ED 9 SEMESTRE 662X ELETRÔNICA INDUSTRIAL I ENGENHARIA ELÉTRICA UNIP

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ED 9º SEMESTRE UNIP – ENGENHARIA ELÉTRICA
Q ue stão 1 – A lternat iva A 
QUESTÃO 1 – ALTERNATIVA A 
T= 125/24 = 5,2 segundos. O pulso deve durar 2,6 segundos, e a parte referente sem o pulso deve durar 2,6 segundos, gerando assim uma tensão de 24V para alimentar corretamente a carga. 
QUESTÃO 2 – ALTERNATIVA D 
A tensão de pico ou máxima é dada por VM= Vef*V2; Então: VM= 127*V2; VM= 179,6 Volts.
QUESTÃO 3 – ALTERNATIVA D 
A equação que representa o gráfico da função: Convertendo HZ para radianos: 1HZ = 2p rad/s 60HZ = X ; Então X = 376,99 rad/s. Sabendo que VM = 127*V3, dando como resultado VM= 179,6, então concluímos que a resposta correta é letra D. 
QUESTÃO 4 – ALTERNATIVA A 
As fases devem possuir 120 graus de defasagem entre elas. Sendo: V20(wt) = VM*sen(wt 4p/3) e V10(wt) = VM*sen(wt 2p/3), devido o ângulo de defasagem que é 120 graus. Assim, a resultante entre elas é a tensão de linha, que é dada por: V12 = 1,73* VM*sen(2p/3 + p/6), defasada 30 graus a frente de V10.
QUESTÃO 5 – ALTERNATIVA D 
As fases devem possuir 120 graus de defasagem entre elas. Sendo: V30(wt) = VM*sen(wt 4p/3). Então: V10(wt) = VM*sen(wt), devido o ângulo de defasagem que é 120 graus. Assim, a resultante entre elas é a tensão de linha, que é dada por: V12 = 1,73* VM*sen(wt + p/6), defasada 30 graus a frente de V10.
QUESTÃO 6 – ALTERNATICA C 
Sendo a tensão de fase V20, a forma de onda que representa a tensão de linha V12 será uma forma de onda de 90 graus atrasada de T, e 30 graus a frente de S, que é a tensão de fase V10, sendo assim, a forma de onda de V12 será a representada pela letra C. 
QUESTÃO 7 – ALTERNATIVA E 
T sendo a tensão de fase V20, a forma de onda que representa a tensão de linha V12 será uma forma de onda de 90 graus atrasada de T, e 30 graus a frente de S, que é a tensão de fase V10, sendo assim, a forma de onda de V12 será a representada pela letra E. 
QUESTÃO 8 – ALTERNATIVA A 
Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potencia á elevada impedância de entrada dos MOSFET’S, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potencia de uso industrial e ate mesmo em eletrônica de consumo e embarcada, porém, não pode ser considerada a base da eletrônica industrial, pois existem faixas de potencia que é necessário à utilização de outros componentes como Tiristores de maior potencia, SCRs e etc.... 
QUESTÃO 9 – ALTERNATICA C 
Rja = Rjb + Rbd*Rja = 1,8 + 2,0* Rja = 3,8 °C/W ; Tvj = Ta + P*Rja 125 = 40 + P*3,8*85 = P*3.8P = 22,36W
QUESTÃO 10 – ALTERNATIVA D 
Ief = ILef* FF* FS Ief = 30* pi/2 * 1,5 Ief = 70, 68 A .
QUESTÃO 11 – ALTERNATICA C 
VCC = VP/ p VCC = 220/ p VCC = 70V IL = VCC/RL = 70/10 = 7A IL , deve ser igual à ID, neste caso, o diodo está dimensionado de maneira errada, pois a corrente média nos mesmos deveriam ser de 7A.
QUESTÃO 12 – ALTERNATIVA D 
Vm = 0,827* (220* V2^2) Vm = 257,30V IL = 257,30/10 = 25,73A
ID = IL/3 = 25,73/3 = 8,58A Ief = IL/ V3^2 Ief = 15,06A. 
QUESTÃO 13 – ALTERNATIVA C 
VM = (440*V3^2)/3 VM = 762,1/3 VM = 254,59V
X*IL = VM* sen(pi/6)* [1 cos(a+y)]
1,5*60 = 254,59* 0,5* [1 cos(y)]
90 = 127,21 * [1 cos(y)]
0,707 = cos(y) , então : cos(y) = 0,7Y = 45° 
QUESTÃO 14 – ALTERNATIVA C 
VM = 3* 220/pi VM = 660/pi VM = 210,08V. 
QUESTÃO 15 – ALTERNATIVA D 
Ief = IlEF* FF * FS Ief = 30* pi/2 * 1,5 Ief = 70,68A.