Lista 1 Transistor

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1 TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNC¸A˜O - TBJ
1. No circuito da Figura 1 esta´ representado o diagrama de funcionamento de dois
sensores que acionam LEDs indicadores de falha. Analise o circuito e indique em que
condic¸o˜es os LEDs sa˜o acionados. Observe as caixas em destaque e tente entender
o funcionamento delas.
Figura 1
2. No circuito da Figura 2, IBsat = 20 βForcado = 40. Determine RC , RE e RB.
Figura 2
3. Para o circuito da Figura 3 determine: IC , RC , RB e VCE.
Figura 3
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4. No circuito da Figura 4 determine: IBQ, ICQ, VCEQ , VC , VB e VE.
Figura 4
5. Calcule as tenso˜es e correntes de polarizac¸a˜o DC do circuito da Figura 5.
Figura 5
6. Projete o circuito de polarizac¸a˜o da Figura 6 (calculeRB eRC) sabendo que β = 290,
IC = 2 mA, VCE = 10 V
Figura 6
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7. Determine os valores de RB1, RB2, RC e RE na Figura 7 para o ponto de operac¸a˜o
ICQ = 10 mA, VCEQ = 7 V sabendo que β = 290 e VCC = 20 V .
Figura 7
8. Para o circuito da Figura 8:
(a) VC aumenta ou diminui quando RB aumenta?
(b) IC aumenta ou diminui quando β e´ reduzido?
(c) O que acontece com a corrente de saturac¸a˜o quando β aumenta?
(d) A corrente do coletor aumenta ou diminui quando VCC e´ reduzida?
(e) O que acontece com VCE se o transistor e´ substitu´ıdo por outro com β menor?
Figura 8
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9. Determine VC , IC e VCE para o circuito da Figura 9.
Figura 9
10. Determine VC e IB para o circuito da Figura 10.
Figura 10
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2 TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO - FET
E MOSFET
11. Explique o fenoˆmeno do ”pinch-off”num J-FET.
12. Determine o ponto de polarizac¸a˜o (ID, VDS) do circuito a JFET canal N (BF545C)
da Figura 11, sabendo que IDSS = 20 mA e que VP = −5 V .
Figura 11
13. Dimensione os resistores do circuito da Figura 12 para que o JFET canal P opere
na regia˜o de saturac¸a˜o com VDS = −7 V e ID = 2, 5 mA. Sabe-se que VP = 5 V e
IDSS = 10 mA. Fac¸a RS maior ou igual a
RD
2
e RG1//RG2 maior ou igual a 200 KΩ.
Figura 12
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14. Dimensione os resistores do circuito da Figura 13 para que o JFET canal N opere
na regia˜o de saturac¸a˜o com VDS = 7 V e ID = 2, 5 mA. Sabe-se que VP = −4 V e
IDSS = 10 mA. Fac¸a RS < 0, 8RD e RG1//RG2 ≥ 500 KΩ.
Figura 13
15. Para um MOSFET canal N, que possui Vt = 2 V , esta´ com o terminal de fonte
aterrado e 3 V no terminal de porta. Em qual regia˜o de operac¸a˜o o dispositivo se
encontra para as situac¸o˜es seguintes:
(a) VD = 0, 5 V
(b) VD = 1 V
(c) VD = 5 V
16. Para um transistor NMOS tipo deplec¸a˜o com Vt = −2 V e k = 2 mAV 2 , encontre o
valor mı´nimo de VDS necessa´rio para operar na regia˜o de saturac¸a˜o quando VGS =
+1 V . Qual o valor correspondente de ID?
17. Calcule o valor de RD e RS da Figura 14 de modo que o transistor NMOS opere
com ID = 0, 4 mA e VD = +1 V . Considere Vt = 2 V , k = 800
µA
V 2
.
Figura 14
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18. Projete o circuito da Figura 15 para que o MOSFET canal N, tipo deplec¸a˜o, opere
na regia˜o triodo e para que Vo =
VCC
2
. Depois de projetado o circuito, prove que o
MOSFET esta´ na regia˜o triodo. Dados: IDSS = 3 mA, Vt = −3 V , VGS = 3 V e
k = 0, 2 mA
V 2
.
Figura 15
19. O transistor PMOS no circuito da Figura 16 tem Vt = −0, 7 V , µPCox = 60 mAV 2 e
L = 0, 8µm. Encontre os valores necessa´rios de W e R a fim de estabelecer uma
corrente de dreno de 115 µA e uma tensa˜o VD = 3, 5 V .
Figura 16
20. Projete o circuito da Figura 17 para obter uma corrente de dreno (ID) de 0,4 mA.
Deˆ o valor necessa´rio para RD e calcule o valor de VD. Suponha que o NMOS tenha
Vt = 0, 5 V e k = 600
µA
V 2
Figura 17
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21. Considere o circuito da Figura 18, que foi projetado no exerc´ıcio 20. Suponha agora
que a tensa˜o VDD seja aplicada a` porta de outro transistor Q2 atrave´s de RD2 e que
kQ2 = kQ1. Calcule a corrente de dreno e a tensa˜o de dreno de Q2.
Figura 18
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