MATERIAIS ELETRICOS (7)

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MATERIAIS ELÉTRICOS
Exercício: CCE0252_EX_A3_201307085148 Voltar
Aluno(a): RICARDO DA SILVA OLIVEIRA Matrícula: 201307085148
Data: 18/08/2014 20:13:11 (Finalizada)
1a Questão (Ref.: 201307101972)
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas 
espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a 
estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida 
através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a 
resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção 
transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade 
do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência 
ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do 
cobre é igual a 3,9x10-3 oC-1).
3,4 Ω
3,89 Ω
4,19 Ω
4,35 Ω
6,8 Ω
2a Questão (Ref.: 201307180217)
Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
Resistência
Condutividade
Condutância
 Resistividade
Indutância
3a Questão (Ref.: 201307253909)
Do ponto de vista tecnológico, a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para 
a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o 
Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da 
Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes 
materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou 
portadores de carga positivas. 
A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
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A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores. 
Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores. 
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do 
tipo-p. 
4a Questão (Ref.: 201307253907)
A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a 
expressão ����=����0+����T, onde ����0 e ���� ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode 
assumir a forma ����=����0+ ����T+����T
2 , onde �0 , b e ��são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura 
no último caso citado.
Reta. 
Elipse. 
Círculo. 
Parábola.
Hipérbole. 
5a Questão (Ref.: 201307253906)
A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da 
quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos 
assumir que a resistividade obedece a expressão ����=����0+����T, onde ����0 e ���� ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
Reta.
Círculo.
Parábola.
Elipse.
Hipérbole. 
6a Questão (Ref.: 201307253910)
Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é através da evaporação dos elementos 
de interesse em adequadas câmaras de vácuo, técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A 
History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores é correto afirmar que:
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um 
material. 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. 
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas 
dopagem. 
Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas.
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo 
vetada a presença de qualquer impureza no sistema. 
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