lista transistores resolvidos

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Lista de exercícios resolvida – Eletrônica I 
Circuitos com transistores 
 
1) Determinar RC, RE e RB para a polarização do transistor de Si, abaixo: 
Dados: VCC = 20 V 
VCE = 3 V 
RC 
RB 
 
 
Malha 
I 
 
 
 
 
VCC 
β = 100 
IB = 40 µA 
RC = 4 x RE 
 
 
RE 
 
 
 
Equações da Malha I 
VCC = RC . IC + VCE + RE . IE 
Resp: RE = 850 Ω 
RC = 3,4 kΩ 
RB = 397,5 kΩ 
IC = β . IB = 100 . 40.10−6 = 4000 . 10−6 = 4.103 . 10−6 
IC = 4.10−3 A = 4 mA 
 
para β ≥ 100 temos que IE ≅ IC ≅ 4 mA 
 
VCC = RC . IC + VCE + RE . IE 
 
RC = 4 x RE 
IE ≅ IC ≅ 4 mA 
VCC = 4.Re . IC + VCE + RE . IC = 4.Re . IC + RE . IC + VCE 
 
VCC = Re . IC .(4+ 1)VCE 
 
VCC = 5.Re . IC + VCE 
 
RE = VCC − VCE = 20 – 3 = 17 ⇒ 
5.IC 5 . 4.10−3 20.10−3 
RE = 850 Ω 
 
como RC = 4 . RE, temos: RC = 4 . 850 = 3400 ⇒ 
 
Equações da Malha Externa 
RC = 3,4 kΩ 
VCC = VRB + VBE + VRE = RB . IB + VBE + RE . IE → VCC – VBE – RE . IE = RB 
IB 
RB = 20 – 0,7 – 850 . 4.10−3 = 20 – 0,7 – 3,4 = 15,9 . 105 ⇒ RB = 3,975 . 105 
40.10−6 4.10−5 4 
 
⇒ RB = 397,5 kΩ 
 
 
2) Determinar RB e RE para a polarização do transistor de Si, e ainda as potências 
dissipadas em RB e RE, para o circuito abaixo: 
Dados: VCC = 12 V 
 
Malha 
RB II 
 
Malha 
I 
 
 
 
 
 
RE 
 
 
 
 
 
VCC 
VCE = 7 V 
β ≥ 100 
IB = 100 µA 
 
Resp: RE = 500 Ω 
RB = 63 kΩ 
PDRE = 50 mW 
PDRB = 0,63 mW 
B
− Cálculo de IC 
IC = β . IB = 100 . 100.10−6 = 10−2 A ⇒ IC = 10 mA 
 
− Cálculo de RE 
da malha I temos: VRE = VCC – VCE ⇒ RE . IE = VCC − VCE 
como β ≥ 100 → IE ≅ IC ⇒ IE = 10 mA 
logo: RE = VCC – VCE = 12 – 7 = 5 . 103 ⇒ 
IE 2.10−3 10 
 
− Cálculo de RB 
 
da malha II temos: 
VRB = VCE – VBE = 7 – 0,7 ⇒ VRB = 6,3 V 
 
sendo VRB = RB . IB ⇒ RB = VRB = 6,3 ⇒ 
IB 100.10−6 
 
− Cálculo da potência dissipada em RE 
RE = 500 Ω 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
RB = 63 kΩ 
PDRE = RE . IE2 = 500 . (10.10−3)2 ⇒ 
 
PDRE 
 
= 50 mW 
 
− Cálculo da potência dissipada em RB 
PDRB = RB. I 2 = 63.103 
 
. (100.10 
−6)2 ⇒ 
 
PDRB = 0,63 mW 
 
3) Determinar RC, RE , RB1 e RB2 para a polarização do transistor de Si, para o circuito 
abaixo: 
 
 
 
RB1 
 
 
 
 
 
RB2 
 
 
Malha 
II 
 
 
 
 
 
Malha 
III 
 
 
RC 
 
Malha 
I 
 
 
 
 
RE 
 
 
 
 
 
 
 
VCC 
Dados: PDRC = 25 mW 
PDRE = 5 mW 
IC = 5 mA 
β ≥ 100 
VCE = 6 V 
 
Resp: RC = 1 kΩ RE 
= 200 Ω RB1 
= 20,6 kΩ RB2 
= 3,4 kΩ 
 
− Cálculo de RC 
2 −3 PDRC = RC . IC ⇒ RC = PDRC = 25.10 ⇒ 
(5.10−3)2 
RC = 1 kΩ 
 
− Cálculo de RE 
sendo β ≥ 100 temos IE ≅ IC, logo IE = 5 mA 
PDRE = RE . IE2 ⇒ RE = PDRE = 5.10−3 = 0,2.103 ⇒ 
(5.10−3)2 
 
 
 
 
RE = 200 Ω 
 
− Cálculo de RB2 
 
da malha I temos: VCC = VRC + VCE + VRE = RC . IC + VCE + RE . IE 
VCC = 1.103 . 5.10−3 + 6 + 200 . 5.10−3 ⇒ VCC = 12 V 
Considerando que desejamos um ganho 10 para o circuito usamos o divisor de 
tensão na base para ajustar o ganho. Assim a corrente em RB2 deve ser 10% de Ic. 
IRB2 = 10% IC = 0,1 . IC = 0,1 , 5.10−3 ⇒ I = 0,5 mA 
 
e VBE = 0,7 V, por se tratar de um transistor de Si 
logo da malha III temos: VRB2 = VBE + VRE ⇒ RB2 . IB2 = VBE + RE . IE 
RB2 = VBE + RE . IE = 0,7 + 200 . 5.10−3 = 0,7 + 1 = 3400 Ω ⇒ 
I 0,5.10−3 5. 10−4 
 
− Cálculo de RB1 
RB2 = 3,4 kΩ 
Da malha externa obtemos: VCC = VRB1 + VRB2 ⇒ VRB1 = VCC – VRB2 ⇒ RB1 = VCC – RB2 
I 
RB1 = 12 − 3,4.103 ⇒ 
0,5.10−3 
RB1 = 20,6 kΩ 
 
4) Determinar RC, RE , VCE e VCC para a polarização do transistor de Si, do circuito abaixo: 
Dados: PDRC = 32 mW 
PDRE = 8 mW 
RC 
RB1 
 
 
 
 
 
RB2 
RE 
 
 
 
 
VCC 
β ≥ 100 
IC = 4 mA 
PCmáx = VCE x IC = 20 mW 
 
Resp: RC = 2 kΩ 
RE = 500 Ω 
VCC = 15 V 
VCE = 5 V 
 
 
 
Potência máxima 
dissipada no Transistor 
 
− Cálculo de RC 
2 −3 PDRC = RC . IC ⇒ RC = PDRC = 32.10 ⇒ 
(4.10−3)2 
RC = 2 kΩ 
 
− Cálculo de RE 
sendo β ≥ 100 temos IE ≅ IC, logo IE = 4 mA 
PDRE = RE . IE2 ⇒ RE = PDRE = 8.10−3 = 0,5.103 ⇒ 
(4.10−3)2 
 
 
 
 
RE = 500 Ω 
 
− Cálculo de VCE 
PCmáx = VCE . IC → VCE = PCmáx = 20.10−3 ⇒ 
4.10−3 
 
 
VCE = 5 V 
 
− Cálculo de VCC 
 
da malha I temos: VCC = VRC + VCE + VRE = RC . IC + VCE + RE . IE 
VCC = 2.103 . 4.10−3 + 5 + 500 . 4.10−3 ⇒ 
 
VCC 
 
= 15 V 
5) Determinar RC, RE e RB para a polarização do transistor de Si, abaixo: 
Dados: VCC = 18 V 
 
RC 
 
 
RB Malha 
I 
 
 
 
 
 
RE 
 
 
 
 
 
 
 
VCC 
VCE = 9 V 
β = 75 
IB = 25 µA 
 
 
 
Resp: RE = RC = 2,66 kΩ 
RB = 332 kΩ 
 
 
− Cálculo de RB 
do transistor temos: VCB = VCE – VBE = 9 – 0,7 ⇒ VCB = 8,3 V 
VRB = VCB → RB . IB = VCB → RB = VCB = 8,3 ⇒ 
IB 25.10−6 
RB = 332 kΩ 
 
− Cálculo de RC 
β = IC → IC = β . IB = 75 . 25.10−6 ⇒ IC = 1,875 
mA IB 
 
da malha I temos: VCC = VRC + VCE + VRE 
e considerando IE ≅ IC, teremos que VRC ≅ VRE, isto porque a corrente de coletor é: 
IC + IB e a corrente de emissor também é IC + IB, logo: 
 
VCC = VCE + 2 . VRC ⇒ VRC = VCC – VCE = 19 – 9 ⇒ VRC = 5 V 
2 2 
 
VRC = RC . IC → RC = VRC = 5 ⇒ 
IC 1,875.10−3 
RC = 2,66 kΩ 
 
portanto: RE = 2,66 kΩ 
 
6) Determinar RC e RB para a polarização do transistor de Si, e ainda as potências dissi- 
padas em RB e RE, para o circuito abaixo: 
Dados: VCC = 10 V 
VCE = 6,25 V 
RC 
 
 
RB 
Malha 
I 
 
 
 
 
 
 
VCC 
β = 50 
IB = 25 µA 
 
 
Resp: RB = 222 kΩ 
RC = 3 kΩ 
 
 
 
− Cálculo de RB 
do transistor temos: VCB = VCE – VBE = 6,25 – 0,7 ⇒ VCB = 5,55 V 
VRB = VCB → RB . IB = VCB → RB = VCB = 5,55 ⇒ 
IB 25.10−6 
RB = 222 kΩ 
− Cálculo de RC 
β = IC → IC = β . IB = 50 . 25.10−6 ⇒ IC = 1,25 
mA IB 
 
da malha I temos: VCC = VRC + VCE 
e considerando IE ≅ IC, teremos: 
VCC = VCE + VRC ⇒ VRC = VCC – VCE = 10 – 6,25 ⇒ VRC = 3,75 V 
 
VRC = RC . IC → RC = VRC = 3,75 ⇒ 
IC 1,25.10−3 
RC = 3 kΩ