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PRÁTICA 4, 5 E 6: POLARIZAÇÃO DE TBJ (MODO ATIVO) E AMPLIFICADORES COM TBJ Diego Costa Vinha - Gabriela Nogueira - Talis Ricardo da Silva Rossi Turma E51 – diegovinha@hotmail.com || talis_rsr10@hotmail.com.br Resumo – Com os dados obtidos experimentalmente no laboratório de eletrônica e com o recurso de simular os circuitos testados foi possível comparar ambos os dados e tirar conclusões se o experimento foi realizado com sucesso e se a teoria pode ser aplicada na prática. Primeiramente começou com a análise de polarização do TBJ de diversos modelos e posteriormente foi analisado quatro tipos de amplificadores, na qual todos eles foram simulados e obtiveram resultados satisfatório. Palavras-Chave – Transistor; Polarização; Resistor; Amplificador. I. INTRODUÇÃO Em uma análise ou um projeto de um amplificador com o uso de transistor, é necessário ser feita uma análise CC e CA do circuito amplificador. Umas das funções de um transistor no modo de operação de um amplificador, especificamente o TBJ, é a capacidade de aumentar um sinal de entrada na saída sem a necessidade de uma fonte externa. Para que sejam feitas as análises CC e CA do circuito, o teorema de superposição é aplicável, e a análise CC pode ser totalmente separada da análise do circuito em CA. II. DESENVOLVIMENTO PRÁTICO Para montar os sistemas foi dividida em duas partes, sendo a primeira, polarização de transistor bipolar de junção (TBJ) no modo ativo e a segunda de modo a fazer um amplificador com o TBJ. Nas duas partes foram utilizadas vária subpartes, das quais na segunda parte além de utilizar resistências, transistores (TBJ) e fontes de tensão contínua (comum em abas as partes), usou-se também capacitores e uma fonte de tensão alternada. 2.1.1 Polarização de TBJ - Modo Ativo Usando as seguintes considerações de um projeto para que fossem possíveis determinar os valores das resistências R1 e R2 da Figura 1. Fig. 1. Circuito relacionado à prática 4, onde R1 e R2 serão obtidos através das considerações feitas no projeto. As considerações são as seguintes: 𝑉𝐵𝐵 ≈ 1 3 𝑉𝐶𝐶 (1) 𝐼𝐶𝑅𝐶 ≈ 1 3 𝑉𝐶𝐶 (2) 𝑅1 + 𝑅2 ≈ 𝑉𝐶𝐶 0,1 × 𝐼𝐸 (3) 𝑉𝐵𝐵 = 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝑉𝐶𝐶 (4) 2.1.2 Polarização de TBJ - Modo Ativo com R1 e R2 dez vezes menores A segunda parte da polarização do TBJ, baseia-se em diminuir os valores teóricos e práticos de R1 e R2 da Figura 1 em dez vezes e analisar as correntes e tensões. 2.1.3 Polarização de TBJ com duas fontes de tensão – Modo Ativo Para realizar este experimentou foram necessárias duas fontes de tensão simétrica de 20V, um TBJ e quatro resistências sendo R1, R2, RC e RE com o valor de 8,2; 2,2; 2,7 e 1,8, [kΩ] respectivamente. O circuito foi montado da seguinte maneira: Fig. 2. Circuito com duas fontes tensão simétricas de 20V. 2.1.4 Modelo Alternativo – Modo ativo Nesta prática a configuração consistia em uma fonte de tensão contínua 20V, um TBJ e duas resistências, 4,7 kΩ (RC) e 680 kΩ (RB). Temos que o resistor de 680kΩ está fazendo a realimentação do circuito entre a base e o coletor. Já a tensão no emissor é nula pois VE está na referência zero, conforme indica a Figura 3. Fig. 3. Modelo alternativo com realimentação no coletor. 2.1.5 Polarização de uma fonte de corrente Finalizando a parte de polarização de TBJ de modo ativo, este experimento utilizou de duas fontes de tensão contínua, VCC e VEE, cada uma com 10,35V sendo a segunda acoplada no circuito como receptora. Para a análise utilizou-se o modelo de espelho de corrente com dois TBJs e uma associação de duas resistências de 10kΩ, conforme a Figura 4. Fig. 4. Espelho de corrente para a análise da polarização de uma fonte de corrente. 2.2.1 Amplificador de emissor comum Para este experimento foi preciso uma série de componentes, descritos a seguir: o Fonte de tensão contínua 20V (VCC); o Fonte de tensão alternada com amplitude de 20mV e frequência de 10kHz; o Resistências R1, R2, RC, RE, RS, RL com os seguintes valores respectivamente, 39; 10; 3,9; 2; 1; 10, kΩ; o Capacitores CS, CC, CE com os seguintes valores respectivamente, 10; 1; 20, micro Farad; o Beta considerou-se 100 e r0 tendeu a infinito. Com isso o seguinte circuito pode ser realizado: Fig. 5. Circuito amplificador de emissor comum. Após a instalação do circuito, extraiu-se a forma de onda da tensão na entrada (Vs) e na saída (Vo) por meio do osciloscópio, no qual os resultados foram registrados. 2.2.2. Amplificador de emissor comum sem capacitor no emissor Utilizando o mesmo processo do primeiro experimento (amplificador), porém sem o capacitor CE de valor 20 μF, extraiu-se a forma de onda da tensão na entrada (Vs) e na saída (Vo) por meio do osciloscópio e as medidas foram anotadas. 2.2.3 Amplificador de base comum As análises da configuração amplificador de base comum foram feitas teoricamente e posteriormente simuladas. O circuito foi baseado na questão 4.33 do livro de microeletrônica, Sedra e Smith [1]. 2.2.4. Amplificador seguidor de emissor As análises da configuração amplificador seguidor de emissor foi feita teoricamente e posteriormente simulada, conforme anteriormente. O circuito também foi baseado numa questão do livro de microeletrônica, Sedra e Smith [1], a 4.34. III. RESULTADOS 3.1.1 Polarização de TBJ - Modo Ativo Considerando que Vcc é uma tensão contínua de 12V, obtém-se os resultados com as Equações (1), (2), (3) e (4) que estão dispostos no quadro 1. Quadro 1 – Resultados teóricos da polarização de TBJ – Modo Ativo. GRANDEZA VALOR Resistor R1 80 kΩ Resistor R2 40 kΩ Resistor RE 3,3 KΩ Resistor RB 26,7 kΩ Resistor RC 4,36 kΩ Corrente IE 0,9259 mA Corrente IC 0,9207 mA Corrente IB 5,20 µA Tensão VE 3,06 V Tensão VB 3,30 V Tensão VC 7,98 V Tensão VBE 0,70 V Tensão VCE 4,93 V A Figura 1 foi montada no laboratório com resistores comerciais que mais se aproximasse dos valores teóricos. Da mesma forma que anteriormente, um quadro foi montado com os valores experimentais com o devido erro. Quadro 2 - Resultados experimentais da polarização do TBJ – Modo Ativo com os erros quando comparado com o modelo teórico. GRANDEZA VALOR ERRO Resistor R1 82 kΩ 2,44% Resistor R2 39 kΩ 2,50% Resistor RE 3,3 KΩ 0,00% Resistor RC 3,9 kΩ 11,80% Corrente IE 0,94 mA 1,52% Corrente IC 0,93 mA 1,01% Corrente IB 4,2 µA 19,23% Tensão VE 3,611 V 18,00% Tensão VB 3,721 V 12,76% Tensão VC 8,120 V 1,75% Tensão VBE 0,615 V 12,14% Tensão VCE 4,710 V 4,46% Fazendo a simulação do circuito da Figura 1 com os resultados experimentais no Software Proteus, obtemos os seguintes resultados. Fig. 5. Circuito simulado no Proteus da Figura 1. 3.1.2 Polarização de TBJ - Modo Ativo com R1 e R2 dez vezes menores Quadro 3 – Resultados teóricos da polarização de TBJ – Modo Ativo com R1 e R2 dez vezes menores. GRANDEZA VALOR Resistor R1 8 kΩ Resistor R2 4 kΩ Resistor RE 3,3 KΩ Resistor RB 2,67 kΩ Resistor RC 4,36 kΩ Corrente IE 0,9921 mA Corrente IC 0,9822 mA Corrente IB 9,90 µA Tensão VE 3,87 V Tensão VB 3,15 V Tensão VC 7,72 V Tensão VBE 0,72 V Tensão VCE 5,05 V Quadro 4 – Resultados experimentais da polarização de TBJ – Modo Ativo com R1 e R2 dez vezesmenores. GRANDEZA VALOR ERRO Resistor R1 8,2 kΩ 2,50% Resistor R2 3,9 kΩ 2,50% Resistor RE 3,3 KΩ 0,00% Resistor RC 3,9 kΩ 10,56% Corrente IE 0,98 mA 1,22% Corrente IC 0,98 mA 0,22% Corrente IB 4 µA 59,60% Tensão VE 3,52 V 9,04% Tensão VB 3,43 V 8,89% Tensão VC 8,172 V 5,85% Tensão VBE 0,616 V 14,40% Tensão VCE 4,962 V 1,74% Usando o Software Proteus para simular o circuito em questão, obtemos os seguintes resultados. Fig. 6. Simulação do circuito da Figura 1 com R1 e R2 dez vezes menores. Os resultados apresentaram algumas inexatidões, isso é provocado pela não idealidade do transistor (Efeito Early) e resistores. O fator beta do transistor usado na prática do laboratório, tinha um valor de aproximadamente 197, valor diferente do teórico e simulado, ambos eram 100. Apesar da inexatidão, os resultados ainda assim apresentaram boa concordância. 3.1.3 Polarização de TBJ com duas fontes de tensão – Modo Ativo Quadro 5 – Resultados teóricos da polarização de TBJ com duas fontes de tensão – Modo Ativo. GRANDEZA VALOR Resistor R1 8,2 kΩ Resistor R2 2,2 kΩ Resistor RE 1,8 kΩ Resistor RC 2,7 kΩ Corrente IE 2,10 mA Corrente IC 2,09 mA Corrente IB 4,17 µA Tensão VE -12,42 V Tensão VB -11,61 V Tensão VC 8,74 V Tensão VBE 0,67 V Tensão VCE 21,2 V Fig. 6. Simulação da Figura 2 no software Proteus para obter os valores teóricos. Quadro 6 – Resultados experimentais da polarização de TBJ com duas fontes de tensão – Modo Ativo GRANDEZA VALOR ERRO Resistor R1 8,2 kΩ 0,00% Resistor R2 2,2 kΩ 0,00% Resistor RE 1,8 kΩ 0,00% Resistor RC 2,7 kΩ 0,00% Corrente IE 2,43 mA 15,71% Corrente IC 2,32 mA 11,00% Corrente IB 7 µA 67,86% Tensão VE -11,67 V 6,05% Tensão VB -11,07 V 4,65% Tensão VC 9,37 V 7,21% Tensão VBE 0,6 V 14,28% Tensão VCE 21,78 V 2,74% A não idealidade preservou-se mais uma vez, pois quando os resultados teóricos quando foram comparados com a prática tiveram um erro, que foi ocasionado pelo beta ser diferente de 100 no experimento e algumas considerações que o software utiliza para fazer a análise. 3.1.4 Modelo Alternativo – Modo Ativo Quadro 7 – Resultados teóricos e experimentais da polarização de TBJ com duas fontes de tensão – Modo Ativo. GRANDEZA TEÓRICO PRÁTICO ERRO Resistor RC 4,7 kΩ 4,7 kΩ 0,00% Resistor RB 680 kΩ 680 kΩ 0,00% Corrente IE 2,68 mA 2,74 mA 2,24% Corrente IC 2,68 mA 2,74 mA 2,24% Corrente IB 9,87 µA 9,45 µA 4,25% Tensão VE 0 V 0 V 0,00% Tensão VB 0,697 V 0,63 V 9,61% Tensão VC 7,38 V 7,20 V 2,44% Tensão VBC -6,68V -6,73 V 0,75% Tensão VCE 7,38 V 7,26 V 1,63% Fig. 7. Simulação da Figura 3 usando o Software Proteus afim de obter os valores teóricos. 3.1.5 Polarização de uma fonte de corrente Quadro 8 – Resultados teóricos e experimentais da polarização de uma fonte de corrente GRANDEZA TEÓRICO PRÁTICO ERRO Corrente IE 1,395 mA 1,11 mA 20,43% Tensão VBE 0,67 V 0,627 V 6,42% Fig. 8. Simulação do espelho de corrente. 3.2.1 Amplificador de emissor comum A figura abaixo é a simulação da Figura 5 do circuito amplificador com o capacitor no emissor. Fig. 9. Simulação do circuito amplificador com emissor comum da Figura 5. Fig. 10. Formato de onda senoidal do sinal de entrada (Azul) com o sinal de saída senoidal (Amarelo) da simulação da Fig. 9. Abaixo estão apresentados no Quadro 9 os resultados obtidos teoricamente e experimentalmente. Quadro 9 – Resultados teóricos e experimentais da TBJ como amplificador de emissor comum. GRANDEZA TEÓRICO PRÁTICO ERRO Tensão de entrada (Vi) 20 mV 20,7 mV 3,50% Tensão de saída (Vo) -1,78 V -1,92 V 7,86% Ganho de tensão (AV) 89 V/V 92,7 V/V 4,16% Os resultados obtidos tiveram erros baixos quando comparados os valores teóricos com os práticos, verificando então a teoria de amplificadores de emissor comum, onde o valor da tensão de saída é não invertido. 3.2.2. Amplificador de emissor comum sem capacitor no emissor Já a figura abaixo é a simulação da Figura 5 do circuito amplificador sem capacitor no emissor. Fig. 11. Simulação do circuito amplificador com emissor comum da Figura 5 sem capacitor no emissor. Fig. 12. Formato de onda senoidal do sinal de entrada (Azul) com o sinal de saída senoidal (Amarelo) da simulação da Fig. 11. Quadro 10 – Resultados teóricos e experimentais da TBJ como amplificador de emissor comum se capacitor no emissor. GRANDEZA TEÓRICO PRÁTICO ERRO Tensão de entrada (Vi) 20 mV 20,7 mV 3,50% Tensão de saída (Vo) -24,28 mV -26,45 mV 8,94% Ganho de tensão (AV) 1,21 V/V 1,27 V/V 4,96% Observamos que ao ser retirado o capacitor CE do circuito da Figura 5, o ganho cai e fica próximo do 1V/V, transformando então o circuito amplificador de configuração emissor comum e resistência na fonte. 3.2.3 Amplificador de base comum Fig. 13. Simulação da Questão 4.33 do livro texto. Fig. 14. Resultado do formato de onda da entrada do sinal Vi (Amarelo) e a onda da saída Vo (Vermelho). GRANDEZA TEÓRICO SIMULADO Ganho de tensão (AV) 0,982 V/V 0,980 V/V 2.2.4. Amplificador seguidor de emissor Fig. 15. Circuito simulado do amplificador com configuração de seguidor de emissor Fig. 16. Resultado do formato de onda da entrada do sinal Vi (Vermelho) e a onda da saída Vo (Amarelo). GRANDEZA TEÓRICO SIMULADO Ganho de tensão (AV) RL = 1kΩ 0,902 V/V 0,900 V/V Ganho de tensão (AV) RL → ∞ 0,995 V/V 1 V/V IV CONCLUSÃO Os resultados apresentados ao longo desse relatório, obtiveram resultados satisfatórios com erros baixos quando foram comparados entre os valores simulados e os experimentados. O motivo do erro perseguir em todos as práticas, é devido a não idealidade do transistor TBJ e outro motivo o beta ser diferente de 100, sendo que nas simulações o default do beta era de 100. Outro motivo que devemos levar em consideração é a perturbação no circuito causada pelos equipamentos de medidas, pois como estávamos mexendo com baixos valores de corrente e tensão, uma impedância extra no circuito já era suficiente para a perturbação e inexatidão dos resultados. Apesar disso, a teoria foi validada e os testes feitos na bancada podem ser muito bem aplicados. V REFERÊNCIAS [1] SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth Carless. Microeletrônica. 4. ed. São Paulo, SP: Makron, 2000. xx,1270 p. [2] BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 3. ed. Rio de Janeiro, RJ: Prentice-Hall, 1984-1986. 700 p.
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