo.
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Circuito MOSFET Tipo Intensificação (E‐MOSFET) com Realimentação de Dreno
Usualmente, e se :
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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CIRCUITO E‐MOSFET COM DIVISOR DE TENSÃO
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Circuito E‐MOSFET com Divisor de Tensão
Impedância de entrada:
Impedância de saída: Se rd ≥ 10RD :
Se
rd ≥ 10RD :Ganho de tensão:
Mesmo circuito equivalente obtido para o JFET e D‐MOSFET 
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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PROJETO DE CIRCUITOS AMPLIFICADORES COM FET
Os parâmetros do circuito podem afetar a polarização CC e a resposta CA de formas
diferentes. Muitas vezes é preciso buscar um equilíbrio entre um ponto de operação
específico e seu impacto na resposta CA.
Em muitos casos, sabe‐se o valor da fonte CC disponível, O FET a ser empregado foi
determinado e os capacitores que serão utilizados para a faixa de frequência em questão
foram definidos. É necessário, então, determinar os valores dos elementos resistivos que
definem o ganho desejado e os valores das impedâncias de entrada e saída.
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Exemplo
Especifique os valores de RD e RS para o circuito da figura abaixo para produzir um ganho de
tensão igual a 8, considerando o ponto de operação VGS,Q = VP/4.
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Solução:
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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2,2 kΩ é um valor comercial.
180 Ω é o valor comercial mais próximo.
Determinação de RD:
Determinação de RS:
ܫ஽ೂ ൌ ܫ஽ௌௌ · 1 െ
ܸீ ௌೂ
௉ܸ
ଶ
ൌ 10	݉A · 1 െ െ1	Vെ4	V
ଶ
ൌ 5,625	݉A
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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EFEITO DA RESISTÊNCIA DA FONTE E DA CARGA SOBRE AMPLIFICADORES FET
O modelo de duas portas para o FET geralmente não é afetado por uma carga aplicada ou pela
resistência da fonte.
ܣ௩ ൌ ܴ௅ܴ௅ ൅ ܴ௢ · ܣ௩ಿಽ ܣ௏ೄ ൌ
ܴ௜
ܴ௜ ൅ ܴ௦௜௚ · ܣ௩ ܣ௜ ൌ െܣ௩ · ܴ௜ ·
1
ܴ௅
Ganho de tensão: Ganho de corrente:Ganho de tensão global:
sig
Ganho de potência:
ܣ௣ ൌ ܣ௩ · ܣ௜
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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CIRCUITO FET: RESISTÊNCIA DE FONTE COM DESVIO
Impedância de entrada:
Impedância de saída:
Ganho de tensão sem carga:
Ganho de tensão com carga:sig
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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CIRCUITO FET: RESISTÊNCIA DE FONTE SEM DESVIO
Impedância de entrada:
Impedância de saída:
Ganho de tensão sem carga:
Ganho de tensão com carga:
Desconsiderando  o efeito de rd
ܼ௢ 	ൌ ܴ஽
Se
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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SEGUIDOR DE FONTE
Impedância de entrada:
Impedância de saída:
Ganho de tensão sem carga:
Ganho de tensão com carga:
CONSIDERANDO‐SE QUE  rd ≥ 10RS
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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PORTA COMUM
Impedância de entrada:
Impedância de saída:
Ganho de tensão sem carga:
Ganho de tensão com carga:
CONSIDERANDO‐SE QUE  rd ≥ 10RD
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Exemplo
Calcule o ganho de tensão (Av), as impedâncias de entrada e saída e o valor da tensão Vo (saída) do
circuito da figura abaixo quando é conectada uma carga de 10 kΩ na saída e aplicada na entrada
uma tensão de 10 mV pico a pico.
Considere que o ponto de operação CC de cada estágio é VGS,Q = ‐1,9 V e ID,Q = 2,8 mA .
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Solução:
Impedância de entrada:
Impedância de saída:
A formulação apresentada a seguir considera rd = ∞. 
Ganho de tensão do estágio 1:
Ganho de tensão do estágio 2: = ‐5,07
= ‐6,24
= 2,62 mS
ܣ௩ ൌ ܣ௩భ · ܣ௩మ = 31,64Ganho de tensão total :
Tensão de saída:  ௢ܸ ൌ ௅ܸ ൌ ௜ܸ · ܣ௩ ൌ 10	݉V · 31,64 = 316,4 mV pico a pico
= 3,3 MΩ
= 2,4 kΩ
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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SENSOR DE PRESENÇA
Exemplo de aplicação:
Abrir portas, acender luzes ou acionar um 
aviso quando uma pessoa se aproxima. 
IV próximo: 0,7 a 1,3 µm
IV médio: 1,3 a 6 µm
IV distante: 6 a 1000 µm
APLICAÇÃO PRÁTICA (FET COMO AMPLIFICADOR):
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Aspecto físico do sensor RE200B
SENSOR DE PRESENÇA
Como o sinal produzido pela radiação infravermelha é extremamente fraco é preciso um
circuito amplificador. Esse circuito está embutido no próprio sensor que funciona então com
uma certa tensão de alimentação externa.
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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MIXER: Misturador de Áudio
Caso se usassem TBJs em vez do FET, a impedância de entrada mais baixa exigiria um
amplificador de transistor para cada canal ou pelo menos um seguidor de emissor no
primeiro estágio para fornecer uma impedância de entrada maior.
APLICAÇÃO PRÁTICA (FET COMO AMPLIFICADOR)
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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O FET COMO CHAVE ELETRÔNICA
O MOSFET tipo intensificação (E‐MOSFET) é bastante utilizado em aplicações de
chaveamento, devido às suas características de controle a partir de uma tensão limiar (VT).
ܸீ ௌ ൏ ்ܸ
ܸீ ௌ ൒ ்ܸ
DESLIGADO (OFF)
LIGADO (ON)
O controle é feito com VGS ≤ VT e VGS = VGS(on)
Na região ôhmica, a resistência
RDS é muito baixa e o MOSFET
se comporta como uma chave
FECHADA.
Para valores de VGS igual
ou abaixo de VT, a
resistência RDS é muito
alta e o MOSFET se
comporta como uma
chave ABERTA.
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Aproximação
Ponto especificado 
pelo fabricante
+VDD
RD
quandoPara assegurar a operação na região ôhmica: ൒
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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quandoPara assegurar a saturação:
ࢂࡰࡿ ≅ ૙
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Alguns dispositivos E‐MOSFET
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Exemplo
Verifique se o E‐MOSFET do circuito abaixo opera na região ôhmica ao aplicar uma tensão  de 
4,5 V no terminal de porta.
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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quando
Logo, o dispositivo opera na região ôhmica.
0,12 V
ࡵࡰሺ࢙ࢇ࢚ሻ ൌ ૙, ૚૛	܄૟	ષ ൌ ૛૙	࢓ۯ
DADO:
Solução:
De outra forma:
ࡵࡰሺ࢙ࢇ࢚ሻ ൌ ૛૙	܄૚	࢑ષ ൌ ૛૙	࢓ۯ
஽ܸ஽ ൌ ܴ஽ · ܫ஽ ൅ ஽ܸௌ
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Qual o valor da corrente que circula no LED da figura abaixo, supondo uma queda de tensão 
de 2 V no mesmo?
Exemplo
ܫ஽ሺಽಶವሻ ൌ ܫ஽ሺೞೌ೟ሻ ൌ
20	V െ 2	V
1	݇Ω ൌ 18	݉A
quando
Logo, o dispositivo opera na região ôhmica.
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Ao aplicar 2,5 V na porta do MOSFET do circuito abaixo, o relé fechará? Visto que é
necessário circular no mínimo 30 mA na bobina para o fechamento do relé.
O sinal de entrada de pequena corrente 
controla uma grande corrente de saída.
ܫ஽ሺ௦௔௧ሻ ൌ 24	V500	Ω ൌ 48	݉A
Exemplo
DADO:
≈48 mA 8 A ac
quando Logo, RDS(ON) = 10 Ω
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
O MOSFET-E do circuito abaixo possui as seguintes características: VGS(on) = 4,5 V
ID(on) = 75 mA
RDS(on) = 6 ΩEsboce a tensão de saída para:
a) RD = 10 kΩ e VCC = 12 V
b) RD = 1 kΩ e VCC = 20 V
c) RD = 100 Ω e VCC = 5 V
d) Comente as diferenças entre as tensões de saída encontradas.
Exercício
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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E‐MOSFET canal n
E‐MOSFET canal p
MOSFET funcionando como chave eletrônica
ܫ஽ ൌ V/ሺܴ஽ ൅ ܴ஽ௌሺ௢௡ሻሻ
ܴ஽ௌ,௢௡ ൌ ஽ܸௌሺ௢௡ሻ/ܫ஽ௌሺ௢௡ሻܴ஽
ܴ஽ௌሺ௢௡ሻ
Especificação de RD :
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Chave Analógica
A maior restrição nesta aplicação é que o sinal não deve causar uma queda de tensão VGS
menor que VT.
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Exemplo
O MOSFET canal n da figura abaixo possui VGS(Th) = 2 V e uma tensão de 5 V é aplicada ao
terminal de porta para ligar a chave eletrônica. Determine a máxima tensão pico a pico que
pode ser aplicada na entrada para o circuito continuar a funcionar corretamente.
ܸீ ௌ ൌ ܸீ െ ௌܸ
ܸீ ௌ ൌ ܸீ െ ௦ܸ:	௣௜௖௢	௣௢௦௜௧௜௩௢
ܸீ ௌ ൌ ܸீ ൅ ௦ܸ:	௣௜௖௢	௡௘௚௔௧௜௩௢
5 െ ௦ܸ:	௣௜௖௢	௣௢௦௜௧௜௩௢ ൐ ܸீ ௌሺ்௛ሻ
5 െ ௦ܸ:	௣௜௖௢	௣௢௦௜௧௜௩௢ ൐ 2
௦ܸ	௣௜௖௢	௣௢௦௜௧௜௩௢ ൏ 3	V
Logo, o sinal de entrada tem que se menor ou igual a:
௘ܸ௡௧௥௔ௗ௔ 	൑ 6	V	pico	a	pico
Solução:
entrada saída
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Exemplos de aplicação
Entrada 
analógica
Saída 
analógica
Controle 
digital
Entrada
analógica A
Entrada 
analógica B
Controle 
digital
Saída 
analógica 
multiplexada
Multiplexador analógico
Dispositivo que combina o sinal (ou dados) de duas ou mais fontes em um único canal.
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Circuito sample‐and‐hold (amostragem e retenção)
Amostragem
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ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Curva do dispositivo de dois terminaisRegião ôhmica
MOSFET de “dois terminais”
Chave eletrônica
Chaveamento de carga ativa
Chaveamento digital
Para Q1: VGS=VDS
ࡾࡰࡿ,ࡽ૚ ≫ ࡾࡰࡿሺ࢕࢔ሻ,ࡽ૛
Lembrando que: ࡾࡰࡿ ൌ ࢂࡰࡿࡵࡰ
Resistor com carga ativa
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Chave Digital
CMOS
Um modo de reduzir a corrente de dreno de um circuito digital é usando MOS complementar 
(CMOS).
Baixo consumo de energia.
40
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
CMOS complementary metal‐oxide‐semiconductor
SEMICONDUTOR METAL ÓXIDO COMPLEMENTAR
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
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Entrada Saída
Vi Vo
41
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Exercício
Quais são os níveis esperados na saída S para os níveis de entrada A e B da tabela abaixo? 
O circuito representa qual função lógica?
Nível alto (1) = 5 V
Nível baixo (0) = 0 V
A
B
S
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Exercício
Quais são os níveis esperados na saída S para os níveis de entrada A e B da tabela abaixo? 
O circuito representa qual função lógica?
Nível alto (1) = 5 V
Nível baixo (0) = 0 V
A
B
S
42
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
0
0
0
0
0
0
VGS=‐5 VGS=‐5
5
VGS=0
VGS=0
Solução:
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
0
5
0
05
5
VGS=0 VGS=‐5
5
VGS=0
VGS=5
43
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
5
0
5
50
0
VGS=‐5 VGS=0
5
VGS=0
VGS=0
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
5
5
5
55
5
VGS=0
VGS=0
0
VGS=5
VGS=5
44
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
FEE / ITEC / UFPA
Resultado
FUNÇÃO “NAND” ou “NE”