Cap 07 Aula 2 - Modelo RE do Transistor

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MODELO re DO TRANSISTOR 
 
 
O modelo re emprega um diodo e uma fonte controlada de corrente. 
 
Obs: Fonte de corrente controlada por corrente é aquela em que seus 
parâmetros são controlados por uma corrente de outro ramo do circuito. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Amplificadores a transistor TBJ são classificados como dispositivos 
controlados por corrente. 
 
Configuração Base-Comum(NPN) 
 
 
 2
 
 
Onde: 
 
A resistência ac de um diodo pode ser determinada pela equação rac = 
26 mV/ID onde ID é a corrente dc através do diodo no ponto-Q(cap. 01). 
 
ID
mVrac 26 , ID=IE IE
mVrerac 26 
 
 
Resistência equivalente re: 
 
IE
mVre 26 
 
 
 
 
 
 
 3
 
Impedância Zi: 
 
reZi  Para o modelo re em BC. 
 Impedância Z0: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Ou seja, Quanto menor a inclinação, maior o nível da impedância de saída 
(Zo). 
 
~Zo Para o modelo re em BC. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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Ganho de tensão: 
BCpara
re
RL
rI
IeRL
vi
voAv
rIIeZiVi
IeRLRLIoIcRLVo
ee
ee



~
)(


 
 
Ganho de corrente: 
 
BCparaAi
Ie
Ie
Ie
Ic
Ii
IoAi
1






 
 
EX: Para a configuração base-comum, com IE=4mA,  = 0,98, e um sinal ac 
de 2m V aplicado entre os terminais de base e emissor: 
(a) Determine a impedância de entrada. 
(b) Calcule o ganho de tensão se uma carga de 0,56k é conectada aos 
terminais de saída. 
(c) Ache a impedância de saída e o ganho de corrente. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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Configuração Emissor-Comum 
 
Para a configuração emissor-comum, os terminais de entrada são a base 
e o emissor do transistor, mas, agora, os terminais do co1etor e emissor são a 
saída. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Modelo T Modelo  
 
Para: 
IbIe
IbIe
IbIc






~
)1( 
 
Impedância de entrada (Zi) para EC: 
reIbreIeVbeVi  ~ 
Ib
reIb
Ib
Vbe
Ii
ViZi  
reZi  
 
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Impedância de saída(Zo) para EC: 
 
Para a impedância de saída, as características de interesse estão nas 
curvas do transistor. Note que a inclinação das curvas aumenta com o aumento 
da corrente de coletor. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Ou seja, Quanto maior a inclinação, menor o nível da impedância de saída 
(Zo). 
roZo  
 
 
Ganho de tensão e de corrente para a configuração EC: 
 
 
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Ibre
IbRL
Vo
ViAv
reIbIiZiVi
IbRLIcRLIoRLVo







 
 
 roECpara
re
RLAv , 
 
Ib
Ib
Ib
Ic
Ii
IoAi  
 
 ro,ECparaAi 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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Configuração coletor-Comum 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Modelo  
 
 
 
 
 
 9
 
 
Modelo  
 
 
Zi – Impedância de entrada 
 
REZi
)1(como,RE)1(Zi
RE)1()re(como,RE)1()re(Zi
Ib
Vi
RE)1(Ib)re(IbVi




 
 
Zi=βRE 
 
 
 
 
 
 
 
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Zo – Impedância de Saída 
REre
ViIe
)1(para,
REre
Vi
RE)1()re(
)1(ViIe
RE)1()re(Zicomo,
Zi
Vi)1(Ib)1(Ie
zi
ViIbIi










 
 
Circuito equivalente (Aplicando Thévenin): 
 
 
Zo=re//RE 
 
re << RE 
 
Zo=re 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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Av – Ganho de tensão 
 
RErepara
REre
RE
Vi
VoAv
)1(para
RE)1(Ib)re(Ib
RE)1(Ib
Vi
VoAv
RE)1(Ib)re(IbVi
RE)1(IbREIeRE)Ie(REIoVo
IeIo










 
 
1
RE
REAv 
 
Av=1 sempre 
Ai – Ganho de Corrente 
 





Ii
Ii)1(
Ii
IoAi
Ii)1(Ib)1(IeIo
IbIi
Ii
IoAi
 
 
Ai= - 