Avaliação Parcial Materiais Elétricos

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1a Questão (Ref.:201502569618) Acerto: 1,0 / 1,0 
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-
6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento 
de 0,5 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2. 
 
 
3,33 ohms 
 1,11 ohms 
 
4,44 ohms 
 
0,99 ohms 
 
2,22 ohms 
 
 
 
2a Questão (Ref.:201503065941) Acerto: 1,0 / 1,0 
As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para 
siderúrgicas, ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. Um resistor 
com coeficiente de variação de temperatura positivo de 4.10-3 ºC-1 apresenta o valor de 5KΩ a 
25 C º. Qual sua resistência na temperatura de 75 C º? 
 
 6KΩ 
 
25KΩ 
 
3KΩ 
 
1KΩ 
 
4,25KΩ 
 
 
 
 
 
3a Questão (Ref.:201502630277) Acerto: 1,0 / 1,0 
A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem 
principal é a Matemática. 
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das 
propriedades elétricas dos materiais. 
 
 
Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a 
velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron. 
 Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas 
elétricas em um material. 
 
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou 
extrínseco do tipo-n. 
 
Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função 
da temperatura do material. 
 
Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de 
condução de carga. 
 
 
 
4a Questão (Ref.:201502630272) Acerto: 1,0 / 1,0 
Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo 
manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). 
Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem 
espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas 
partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor 
expressão é dada por: 
 
 
=W.A/l 
 
V=N.i.IpI.h 
 v=E.e 
 
V=R.i 
 
v=s/t 
 
 
 
5a Questão (Ref.:201502478352) Acerto: 1,0 / 1,0 
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas 
hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do 
Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros 
consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. 
Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de 
transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal 
é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a 
resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica 
o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que 
o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-3 oC-1). 
 
 
3,4 Ω 
 4,19 Ω 
 
3,89 Ω 
 
4,35 Ω 
 
6,8 Ω 
 
 
 
 
 
6a Questão (Ref.:201502630694) Acerto: 1,0 / 1,0 
Polarização, como mostra a figura a seguir, é o alinhamento de momentos dipolares atômicos 
ou moleculares, permanentes ou induzidos, com um campo elétrico aplicado externamente. Das 
opções abaixo, indique aquela que não representa um tipo de polarização: 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 
1997, Chapter 19). 
 
 
De orientação. 
 Magnética. 
 
Eletrônica + iônica 
 
Eletrônica. 
 
Iônica. 
 
 
Gabarito Coment. 
 
 
 
7a Questão (Ref.:201503052240) Acerto: 1,0 / 1,0 
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 
280 (Ω.m)^(-1). Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10^20 m^(-3) e que a 
mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09 m^2/V.S e 0,28 
m^2/V.S, a concentração de elétrons é: 
 
 
541,05 x 10^19 m^-3 
 
412,88 x 10^19 m^-3 
 
140,25 x 10^19 m^-3 
 618,57 x 10^19 m^-3 
 
715,78 x 10^19 m^-3 
 
 
Gabarito Coment. 
 
 
 
8a Questão (Ref.:201502630330) Acerto: 1,0 / 1,0 
Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as 
décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e 
Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o 
Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, 
USA, 1997, Chapter 19). 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. 
 
 
 
 
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
 
 
 
9a Questão (Ref.:201502569636) Acerto: 1,0 / 1,0 
Deseja-se construir um capacitor de 1,2 nF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 
0,2 mm. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de 
cada uma das placas a serem utilizadas. 
 
 120 cm2 
 140 cm2 
 160 cm2 
 180 cm2 
 100 cm2 
 
 
 
10a Questão (Ref.:201503196811) Acerto: 1,0 / 1,0 
Alguns materiais apresentam uma grande resistência ao trânsito de elétrons, sendo 
denominados de isolantes. Estes materiais encontram grande aplicação, quando desejamos 
isolar o operador de máquinas que apresentam força eletromotriz do perigo de choques 
elétricos. 
Entre os materiais a seguir relacionados, qual o que MELHOR poderia ser utilizado como 
isolante, considerando aspectos elétricos. 
Material Condutividade (Ohm.m-1) 
Alumina 5,5 x 10-13 
Concreto 6,7 x 10-9 
Porcelana 7,5 x 10-10 
Sílica fundida 9,0 x 10-18 
Poliestireno 8,4 x 10-14 
 
 
 Sílica fundida 
 
Porcelana 
 
Concreto 
 
Poliestireno 
 
Alumina