Capitulo 3 Lacunas e impurezas nos solidos (1)

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 O mais simples dos defeitos pontuais é a 
lacuna 
 Posição atômica na qual falta um átomo; 
 Todo sólido cristalino contém lacunas; 
 Aumento da entropia. 
 
 
 
 O número de lacunas em equilíbrio depende da 
temperatura 
 
 
 N = nº total de sítios atômicos; 
 Q = energia para formação de uma lacuna; 
 T = temperatura em ºK; 
 k = constante de Bolztman 
 Número de lacunas aumenta exponencialmente 
em função da temperatura. 
 
 Átomo que se encontra comprimido em um 
sítio intersticial 
 
 
 
 
 
 Ocorrem em quantidade significativamente 
menor que as lacunas 
 
 Presentes em todos metais – máximo de 
99,9999% de pureza 
 
 Ligas – átomos de impurezas 
intencionalmente adicionados para conferir 
características específicas 
 
 Adição de átomos – solução sólida 
 
 Átomos do soluto são adicionados no 
solvente sem formar uma nova estrutura 
 Defeitos pontuais devido a presença de 
impurezas 
 Substitucional 
 Intersticial 
 
 Fator do tamanho atômico 
 Pequena diferença entre os tamanhos atômicos 
 
 Estrutura Cristalina 
 Ambos metais devem ter a mesma estrutura cristalina 
 
 Eletronegatividade 
 Quanto maior a diferença maior a probabilidade de 
formar um composto metálico 
 
 Valência 
 Maior tendência de dissolver outro de maior valência 
 Materiais metálicos com fator de 
empacotamento alto tem posições intersticiais 
pequenas 
 Diâmetro atômico da impureza intersticial tem que 
ser pequeno 
 
 Quantidade inferior a 10% 
 
 Átomos de impurezas geralmente são maiores 
que os vazios 
 Induzem deformações 
 
IMPUREZAS NAS CERÂMICAS 
 
CERÂMICAS DEFINIÇÃO: 
Cerâmicas são compostos entre elementos metálicos e 
não-metálicos: eles são muito frequentemente óxidos, 
nitretos e carbetos. A larga faixa de materiais que caem 
dentro desta classificação inclui cerâmicas que são 
compostas de minerais de argilas, cimento e vidro 
(CALLISTER, 2011); 
 
IMPUREZAS: 
Átomos de impureza podem formar soluções sólidas em 
materiais cerâmicos da mesma forma que em metais 
(CALLISTER, 2011); 
Essas soluções podem ser tanto substitucional quanto 
intersticial (CALLISTER, 2011); 
IMPUREZAS NAS CERÂMICAS 
 
 
 
Intersticial: o raio iônico da impureza deve ser relativamente 
pequeno em comparação com o ânion (CALLISTER, 2011); 
Substitucional: Este tipo de solução sólida em materiais 
cerâmicos se dá quando há similaridade de carga entre os 
cátions e ânions da estrutura e as impurezas; ou seja, uma 
impureza substitucional irá substituir um íon hospedeiro que 
seja mais semelhante a ela no aspecto elétrico (CALLISTER, 
2011) 
 
EXEMPLO: no cloreto de sódio, íons de impureza Ca2+ e O2- , 
eles provavelmente substituiriam os íons Na+ e Cl-, 
respectivamente. 
 
IMPUREZAS NAS CERÂMICAS 
 
 
 
Solubilidade sólida apreciável de impureza substitucional: o 
tamanho e a carga iônica da impureza devem ser muito 
próximos daqueles dos íons hospedeiros; 
Íon de impureza com carga diferente do hospedeiro: o 
cristal deve compensar para que a eletroneutralidade seja 
mantida. Um meio de realizar isto é pela formação de 
defeitos de rede - vacâncias ou intersticiais de ambos os 
tipos de íons (CALLISTER, 2011) 
 
EXEMPLO DE IMPUREZAS EM CERÂMICAS: Pequenas 
adições de íons de cobalto, cromo, cobre, manganês e ferro 
causam grandes mudanças de cor em vidros. 
 
Figura 01 – Apresentações das formas 
de impurezas. 
IMPUREZAS NAS CERÂMICAS 
DEFEITO: É uma imperfeição ou um "erro" no arranjo 
periódico regular dos átomos em um cristal. 
 
Podem envolver uma irregularidade: 
•na posição dos átomos; 
•no tipo de átomos. 
 
O tipo e o número de defeitos dependem do material, 
do meio ambiente, e das circunstâncias sob as quais o 
cristal é processado. 
 
DEFEITOS NOS POLÍMEROS 
 
 
 
DEFINIÇÃO: 
Polímeros são macromoléculas formadas a partir de 
unidades estruturais menores (monômeros - que é um 
pequeno segmento de uma cadeia, que consiste em 
moléculas de carbono e hidrogênio, entre outras.); 
São normalmente combinações de elementos orgânicos, 
como o Carbono, Hidrogênio além de outros materiais não 
metálicos. 
 
 
 
 
 
DEFEITOS NOS POLÍMEROS 
 
 
DEFEITOS: 
Os defeitos nos polímeros são diferentes dos metais, isso 
devido as macromoléculas, e à natureza do estado 
cristalino polimérico (BERTUCCIO et. al, 2012). 
Defeitos são detectados em lacunas, átomos intersticiais, 
átomos/íons de impureza e grupos átomos/íons como 
intersticiais na região cristalina (BERTUCCIO et. al, 2012). 
Podem ser também: defeitos nas cadeias, cadeias 
pendentes ou soltas, assim como discordâncias 
(BERTUCCIO et. al, 2012). 
 
DEFEITOS PLANOS OU INTERFACIAIS 
 
Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimensões) e 
normalmente separam regiões dos materiais de 
diferentes estruturas cristalinas ou orientações 
cristalográficas. 
 
1.Superfície externa; 
2.Contorno de grão; 
3.Maclas ou Twins; 
4.Defeitos interfaciais diversos (empilhamento). 
 
 É um tipo de defeito pontual de uma 
estrutura de cristal; 
 Envolve um par composto por uma lacuna 
catiônica e uma lacuna aniônica; 
 É formado pela remoção de um cátion e de 
um ânion do interior do cristal, seguido pela 
colocação de ambos os íons em uma 
superfície externa; 
 
Representações esquemáticas de lacunas 
catiônicas e aniônicas e de um cátion intersticial 
 É um tipo de defeito pontual de uma 
estrutura de cristal; 
 Envolve um par composto por uma lacuna 
catiônica e uma cátion intersticial; 
 É formado quando um cátion deixa seu lugar 
na estrutura, criando uma lacuna e ocupando 
um espaço intersticial; 
 Também pode ser chamado de par de Frenkel 
ou desordem de Frenkel; 
Diagrama esquemático mostrando defeitos de 
Frenkel e Schottky em sólidos iônicos 
DEFEITO DE FRENKEL 
 Sólidos iônicos com grande 
diferença de tamanho 
entre cátions e ânions; 
 Exemplos: ZnS, AgCl, AgBr, 
Agl; 
DEFEITO DE SCHOTTKY 
 Compostos altamente 
iônicos; 
 Compostos altamente 
organizados; 
 Compostos onde existe 
uma pequena diferença de 
tamanho entre cátions e 
ânions; 
 Exemplos: NaCl, KCl, KBr, 
CsCl, AgCl. 
DEFEITO DE FRENKEL 
 Não afeta a densidade do 
sólidos pois envolve 
apenas a migração de íons 
dentro do cristal, então 
preservam tanto o volume 
quanto a massa; 
DEFEITO DE SCHOTTKY 
 O número total de íons em 
um cristal com esse defeito 
é menor que o valor teórico 
de íons, então a densidade 
deste sólido é menor que o 
normal; 
1.DEFEITOS NA SUPERFÍCIE EXTERNA 
 
•Um dos contornos mais óbvios; 
•Na superfície os átomos não estão completamente 
ligados; 
•O estado de energia dos átomos na superfície é maior que 
no interior do cristal; 
•Os materiais tendem a minimizar está energia 
•A energia superficial é expressa em unidades de energia 
por unidade de área (erg/cm2 ou J/m2). 
2.CONTORNO DE GRÃO 
 
•Corresponde à região que separa dois ou mais cristais 
de orientação diferente; 
•No interior de cada grão todos os átomos estão 
arranjados segundo um único modelo e única orientação, 
caracterizada pela célula unitária. 
Fonte: Costa E.M. – 
IMPERFEIÇÕES CRISTALINAS – 
Notas de aula - PUC-RS. 
2.CONTORNO DE GRÃO 
 
•Há um empacotamento ATÔMICO menos 
eficiente; 
•Há uma energia mais elevada; 
•Favorece a nucleação de novas fases 
(segregação); 
•Favorece a difusão; 
•O contorno de grão ancora o movimento das 
discordâncias. 
 
CONTORNO DE PEQUENO ÂNGULO 
 
 
•Ocorre quando a desorientaçãodos cristais é 
pequena; 
•É formado pelo alinhamento de discordâncias 
 Ângulo de 
desalinhamento 
Ângulo de 
desalinhamento 
Contorno de grão de alto 
ângulo 
Contorno de grão de baixo 
ângulo 
Fonte: Ciência e Engenharia de Materiais: 
uma introdução – 
Callister, JR., William D., 1940. 
3.MACLAS OU CRISTAIS GÊMEOS 
 
 
•É um tipo especial de contorno de grão; 
•Os átomos de um lado do contorno são imagens 
especulares dos átomos do outro lado do contorno; 
•A macla ocorre num plano definido e numa direção 
específica, dependendo da estrutura cristalina. 
 
Fonte: Costa E.M. – 
IMPERFEIÇÕES CRISTALINAS – 
Notas de aula - PUC-RS. 
3.MACLAS OU CRISTAIS GÊMEOS 
 
O seu aparecimento está geralmente associado 
com A PRESENÇA DE: 
•tensões térmicas 
e mecânicas; 
•Impurezas; 
•Etc. 
 
Fonte: Costa E.M. – 
IMPERFEIÇÕES CRISTALINAS – 
Notas de aula - PUC-RS. 
4.Defeitos interfaciais diversos (empilhamento). 
 
Corresponde a interrupção de uma seqüência regular 
de empacotamento de planos em uma rede cristalina. 
 
As falhas de 
empacotamento são 
encontradas em metais 
CFC quando existe uma 
interrupção na 
sequencia de 
empilhamento ABABAB. 
 
Fonte: Costa E.M. – 
IMPERFEIÇÕES CRISTALINAS – 
Notas de aula - PUC-RS. 
 É um defeito linear ou unidimensional 
em torno do qual alguns átomos estão 
desalinhado. (Callister, 2011) 
 É uma porção extra de um plano de átomos, ou semi 
plano, cuja aresta termina no interior do cristal. 
(Callister, 2011). 
Representação esquemática de um defeito 
linear do tipo discordância em aresta. 
 A discordância em aresta está centralizada em 
torno de uma linha definida ao longo da 
extremidade do semi plano adicional de átomos, 
conhecida como a linha da discordância. 
 
 A discordância em aresta pode ser representada 
pelo símbolo ( ), que também indica a posição 
da linha da discordância. Também pode ser 
formada por semi plano adicional de átomos que 
esteja incluído na fração inferior do cristal, sendo, 
neste caso representada pelo símbolo ( ). 
Dpto de Ciência dos Materiais e Metalurgia – PUC Rio – Disponível: http://www.dcmm.puc-
rio.br/cursos/cemat_mv/Aula9.pdf 
 Considerada como a consequência da tensão de 
cisalhamento que aplicada para produzir a 
distorção. (Callister, William D,.1940). 
Representação esquemática de um defeito 
linear do tipo discordância em espiral. 
 A distorção atômica associada com uma 
discordância em espiral também é linear ao longo da 
linha da discordância e está associada com a 
trajetória helicoidal que é traçada em torno da sua 
linha pelos planos atômicos; 
 
 O símbolo é usado para designar este tipo de 
discordância; 
 
 Na discordância em espiral, a linha da discordância, 
a direção do cisalhamento e o vetor de Burgers são 
paralelos Dpto de Ciência dos Materiais e Metalurgia – PUC Rio – Disponível: http://www.dcmm.puc-
rio.br/cursos/cemat_mv/Aula9.pdf 
Formação de discordância por cisalhamento: a linha da 
discordância, D, se expande pelo cristal até que o 
deslizamento se complete. 
Dpto de Ciência dos Materiais e Metalurgia – PUC Rio – Disponível: http://www.dcmm.puc-
rio.br/cursos/cemat_mv/Aula9.pdf 
 As discordâncias encontradas nos materiais 
cristalinos provavelmente não saem puramente 
arestas ou puramente espiral, mas exibirão 
componentes de ambos os tipos, denominadas 
mistas. (Callister, William D,.1940). 
Discordância mista (caráter simultâneo de aresta 
e espiral). 
Efeito de deformação da rede cristalina 
provocada por discordância mista. 
Dpto de Ciência dos Materiais e Metalurgia – PUC Rio – Disponível: http://www.dcmm.puc-
rio.br/cursos/cemat_mv/Aula9.pdf 
 A magnitude e a direção da distorção da rede 
associada a uma discordância são expressadas 
em termos de um vetor de Burgers. (Callister, 
2011). 
 
 
 
 Para materiais metálicos, o vetor de Burgers irá 
apontar para uma direção cristalograficamente 
compacta e terá uma magnitude igual ao 
espaçamento interatômico; 
 
Determinação do 
vetor de Burgers 
em cristal 
perfeito (a) e em 
cristal na presença 
de discordância 
(b). 
Dpto de Ciência dos Materiais e Metalurgia – PUC Rio – Disponível: http://www.dcmm.puc-
rio.br/cursos/cemat_mv/Aula9.pdf 
 Na discordância em aresta, a linha da 
discordância e o vetor de Burgers são 
perpendiculares. 
 
Dpto de Ciência dos Materiais e Metalurgia – PUC Rio – Disponível: http://www.dcmm.puc-
rio.br/cursos/cemat_mv/Aula9.pdf 
O tamanho do grão d 
 
 
e metais policristalinos é importante, já que a superfície dos contornos 
entre os grãos tem um efeito importante em muitas propriedades dos 
metais, especialmente na resistência mecânica. 
 
Em temperaturas baixas (inferiores a cerca de metade da temperatura 
absoluta de fusão), a região do contorno provoca um aumento da 
resistência mecânica dos metais, porque sob tensão dificulta o 
movimento das discordâncias. 
 
Em temperaturas elevadas pode ocorrer o escorregamento ao longo 
dos contornos e estes se tornam regiões vulneráveis nos metais 
policristalinos. 
DETERMINAÇÃO DO TAMANDO DO GRÃO 
O tamanho do grmétodo de interseção: 
 
Uma série de segmentos de linhas retos (todos com o mesmo 
comprimento) são desenhados sobre uma microfotografia. 
 
O comprimento da linha é dividido pelo número médio de 
interseções de grãos por linha. 
 
O diâmetro médio do grão é tomado como sendo esse 
resultado dividido pela ampliação da fotomicrografia. 

Na tabela abaixo, indicam-se os números de tamanho de grão, assim como o 
número de grãos por pol², numa ampliação de 100X, e o número de grãos por 
mm², com uma ampliação de 1X. 
 
 
Em geral, um material pode ser classificado como grosseiro quando n < 3, de 
grão médio, 4 < n < 6; de grão refinado, 7 < n < 9, e com grão ultrafino, n > 10 
 
 
Na figura abaixo, mostram-se exemplos do tamanho de grão de 
amostras de chapa de aço de baixo teor de carbono: 
 
Exercício 
 
Fez-se a determinação do tamanho de grão ASTM, em uma fotomicrografia de um 
metal com uma ampliação de 100X. Se existirem 64 grãos por polegada quadrada, 
qual é o número ASTM de tamanho de grão do metal? 
 
N = número de grãos por polegada quadrada em 100X 
n = número de tamanho de grão ASTM 
 
 
64 grãos/pol² = 2
n-1 
log 64 = (n – 1)(log 2) 
1,806 = (n – 1)(0,301) 
n = 7
 
 
 
 
N = 2n-1 
Exercício 
 
Se existem 60 grãos por polegada quadrada, em uma fotomicrografia de um metal 
obtida com uma ampliação de 200X, qual é o número ASTM de tamanho de grão do 
metal? 
 
Se com uma ampliação de 200X existem 60 grãos por polegada quadrada, 
com uma ampliação de 100X, teremos: 
 
 
log 240 = (n – 1)(log 2) 
2,380 = (n – 1)(0,301) 
n = 8,91
 
 
 
 
 
A razão entre as ampliações tem de ser elevada ao quadrado, porque 
estamos interessados no número de grãos por polegada quadrada. 
 
 Para uma liga que contém dois átomos hipotéticos 
identificados como 1 e 2, a concentração do átomo 
1 em %p é dada por: 
 
 
 
 Onde: 
 C1 → Concentração do átomo 1 
 m1 + m2 → massa dos elementos 1 e 2 
 m1 → massa dos elementos 1 e 2 
 
 
100
21
1
1 


mm
m
C
 A base para os cálculos é o número de mols 
de um elemento em relação ao número total 
de mols de todos os elementos de uma liga, é 
dado por: 
 
 
 Onde: 
 m1’ → massa (em gramas) 
 A1 → peso atômico 
 
1
'1
1
A
m
nm 
 A Concentração para o elemento 1 em termos 
da porcentagem atômica em uma liga 
contendo os átomos dos elementos 1 e 2, é 
definidapor: 
 
 
 
 Onde: 
 nm1 → número de mols 
 
100
21
1
'1 


mm
m
nn
n
C
 Para converter a % em peso em % atômica, 
em elementos hipotéticos 1 e 2, as 
expressões de conversões são: 
100
1221
21
'1 


ACAC
AC
C
100
1221
12
'2 


ACAC
AC
C
100
2'21'1
1'1
1 


ACAC
AC
C
100
2'21'1
2'2
2 


ACAC
AC
C
 
 Uma vez que estamos considerando apenas 
dois elemementos, os cálculos envolvendo as 
equações anteriores podem ser simplificados 
quando se observa que: 
100
100
'2'1
21


CC
CC
 As concentrações em termos dessa base 
serão representadas com a utilização ode 
“duas linhas” (isto é C”1 e C
”
2), e as equações 
relevantes são as seguintes: 
 
 
 
 
 
 Onde: massa específica (ρ) → g/cm³ 
 
3
2
2
1
1
1"
1 10















CC
C
C 3
2
2
1
1
2"
2 10















CC
C
C
 A massa específica e o peso atômico de uma 
liga binária tendo sido dada a composição em 
termos ou da % em peso ou da % atômica: 
 
 
 
 
 
 Onde: massa específica → (ρméd) 
2
2
1
1
100


CCméd


2
2'2
1
1'1
2'21'1


ACAC
ACAC
méd



 A massa específica e o peso atômico de uma 
liga binária tendo sido dada a composição em 
termos ou da % em peso ou da % atômica: 
 
 
 
 
 
 
 Onde: Peso atômico → (Améd) 
2
2
1
1
100
A
C
A
C
Améd


100
2'21'1 ACACAméd


 Determine a composição, em porcentagem 
atômica, de uma liga com 97%p alumínio e 
3%p cobre. 
 Solução: 
▪ Se representarmos as respectivas composições em 
porcentagem em peso como Cal= 97 e Ccu= 3, a 
substituição nas Equações: 
 
100
1221
21
'1 


ACAC
AC
C 100
2'21'1
1'1
1 


ACAC
AC
C
aC
molgmolg
molg
C
ACAC
AC
C
Al
Al
AlCuCuAl
CuAl
Al
%7,98
100
)/98,26)(3()/55,63)(97(
)/55,63)(97(
100
'
'
'







aC
molgmolg
molg
C
ACAC
AC
C
Al
Al
CuAlAlCu
AlCu
Cu
%30,1
100
)/55,63)(97()/98,26)(3(
)/98,26)(3(
100
'
'
'







 A Microscopia óptica, também denominada 
“microscopia de luz”, consiste em uma técnica de 
observação de objetos e sistemas com ampliações 
de algumas dezenas até milhares de vezes das 
dimensões físicas, tipicamente 10X a 1500X. 
 O microscópio óptico mais simples consiste de duas 
lentes montadas em uma estrutura, com um 
suporte para anteparo do material a ser observado. 
O equipamento conta ainda com um sistema de 
iluminação, filtros, colimadores, e outras partes, no 
sentido de otimizar a qualidade da imagem obtida. 
 
 
 Existem diversas variações de modelos, 
com imagem por luz refletida 
(materiais opacos), luz transmitida 
(materiais translúcidos), imagem por 
fluorescência, dentre outras. 
 A ampliação final de um microscópio 
óptico será o resultado do produto 
obtido pela ampliação da lente ocular 
pela objetiva, situando-se na faixa de 
~40X a ~1000X. 
 A microscopia óptica utiliza as 
propriedades ondulatórias da radiação 
eletromagnética, principalmente na 
faixa de energia da luz visível. 
 Alguns fenômenos de interação da 
radiação com a matéria são 
importantes, tais como: 
 Absorção; 
 Refração; 
 Difração. 
 Na microscopia óptica, para materiais 
opacos à luz visível, apenas sua 
superfície é submetida à observação, 
sendo necessário o uso no modo de 
reflexão. 
 Para que se possa fazer uma análise 
estrutural no material, é preciso realizar 
o processo de preparação das amostras 
previamente. As etapas do processo de 
preparação são formadas pela 
separação da amostra, embutimento, 
lixamento, polimento e ataque 
químico. 
SOUZA, V.C.G; SAMPAIO H.S.; e TAVARES, M.M.L - 2002 
• Utiliza feixes de elétrons ao invés de 
radiação luminosa (microscópio 
óptico); 
• Existem três tipos: 
– De transmissão (MET): usado para a 
observação de cortes ultrafinos; 
– De varredura (ou MEV): capaz de produzir 
imagens de alta ampliação para a 
observação de superfícies; 
– De varredura por sonda (MVS): para 
visualização de átomos. 
 
 
FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012. 
FONTE: CONTEUDO, 2014. 
• A imagem é formada por um feixe de 
elétrons que passa através da amostra; 
• Os contrastes na imagem são obtidos pelas 
diferenças na disperção ou difração do feixe 
produzidas entre os vários elementos da 
microestrutura ou defeitos; 
• A amostra deve ser preparada na forma de 
uma folha muito fina, o que assegura a trans 
missão através da amostra de uma fração 
aprecíavel do feixe incidente. 
FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012. 
 O feixe transmitido é 
projetado sobre uma tela 
fluorescente ou um filme 
fotográfico; 
 Ampliações de até 
1.000.000 de vezes; 
 Empregada no estudo das 
discordâncias. 
FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012. 
FONTE: CONTEUDO, 2014. 
• É uma versão mais recente; 
• A superfície da amostra a ser examinada é 
varrida com um feixe de elétrons e o feixe de 
elétrons refletido (retroespalhado) é coletado e, 
então exibido na mesma taxa de varredura em 
um tubo de raios catódicos (semelhante a tela 
de uma TV); 
• A superfície da amostra pode ou não estar polida 
e ter sido atacada quimicamente, porém deve 
ser condutora de eletricidade; um revestimento 
metálico superficial muito fino deve ser aplicado 
sobre materiais não condutores; 
FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012. 
FONTE: DEDAVID et. al, 2007. 
FONTE: DEDAVID et. al, 2007. 
Microscopia Eletrônica de 
Varredura (MEV) 
FONTE: CONTEUDO, 2014. 
FONTE: DEDAVID et. al, 2007. 
Esquema de componentes do MEV 
• Ampliações variam de 10 a 50.000 vezes; 
• São também possíveis profundidades de campo 
muito grandes; 
• Permitem análises qualitativas e semi-
quantitativas da composição elementar em 
áreas muito localizadas da superfície. 
• O MEV é um aparelho que pode fornecer 
rapidamente informações sobre a morfologia e 
identificação de elementos químicos de uma 
amostra sólida. Sua utilização é comum em 
biologia, odontologia, farmácia, engenharia, 
química, metalurgia, física, medicina e geologia. 
 
FONTE: DEDAVID et. al, 2007. 
• Existem diversas variedades; 
• Difere dos opticos e eletrônicos pelo fato de que 
nem a luz nem a elétrons são usados para formar 
uma imagem; 
• O microscópio gera um mapa topográfico, um 
uma escala atômica, que é uma representação 
dos detalhes e das características da superfície 
da amostra que está sendo examinada. 
• Emprega uma sonda minuscula de extremidade 
muito fina que é colocada muito próxima 
(distância em nanometros) da superfície da 
amostra. 
 FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012. 
• Durante a varredura , a sonda sofre deflexões 
perpendiculares a esse plano, em resposta a 
interrações eletrônicas ou de outra natureza, 
entre a sonda e a superfície da amostra; 
• Os movimentos da sonda no plano da superfície 
e para fora do plano são controlados por 
componentes cerâmicos piezelétricos; 
• Adicionalmente, esses movimentos da sonda 
são monitorados eletronicamente e transferidos 
e armazenados em um computador, o que gera 
entao a imagem tridimensional da superfpície. 
FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012. 
• Análise na escala nanométrica; 
• Ampliações de até 109 vezes; 
• São geradas imagens 
tridimensionais ampliadas; 
• Alguns MVS podem ser 
operados em diversos 
ambientes: vácuo, ar, líquidos;• Permitem o exame da 
superfície dos materiais nos 
níveis atômicos e molecular; 
• Alavancou a entrada na era dos 
nanomateriais. 
FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012. 
FONTE: CONTEUDO, 2014. 
• CALLISTER, William D.; RETHWISCH, David G. Ciência e 
engenharia de materiais: uma introdução. 8. ed. Rio de Janeiro, 
RJ: LTC, 2012. xxi, 817 p. 
 
• DEDAVID, Berenice Anina; GOMES, Carmem Isse; MACHADO 
Giovanna. Microscopia Eletrônica De Varredura - Aplicações E 
Preparação De Amostras: Materiais Poliméricos, Metálicos E 
Semicondutores. Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande 
do Sul. EDIPUCRS. Porto Alegre, 2007. 
 
• CONTEÚDO aberto. In: Wikipédia: a enciclopédia livre. 
Microscópio eletrônico. Disponível em: 
<http://pt.wikipedia.org/wiki/Mi 
crosc%C3%B3pio_eletr%C3%B4nico>. Acesso em: 01 de maio de 
2014 
 
 
REFERÊCIAS 
 
BERTUCCIO, Antonio; MICHELLINE, Isadora; 
ROLLA, Lucas; ZAIDAN, Ludmila. Polímeros 
Estrutura. Trabalho Acadêmico. 2012. 
Disponível em:< 
http://prezi.com/l0wwangplykm/polímeros-
estrutura>. Acesso em março de 2014. 
JEDYN, Felipe. Materiais Não Metálicos. Aula 
01: Revisão de Estrutura Atômica e Ligação 
Interatômica e Introdução aos Materiais 
Cerâmicos. Curitiba. Disponível em: 
<http://ftp.demec.ufpr.br/.../Introducao_e_Conteud
o_Ceramicos_V02.pptx‎>. Acesso em março de 
2014. 
 
 
Referências 
 
Shackelford, James F. Introdução à ciência dos materiais para 
engenheiros / James F. Schackelford; tradução Daniel Vieira; revisão 
técnica Nilson C. Cruz. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2008. 
Smith, Willian F.; Hashemi, Javad. Fundamentos de Engenharia e 
Ciência dos Materiais. Porto Alegre; AMGH Editora, 2012. 
Ciência dos Materiais Multimídia. 
http://www.cienciadosmateriais.org 
 
 
 
 http://projetocienciando.blogspot.com.br/2012/
12/microscopia-optica-aplicada-ao-estudo.html 
 http://www.biomaterial.com.br/capitulo7part01.
pdf 
 http://www.angelfire.com/crazy3/qfl2308/1_mult
ipart_xF8FF_6_Microscopia_otica.pdf 
 SOUZA, V.C.G; SAMPAIO H.S.; e TAVARES, M.M.L. - Estudo por 
microscopia óptica e lupa das características mineralógicas e 
microestruturais do clínquer aplicado ao processo de moagem e qualidade do 
cimento - Rev. Esc. Minas vol.55 no.2 Ouro Preto - MG - 2002.