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DIODO SEMICONDUTOR Princípios Básicos Análise de Circuitos Bibliografia: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos Autores: Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky Diodo Semicondutor- 2 Objetivos Entender o princípio básico de funcionamento do diodo Semicondutor. Conhecer os modelos do diodo e distinguir a sua aplicação na análise de circuitos. Interpretar o funcionamento de circuitos que utilizam o diodo semicondutor em aplicações de circuitos eletrônicos a partir da análise de circuitos elétricos. Diodo Semicondutor- 3 Introdução O diodo semicondutor possui dois terminais e é construído a partir de materiais semicondutores como o Silício e o Germânio. O diodo semicondutor é um elemento de circuito ativo. Isto é: O comportamento do diodo depende da maneira como o mesmo está ligado e de sua interação com outros componentes do circuito que definirão a sua região de operação. O diodo ideal é uma chave que possui a capacidade de conduzir corrente em um único sentido. Diodo Semicondutor- 4 O símbolo do diodo é composto por uma seta que aponta para o sentido da corrente quando o mesmo está diretamente polarizado. Uma barra na ponta da seta indica que o diodo ideal não conduz no sentido de polarização reversa. Diodo diretamente polarizado Diodo Semicondutor- 5 Sob polarização reversa o diodo ideal é uma chave aberta. Sob polarização direta, o diodo ideal é uma chave fechada. ID=(V-VD)/R ID=0 VD=0 VD=V Diodo Semicondutor- 6 O Diodo por dentro Por dentro do Diodo O Silício é o principal elemento utilizado na construção de dispositivos semicondutores seguido pelo Germânio. Ambos formam estruturas cristalinas cujos átomos são tetravalentes, possuindo quatro elétrons na camada de valência. A condução no semicondutor é analisada pelo modelo de bandas de energia. O calor e a luz fornecem energia suficiente para que alguns elétrons saiam da banda de valência do semicondutor para se tornarem portadores na banda de condução. Um material do tipo N é formado pela introdução de impurezas pentavalentes no semicondutor. Estas impurezas fornecem portadores majoritários negativos ou elétrons para a banda de condução. Um material do tipo P é formado pela introdução de impurezas trivalentes no semicondutor. A esta impureza está associada uma “carência de elétrons”, resultando em portadores majoritários positivos ou lacunas na banda de condução. Diodo Semicondutor- 7 O diodo semicondutor é formado pela simples união de um material do tipo p com um material do tipo n, construídos a partir da mesma base, Ge ou Si. Na ausência de tensão de polarização o fluxo de carga é zero. Diodo Semicondutor- 8 Sob condições de polarização reversa ocorre uma ampliação da região de depleção reduzindo o fluxo de portadores majoritários a zero. O fluxo resultante é o de portadores minoritários que se mantém constante. A corrente resultante sob condições de polarização reversa é chamada de corrente de saturação reversa Is. Esta corrente, formada por portadores minoritários se mantém constante para altos valores de VD até uma região próxima à ruptura do diodo. Diodo Semicondutor- 9 Sob condições de polarização direta ocorre uma redução da região de depleção resultando em um intenso fluxo de portadores majoritários na junção. O fluxo resultante de portadores minoritários se mantém constante. Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando é estabelecido um potencial positivo no material do tipo p e um potencial negativo no material do tipo n. Diodo Semicondutor- 10 Comparação dos diodos semicondutores de Si e Ge. A maior parte dos diodos é construída para trabalhar na região de polarização direta, no primeiro quadrante do gráfico. Diodo Semicondutor- 11 Para uma polarização reversa suficientemente grande, potencial zener, ocorrerá uma mudança brusca na curva do diodo. As colisões de portadores devido à sua aceleração produz ionização e geração de novos portadores, ruptura por avalanche. Alguns diodos são projetados para operar sob polarização reversa no terceiro quadrante do gráfico, região zener. Diodo Semicondutor- 12 Folha de dados Características Elétricas de um diodo de alta tensão e de baixas correntes de fuga. Diodo Semicondutor- 13 Tempo de recuperação reversa – trr Aplicações em alta frequência CT - Capacitância de transição. CD - Capacitância de difusão ou acumulação. O chaveamento do estado ligado para o estado desligado não ocorre instantaneamente com a inversão da polaridade na tensão da fonte. Diodo Semicondutor- 14 Tempo de recuperação reversa – trr Aplicações em alta frequência CT - Capacitância de transição. CD - Capacitância de difusão ou acumulação. O chaveamento do estado ligado para o estado desligado não ocorre instantaneamente com a inversão da polaridade na tensão da fonte. ts - tempo de armazenamento. tt - intervalo de transição. trr = ts + tt (tempo de recuperação reversa) Diodo Semicondutor- 15 Circuito Equivalente Linear por Partes - E + R APROXIMAÇÕES PARA O DIODO Onde rav é a resistência média na aproximação Diodo Semicondutor- 16 Circuito Equivalente Linear por Partes - E + R APROXIMAÇÕES PARA O DIODO Onde rav é a resistência média na aproximação Em muitos circuitos, a resistência em série com o diodo é grande o suficiente para tornar rav desprezível. Uma análise mais simplificada pode ser mais útil para o estudo do comportamento do circuito. Diodo Semicondutor- 17 Circuito Equivalente Linear por Partes - E + R APROXIMAÇÕES PARA O DIODO Onde rav é a resistência média na aproximação Em muitos circuitos, a resistência em série com o diodo é grande o suficiente para tornar rav desprezível. Uma análise mais simplificada pode ser mais útil para o estudo do comportamento do circuito. Diodo Semicondutor- 18 APROXIMAÇÕES PARA O DIODO Circuito Equivalente Simplificado ( E >VT, R >> rav ) VT=0,7V para o diodo de Si e VT=0,3V para o diodo de Ge. - E + R Diodo Semicondutor- 19 APROXIMAÇÕES PARA O DIODO Circuito Equivalente Simplificado ( E >VT, R >> rav ) VT=0,7V para o diodo de Si e VT=0,3V para o diodo de Ge. - E + R Circuito Equivalente Ideal ( E >>VT, R >> rav ) Diodo Semicondutor- 20 Análise de Circuitos com Diodos O modelo de circuito adequado é selecionado de acordo com a polarização do diodo no circuito original. Um circuito equivalente aproximado é construído para cada condição de operação identificada. O circuito resultante para a região de operação é analisado utilizando as Leis de Kirchhoff. Diodo Semicondutor- 21 Diodo Semicondutor- 22 Aplicações em corrente contínua Determinação de VD e ID na configuração em série do diodo. Polarização direta Polarização reversa Diodo Semicondutor- 23 Configuração série em polarização direta Figs 2.12 à 2.14 Diodo Semicondutor- 24 Configuração série em polarização direta Figs 2.12 à 2.14 Diodo Semicondutor- 25 Configuração série em polarização direta Figs 2.12 à 2.14 Diodo Semicondutor- 26 Figs 2.15 à 2.17 Configuração série em polarização reversa Diodo Semicondutor- 27 Figs 2.15 à 2.17 Configuração série em polarização reversa Diodo Semicondutor- 28Figs 2.15 à 2.17 Configuração série em polarização reversa Diodo Semicondutor- 29 EXEMPLO 2.6 Determine VD, VR e ID VERIFIAR EXEMPLO 2.7 Diodo Semicondutor- 30 EXEMPLO 2.8 Determine VD, IR e ID Diodo Semicondutor- 31 EXEMPLO 2.8 Determine VD, IR e ID Diodo Semicondutor- 32 EXEMPLO 2.9 Determine V0 e ID Diodo Semicondutor- 33 EXEMPLO 2.9 Determine V0 e ID Diodo Semicondutor- 34 EXEMPLO 2.10 Determine ID, VD2 e V0 Diodo Semicondutor- 35 EXEMPLO 2.10 Determine ID, VD2 e V0 Diodo Semicondutor- 36 EXEMPLO 2.10 Determine ID, VD2 e V0 Diodo Semicondutor- 37 EXEMPLO 2.10 Determine ID, VD2 e V0 Diodo Semicondutor - 38 EXEMPLO 2.11 Determine I, V1, V2 e V0 Diodo Semicondutor - 39 EXEMPLO 2.11 Determine I, V1, V2 e V0 Diodo Semicondutor - 40 EXEMPLO 2.11 Determine I, V1, V2 e V0 Diodo Semicondutor - 41 EXEMPLO 2.11 Determine I, V1, V2 e V0 Diodo Semicondutor- 42 EXEMPLO 2.12 Determine V0, I1, VD1 E VD2 Diodo Semicondutor- 43 EXEMPLO 2.12 Determine V0, I1, VD1 E VD2 Diodo Semicondutor- 44 EXEMPLO 2.13 Determine a corrente I Diodo Semicondutor- 45 EXEMPLO 2.13 Determine a corrente I Diodo Semicondutor- 46 EXEMPLO 2.14 Determine a tensão V0 Diodo Semicondutor- 47 EXEMPLO 2.14 Determine a tensão V0 Diodo Semicondutor- 48 EXEMPLO 2.15 Determine as correntes I1, I2, e ID Diodo Semicondutor- 49 EXEMPLO 2.15 Determine as correntes I1, I2, e ID Diodo Semicondutor- 50 Diodo Zener Diodo Semicondutor- 51 Diodo Semicondutor- 52 Exemplo 2.26 a) Determine VL, VR, IZ e PZ b) Repita o item (a) com RL = 3k𝞨 Diodo Semicondutor- 53 a) 0 < V < VZ Zener desligado IZ =0, PZ=0; VL=8.73 Diodo Semicondutor- 54 b) Substitui-se RL por 3k𝞨 no circuito exemplo. Considera-se inicialmente que o Zener está aberto. Nesta hipótese, o cálculo do divisor de tensão resultante mostra que a tensão agora é suficiente para que o Zener esteja ligado. O circuito equivalente se torna: Diodo Semicondutor- 55 Aplicações em corrente alternada Diodo Semicondutor- 56 Retificador de meia onda Análise com Diodo Ideal Diodo Semicondutor- 57 Região de condução (0 à T/2) Diodo Semicondutor- 58 Região de não condução - Corte de T/2 à T Diodo Semicondutor- 59 Sinal retificado – Retificador de meia onda Diodo Semicondutor- 60 Efeito de VT no sinal de meia onda retificado Diodo Semicondutor- 61 Determinação da tensão reversa máxima PIV requerido para o diodo no retificador de meia onda Diodo Semicondutor- 62 Exemplo 2.8 Diodo Semicondutor- 63 Saída V0, resultante do circuito no exemplo 2.18 Diodo Semicondutor- 64 Efeito de VT no sinal retificado em meia onda Diodo Semicondutor- 65 Retificador de onda completa Configuração em Ponte Diodo Semicondutor- 66 Comportamento com diodos ideais Análise de vi para o intervalo de 0 à T/2. Diodo Semicondutor- 67 Caminho de condução para vi positivo Intervalo de 0 à T/2. Diodo Semicondutor- 68 Caminho de condução para vi negativo Intervalo de T/2 à T. Diodo Semicondutor- 69 Formas de onda de entrada e saída Retificador de onda completa Diodo Semicondutor- 70 Determinação de V0max Diodos de silício na configuração em ponte Diodo Semicondutor- 71 Determinação da tensão reversa máxima PIV Requerido para o diodo Configuração em Ponte Diodo Semicondutor- 72 Retificador de onda completa Transformador com derivação central Tape central Diodo Semicondutor- 73 Comportamento para diodos ideais Análise de vi para o intervalo de 0 à T/2. Diodo Semicondutor- 74 Comportamento para diodos ideais Análise de vi para o intervalo de T/2 à T. Diodo Semicondutor- 75 Determinação da tensão reversa máxima PIV Requerido para o diodo Configuração com derivação central ISL07 - Mapas de Karnaugh - 76 Alguns circuitos práticos com diodos Diodo Semicondutor- 77 Esquema elétrico do carregador de baterias da figura 2.125 OBS.: Este modelo não desliga automaticamente quando a bateria está carregada. Diodo Semicondutor- 78 Faíscas que ocorrem em uma chave quando aberta ( se a chave estiver em série com um circuito R-L) Exemplo de proteção com supressor Proteção com diodo para circuito RL (Acionamento com fonte CC) Diodo Semicondutor- 79 Proteção com diodo para limitar a tensão emissor base do transistor Proteção com diodo para evitar uma corrente de coletor reversa Ação do diodo para limitar a variação da tensão aplicada. Diodo Semicondutor- 80 Sistema de backup projetado para evitar a perda da memória em um auto-rádio quando ele é removido do veículo Detector de polaridade utilizando diodos e LEDs Diodo Semicondutor- 81 Problema 5 Diodo Semicondutor- 82 Problemas 6 e 49 Diodo Semicondutor- 83 Problema 7 Diodo Semicondutor- 84 Problema 8 Diodo Semicondutor- 85 Problema 9 Diodo Semicondutor- 86 Problema 12 Diodo Semicondutor- 87 Problema 25 Diodo Semicondutor- 88 Mais circuitos com diodos em corrente alternada Dobrador de tensão Triplicador e quadruplicador de tensão Diodo Semicondutor- 89 Diodo Semicondutor- 90 Ceifadores Diodo Semicondutor- 91 Grampeadores com diodos ideais (5τ=5RD>>T/2)