Fundamentos da eletrônica (Complemento)

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Fundamentos da Eletrônica.
 
1-Os princípios fundamentais da Eletrônica estão baseados na eletricidade, cujo 
fundamento radica na estrutura da matéria.Os átomos de todos o materiais constam de um 
núcleo e de um envoltório.No núcleo se encontram os prótons que são particulas com carga 
elétrica positiva e os neutrões . No envoltório, girando em órbitas a grande velocidade, 
estão os elétrons, que são particulas de carga negativa.Como há as mesmas cargas positivas 
e negativas, o átomo é neutro. Os elétrons das órbitas afastadas do núcleo , os qais podem 
escapar-se da órbita , se houver uma força de atração externa maior que a do núcleo. Se um 
átomo perder elétrons ficará carregado positivamente. A quantidade de elétrons que se 
translata de átomo a átomo pela unidade de tempo, é o que se chama intensidade elétrica. A 
unidade de medida da intensidade é o Ampère{A} e significa que passam 6,23 trilhões de 
elétrons(1 coulomb) em um segundo. 
 
Diferença de tensão ou diferença de potencial.
 
2- A tensão de um corpo é a carga elétrica positiva ou negativa que ele possui por unidade 
de volume.Mede-se em volts(V).A diferença de tensão ou de potencial é a diferença de 
tensão que existe entre dois corpos e é a magnitude que tem verdadeiro interesse, porque, 
quando dois corpos se põem em contato entre si, a passagem de elétrons para o corpo mais 
positivo que o atrai depende exclusivamente da diferença de potencial entre eles. 
 
A lei de Ohm.
 
3 -Quando dois corpos com diferente tensão se comunicam entre si mediante a um fio 
condutor,produz-se uma corrente de elétrons para o corpo mais positivo que o atrai.A lei de 
Ohm quantifica o valor da intensidade elétrica (A) que se cria ao se conectarem dois corpos 
com diferença de potencial(V), através de um fio condutor que apresenta uma determinada 
resistência á passagem dos elétrons. A oposição que oferecem os corpos á passagem da 
corrente elétrica chama-se "resistência"e mede-se em ohms(R). A formula da lei de Ohm é: 
I (Amperes)=V(volts) / R(Ohms) 
 
Componentes passivos e ativos.
 
4-Nas montagens eletrônicas se utilizam estes dois tipos de componentes . Os passivos são 
basicamente três: resistores, capacitores, e bobinas. Os ativos mais usados são os diodos e 
os transistores. Os componentes passivos estão fabricados com meteriais condutores e 
isoladores, enquanto os ativos se fazem com materiais semicondutores, com silicio eo 
germânio. O comportamento destes dois tipos de componentes perante a passagem da 
corrente elétrica é completamente diferente. 
 
 
Resistências:
 
5 -São componentes passivos fabricados com materiais isoladores que oferecem uma 
resistência determinada á passagem da corrente elétrica, que vem definida pela lei de ohm. 
Se lhes aplicarmos o dobro de tensão, circulará o dobro de corrente. A função entre estes 
dois parâmetros fundamentais é linear. 
 
 
As resistências podem se associar em série, colocando uma detrás das outras, oferecendo 
uma resistência equivalente, igual a soma das resistências que se conectam em série. 
Quando se associam em paralelo, a resistência equivalente é mais baixa que a menor e seu 
valor é calculado conforme a fórmula: 
Exemplo: 
 
 
Capacitores:
 
 
6-Um capacitor está formado por duas placas metálicas separadas por um diéletrico. Ao se 
aplicar uma diferença de tensão entre as duas placas ou armaduras, passam elétrons de uma 
armadura á outra, originandoa carga do capacitor. A relação entre a carga que adquirem as 
armaduras e a diferença de tensão aplicada chama-se "capacidade"e mede-se em Farads, 
sendo definida pela fórmula: 
 
 
Exemplo: 
C=Q / V 
C: Farads; V: volts e Q: Coulomb (6,23 trilhões de elétrons) 
Quando se aplica uma diferença de tensão de corrente contínua a um capacitor, carregam-se 
suas armadura atéalcançar a mesma tensào que lhes é aplicada. Nesse ponto deixam de 
passar elétrons de uma armadura á outra, por isso se diz que se bloqueia, ou então, que não 
deixa passar a corrente continua. Na realidade, deixa-a passar num primeiro instante, atéque 
a carga do capacitorcompense a diferença de tensão. O tempo que um capacitor demora 
para carregar-se ao ser-lhe conectad a uma tensão de corrente continua é proporcional ao 
produto de sua capacidade pela resistência do circuito. Ao aplicar uma tensão de corrente 
alternada, a continua mudança de polaridade nas armaduras faz com que se carregue e de 
descarregue em cada semiperiodo, ou seja, ao ritimo de trequência da corrente alternada. 
Essa circulação nos dois sentidos da corrente elétrica parece que deixa passar a corrente 
alternada, comportando-se como uma resistência que se chama reactância de capacidade 
Xc, cujo o valor em ohms vem dado pela seguinte formula. 
Exemplo: 
Xc=1 / 2.r.f.c 
Xc se mede em ohms, f é a freqüência da corrente alternada em Hertz e C são os farads. 
Perante as correntes altenadas o capacitor oferece uma resistência muito pequena as altas 
freqüências. Os capacitores, assim como as resistências, podem-se associar em série e em 
paralelo, mas as fórmulas para calcular a capacidade equivalente são as inversas ás usadas 
com as resistencias . Assim , a capacidade total de varios capacitores aclopados em paralelo 
é igual á soma de suas capacidades. 
 
Bobinas:
 
7-A bobina consiste em um fio de cobre enrolado em forma de espiral sobre um suporte 
cilíndrico.Sua propriedade mais importante é a de comportar-se como um imã quando por 
ela circula uma intensidade elétrica. Perante a corrente continua a bobina se comporta como 
um fio condutor de muito baixa resistência , porque ao ser constante a corrnte, não se 
produz efeitos de auto-indução.A bobina funciona, ao contrário que o capacitor, com 
corrente contínua, pois deixa-a passar em vez de bloqueá-la. Se se aplicar uma corrente 
alternada a uma bobina, variará o magnetismo que ela gera e o que corta á mesma bobina, 
aparecendo o fenômeno da auto-indução, que apresenta uma certa resistência ao passar a 
corrente alternada, indutiva, cujo valor vem dado por: 
Exemplo: 
XL=2.r.f.L 
Sendo XL a reactância indutiva medida em ohms, f a freqüência e L o coeficiente de auto-
indução da bobina medido em Hertz. Perante a corrente alternada, quando maior for a 
freqüência, maior será a resistência da bobina, diferentimente do que acontece com o 
capacitor. 
 
O DIODO SEMICONDUTOR.
 
Semicondutores P e N. 
8-Os componentes eletrônicos ativos, diodos e transistores, são construidos com materiais 
semicondutores e não apresentam em comportamento linear quando a corrente elétrica os 
atravessa. Os materiais semicondutores puros que mais se usam são o silício e o germânio, 
que se caracterizam por dispor, em sua última órbita atômica, de quatro elétrons na órbita 
de valência, estes materiais têm a propiedade de compartilhar outros quatro elétrons com 
quatro átomos circundantes, conseguindo uma estrutura estável com que se comportem 
como materiais isoladores. Se a um semicondutor puro, de estrutura muito estável, 
agregam-hle átomos de impurezas que tenham em sua última órbita três ou cinco elétrons, 
estes passam a ocupar os postos de outros átomos semicondutores, que teriam quatro 
elétrons periféricos. Quando chega a vez de um átomo de semicondutor puro compartilhar 
életrons com um de impurezas, se este tiver três elétrons na órbita de valência, será 
necessário um para tornar-se estável. A ausência de um elétron chama-se "oco". Se o átomo 
de impurezas tiver cinco elétrons, um elétron ficará livre. Os semicondutores de tipo P 
procedem da inclusão de átomos de impurezas trivalentes na estrutura atômica do 
semicondutor puro. Por cada átomo de impureza cria-se um oco. Se os átomos de 
impurezas são pentavalentes, o semicondutor ao que se agrega chama-se de tipo N , e nele , 
por cada átomo de impureza, cria-se um elétron livre. Resumindo: os semicondutoresde 
tipo P têm ocos, o que é a mesma coisa dizer que lhes faltam elétrons. Aos semicondutores 
de tipo N lhes sobram elétrons livres em sua estrutura atômica. 
 
A união N-P. 
No semicondutor de tipo P há muitos ocos livre. Também há alguns elétrons livres, 
minoritários, originados pela energia térmica. Pelo contrário, no semicondutor de tipo N, 
existem muitos elétrons livres majorítários e muito poucos ocos minoritários. Se se unirem 
os dois tipos de semicondutores, a lei da difusão tenta equilibrar as concentrações de 
portadores e, consequentemente, origina-se uma corrente de elétrons majoritários na zona 
N, que se dirige á zona P e uma corrente de ocos da zona P á N. Ao se juntarem na zona de 
união os elétrons livres com os elétrons ocos, produz-se uma zona neutra estavél neste 
espaço, ao mesmo tempo que a zona N ao ficar sem elétrons e ser neutra, inicialmente, 
acumula carga positiva e a zona P ao perder ocos acumula carga negativa. 
 
Polarização direta e inversa. 
Se externamente aplicarmos ao diodo uma tensão que vença a barreira de potencial, 
eleminar-se-á a causa que impede seguir unindo elétrons da zona N com ocos da zona P, e 
produz-se uma corrente de portadores mojoritários em ambos os sentidos. Esta forma de 
polarizar o diodo chama-se "direta" e , á zona N, que se chama cátodo, aplica-se o pólo 
negativo e á zona P, ânodo e positivo. Como a barreira de potencia costuma valer uns 0,7V, 
será necessário que se aplique, externamente, uma tensão igual ou maior para que os 
portadores se unam e a união N-P se comporte como condutora. Na polarizaçào 
ïnversa"trocam-se os polos de tensão externa:negativo ao ânodo e positivo ao cátodo. Desta 
forma , reforça-se a berreira de potencia e torna-se ainda mais dificil que se unam os 
portadores majoritários das duas zonas. Só circula uma corrente de pouca importancia, 
produzida pelos poucos portadores minoritários que há em cada zona . O diodo se comporta 
como um dielétrico. 
 
Curva caracteristica. 
Se se aplicarmos ao diodo uma tensão cujo o pólo positivo se aplique ao ânodo e o negativo 
ao cátodo, aquele se comportará como um condutor,de maneira que quando mais tensão 
direta se aplique mais corrente circulará. Se se trocar a polaridade comportar-se-á como um 
dielétrico e s ó circularáuma intencidade desprezivel, devido aos portadores minoritarios 
que sempre existem nos semi-condutores devido á agitação térmica. 
 
 
Aplicação do diodo : A retificação. 
Aproveitando o comportamento do diodo semi-condutor, que muda radicalmente quando se 
inverte a polaridade externa , a aplicação principal á que se destina é retificar a corrente 
alternada, isto é , deixar que dos dois semiciclos desta corrente só passe um deles, que será 
o que corresponda com polaridade direta. A eleminação de um dos semiciclos da corrente 
alternada se chama retificação e é o primeiro passo qeu se realiza para transformar a 
corrente alternada em contínua. 
 
DIODOS RETIFICADORES.
 
9-A principal aplicação dos diodos semicondutores é a retificação da corrente alternada. As 
companhias distribuidoras de energia elétrica fornecem-na, por sua conveniência, em 
alternada e na Europa, especificamente, a 220V e 50 Hz. Os aparelhos eletrônicos, como 
televisores, os computadores,funcionam com corrente continua e , portanto, estes aparelhos 
devem dispor de um circuito que transforme a corrente alternada em continua. Este circuito 
chama-se "fonte de alimentação". Para levar a cabo este trabalho de transformação é 
imprescindivel a atuação do diodo semicondutor, o qual elimina um dos semicicos da 
corrente alternada. Com um só diodo retifica-se um semiciclo; este circuito chama-se 
retificador de meia onda. Com os diodos e um transformador, cujo secundário tenha uma 
toma média, obtém-se o retificador de onda completa, que aproveita os dois semiciclos da 
c.a. 
 
A ponte de Graetz. 
Uma conexào especial de quatro diodos semicondutores, chamada"ponte de 
Graetz",permite contruir um retificador de onda completa, mas sem necessidade de usar um 
transformador especial que disponha de um secundário com toma média . Estas pontes se 
utilizam muito na prática e se comercializam em cápsulas com os quatro diodos já 
interconectados. 
 
Diodos LED electroluminescentes.
 
10-Embora exista uma ampla variedade de diodos semicondutores que se caracterizam e se 
empregam por suas diversas propriedades, os mais interessantes, depois dos retificadores, 
sào os que emitem luz quando são atravessados por uma corrente elétrica. Geralmente são 
fabricados com Arseniuro de Galio e quando uma corrente entre 1 e 10 mA circula por eles, 
emitem uma luz proporcional a esta corente. Para que emitam luz deve circular por eles 
uma corrente e estarem polarizados diretamente. Em série, deve-se colocar-lhes uma 
resistencia de absorção, pois o LED absorve entre seus extremos uma tensão de 1,2 a 2 V 
para vencer a barreira de potencia, deixando o resto para a mencionada resistência, cujo o 
valor determinará o valor da corrente. Na cápsula que contém o LED, existe uma parte 
plana que se usa para identificar o cátodo. 
 
O TRANSISTOR.
 
11-O revolucionário descobrimento que deu passo á eletrônica sucedeu em 1947, quando os 
investigadores Barden e Brattain apresentaram ao mundo o transistor. Até então tinham-se 
usado as válvulas para amplificar os sinais elétricos. As válvulas eram ampolas de vidro, 
hermeticamente fechadas e das quais se extraia o ar para deixar circular mais livremente os 
elétrons. Os elétrons se produziam aquecendo a várias centenas de graus um metal de alto 
poder emisor, ao qual se dava o nome de cátodo. Perante o cátodo, outro metal em forma 
cilindrica, o ânodo, se polarizava positivamente e atraía a corrente de elétrons que o cátodo 
aquecido emitia. A válvula formada por cátodo e ânodo se comportava igual á um diodo 
semicondutor. Para conseguir a amplificação entre o cátodo e o ânodo se enrolava entre 
uma espiral metálica áqual se aplicava o sinal a amplificar e que recebia o nome de grade. 
A vávula amplificadora com cátodo, ânodo e grade se chamava triodo. As válvulas eram 
muito custosas de construir, trabalhavam com altas temperaturas que afetavam todos os 
elementos contíguos, e para a emisão do cátodo consumiam muita energia e tinham uma 
vida limitada , pois os metais emissores de elétrons tinham uma duração de uma 20.000 
horas. O transistor é um minusculo pedaço de material semicondutor ou chip que realiza as 
mesmas funções que o tríodo , mas que tem uma duração limitada, quase não consome 
potência , trabalha com baixas temperaturas e é muito barato. É um grãozinho de areia 
encapsulado com três pernas. 
 
 
A ESTRUTURA INTERNA. 
. Um transistor é construido com três capas alternadas de semi-condutores do tipo E e P, 
por isso existem dois tipos de transistores: o NPN e o PNP. Cada pedaço de um 
semicondutor é um eletrodo e cada um deles recebe o nome de emissor, base, e coletor, 
respectivamente, estando conectado, cada um por sua conta, a uma das pernas da cápsula. 
Embora o comportamento dos dois tipos de transistoers seja o mesmo, o sentido das 
correntes que os atravessa, assim com a polaridade das tensões que os alimentam são 
contrarias nos NPN e nos PNP. Os símbolos que representam os dois tipos de transistores 
só se diferenciam no sentido da seta que identifica o emisor, que nos NPN não 
penetra",enquando nos PNP sim"penetra".Uma propriedde que sempre se cumpre em 
ambos os tipos de transistores é que a intensidade do emisor é igual á soma da do coletor 
mais a base. As cápsulas dos transistores adotam diferentes formas e contêm referências 
para distinguir claramente os três eletrôdos. N exemplo mostra-se a distribuição do emisor, 
a base eo coletor na cápsula de alguns transistores muito comuns. 
Exemplo: 
I____°C 
B°----I 
Î___>°E 
NPN 
 
Tipos de transistorese sua fabricação.
 
12-O uso generalizado dos transistoes motivou a melhoria contínua ds métodos de 
fabricação, assim como de suas coracteristicas. As investigações e os diferentes processos 
que ele gerou permitem que na atualidade existam numerosos fabricantes com amplas 
gamas de modelos que cobrem todas as aplicações. Os processos de construção mais 
empregados são: 
1º-Transistores de pontas de contato. 
Num pedaço de semicondutor do tipo P, incidem a pressão, duas pontas metálicas 
separadas a uma pequena distância. 
2º-Transistores de ligamento difuso. 
Sobre um pedaço de semicondutor do tipo N, por exemplo, colocam-se dois pedaços de 
impurezas trivalentes,que se difudem ao se aqueser a elevadas temperaturas. 
3º Transistores de ligamento. 
Sobre uma placa de semicondutor do tipo P, que funcionará como Coletor, deposita-se im 
pedaço de material N, que funcionará como base e outro do tipo P que funcionará como 
Emisor, procedendo á liga á alta temperatura. 
4º Transistores de técnica epitaxial. 
Baseia-se no controle da contaminação das impurezas sobre o vidro. 
5º Transistores de técnica planar. 
Baseia-se na oxidaçào de todas as superfícies para conseguir um isolamento perfeito. 
O transistor em funcionamento. 
Se se polarizarmos a uniào base/emisor de um transistor,produz-se uma corrente eletrônica 
no emissor que se distribui enter a base eo coletor.Se o coletor estiver polarizado 
fortemente ira atrair a corrente do emissor, a maior parte desta corrente passará ao coletor, 
ficando muito pouca na base ,que se encontra debilmente polarizada. 
O efeito amplificador. 
Alterando levemente a polarização da base, VBE, modifica-se o valor das três correntes do 
transistor. A base muda muito pouco, dada q pequena polarização de sua uniào N_P com o 
emissor, mas com a do coletor sucede o contrário, devido á elevada voltagem que se aplica 
a este eletrodo. As grandes variações da corrente do coletor provocam grandes mudanças de 
tensão que absorve a resistência de carga, o que faz com que se dêem importandes 
variações de tensão e VCE. Concluindo, pequenas transformações da tensào de 
entrada(base) originam grandes variações de tensào na saida(coletor). 
Cálculo da amplificação. 
Encontra-se a amplificação de tensào de um transistor, dividindo-se o incremento da tensão 
de saida entre o correspondente á entrada. 
Exemplo: 
Amplificação de tensào. 
(VCE) / (VBE)=(5-6) / (0,7-0,6)= -10 
O valor da amplificação de tensão é de -10, o que significa que o circuito exemplo acima, 
aplifica 10 vezes as variações de tensào que se produzem em sua entrada, mas em sentido 
inverso. O simbolo "-" significa que, quando a tensão de entrada subir, a de saida descerá , 
isto é , ambos os sinais estào invertidos. 
Se a entrada do circuito estudado se aplicar um sinal de corrente alterna de 0,1V de valor 
máximo admitido, e se supõe que a tensão VBE está polarizada com um valor fixo de 0,6V, 
a corrente do coletor passa de 3 a 5 mA nos dois picos da tensão alterna. 
O que é um circuito integrado?
É uma pastilha de plástico, material cerâmico ou metálico, em cujo interior existe um pequeno 
pedaço de silício, chamado "chip", sobre o qual foram montados transistores,diodos,resistênciase 
outros componentes eletrônicos,conectados entre si,formando um circuito funcional completo. 
As pernas do circuito integrado servem para conectar as entradas e saídas do circuito interno com 
o exterior. 
Diagrama de conexão.
Cada perna do circuito integrado tem designada uma entrada ou saída do circuito interno que 
serve para conectá-la com o exterior. Diferenciam-se entre si porque cada uma recebe um número 
concreto. o diagrama de conexões permite ao usuário conhecer a missão de cada perna, de modo 
que possa conectá-la corretamente. 
Fabricação.
Um circuito integrado moderno contém vários milhões de transistores e cada ano aumenta este 
valor.O circuito integrado chamado Pentium é um micro processador que configura o cérebro de 
nosso computador pessoal ou PC.A primeira versão do pentium de 1997 e continha 3,1milhões de 
transistores,e foi fabricado com tecnologia de 0,8 mícra.Os atuais se fabricam com tecnologia de 
um décimo de mícron e contêm quatro vezes mais transistores. 
Para fabricar um circuito integrado parte-se de um lingote cilíndrico de cristal de silício, que se 
corta em rodelas,que se podem denominar bolachas.Essa bolacha é polida e inspecionada com 
microscópio eletrônico,pois requer uma pureza total para o correto funcionamento de todos os 
chips que se obtenham dela.Sobre essa bolacha vão se criando as regiões N e P,mediante a 
difusão de um material gasoso pentavalente ou trivalente em um forno a elevada temperatura.Os 
átomos do gás penetram na estrutura do semicondutor de silício e formam as zonas N e 
P.Ordenando adequadamente a criação das capas alternadas de semi-condutores vão se 
construindo resistências,diodos e transistores. 
Da fabricação a arte.
Para conseguir nos situar no momento presente, isto é,no começo do século XXI, no estado atual 
da tecnologia de fabricaçâo de circuitos integrados, vamos nos referir á evolução histórica da 
familia de microprocessadores mais usadas no mundo.Trata-se da familia x86 da INTEL. 
O pai desta familia pode ser considerado o micro 386 que apareceu em 1985,que constava de 
275.000 transistores e se fabricava com uma tecnologia que superava o mícron. 
Alimentava-se com uma tensão de 5VCC e consumia 2,5 W. 
Quatro anos mais tarde,apresentou-se o 486 que já continha mais de um milhâo de 
transistores,exatamente 1.200,000,e utilizava tecnologia de 2 micra.Outros quatro anos mais 
tarde,em 1993,apresentou-se no mercado mundial o Pentium clásico,continua produzindo 
inumeráveis modelos até o dia de hoje.Apresentamos os dados relevantes desta saga de 
microprocessadores,que não terminou e que cada ano apresenta cada vez mais modelos 
diferentes,melhorando seu rendimento e seu preço.Ás vezes,esta vertiginosa carreira tecnológica 
confudem os usuários que têm a impressão de que no mesmo momento em que saem da 
loja,depois de terem comprado um computador,entra um novo modelo muito mais rápido e mais 
barato. 
 
Modelo e 
microprocessador Ano 
Milhões de 
transistores Tecnologia(Micra) 
Pentium 1993 3,1 0,8 
Pentium-Pro 1995 5,5+15,5(Cachê) 0,6 
Pentium MMX 1997 4,5 0,35 
Pentium II 1997 7,5 0,25 
Pentium III 1999 9,5 0,18 
Pentium 4 2000 42 0,18