Avaliação de Eletricidade Básica

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Avaliação Parcial: V.1 
	Aluno(a): PASSEI DIRETO
	Matrícula: 
	Acertos: 10,0 de 10,0
	Data: 12/05/2018 11:36:05 (Finalizada)
	
1a Questão (Ref.:201601445012)
Acerto: 1,0  / 1,0
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
0,25 cm2
0,23 cm2
0,21 cm2
 
0,27 cm2
0,19 cm2
Gabarito Coment.
2a Questão (Ref.:201601505639)
Acerto: 1,0  / 1,0
Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3)
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
V=N.i.E
V=R i.A/l
P=U.i
F=m.a
 
V=R.i
3a Questão (Ref.:201601505658)
Acerto: 1,0  / 1,0
Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente elétrico.  Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os elétrons sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve este fenômeno é:
Resistência elétrica.
Supercondutividade elétrica.
 
Mobilidade elétrica.
Condutividade elétrica.
Resistividade elétrica.
4a Questão (Ref.:201601445008)
Acerto: 1,0  / 1,0
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
1,11 x 10-6 Ω.cm
0,99 x 10-6 Ω.cm
1,22x 10-6 Ω.cm
 
1,44 x 10-6 Ω.cm
1,88x 10-6 Ω.cm
Gabarito Coment.
5a Questão (Ref.:201601505668)
Acerto: 1,0  / 1,0
Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para:
σ = N ІeІ (µe + µh).
σ = N ІeІ µh.
σ = 2 P ІeІ µh
A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.
 
σ = P ІeІ µh.
Gabarito Coment.
6a Questão (Ref.:201602072179)
Acerto: 1,0  / 1,0
A "Bell Telephone Laboratories" passou a década de 1940 tentando criar dispositivos eletrônicos comutadores que fossem mais eficientes e baratos que as válvulas utilizadas. Finalmente, em 1947, dois de seus pesquisadores, Walter H. Brittain e John Bardeen tiveram sucesso na criação de um dispositivo amplificador a partir de uma placa de silício imersa em solução salina; iniciava-se a era dos semicondutores. A modelagem física referente a estes materiais se desenvolveu bastante nos anos seguintes, originando conceitos como condutividade intrínseca, cuja expressão podemos descrever como   p | e | b n | e | e.
Com relação aos termos presentes na expressão anterior, podemos identificá-los como nos itens a seguir, com EXCEÇÂO de.
 
n - número de átomos por metro cúbico.
e - mobilidade dos elétrons.
b - mobilidade do buraco.
| e |- módulo da carga dos elétrons.
p - número de buracos por metro cúbico.
7a Questão (Ref.:201601927627)
Acerto: 1,0  / 1,0
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)^(-1). Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10^20 m^(-3) e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09 m^2/V.S e 0,28 m^2/V.S, a concentração de elétrons é:
541,05 x 10^19 m^-3
715,78 x 10^19 m^-3
 
618,57 x 10^19 m^-3
140,25 x 10^19 m^-3
412,88 x 10^19 m^-3
Gabarito Coment.
8a Questão (Ref.:201601505721)
Acerto: 1,0  / 1,0
A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Lei de Ohm.
Efeito Fischer.
 
Efeito Hall.
Efeito Joule.
Efeito Tcherenkov.
9a Questão (Ref.:201601505722)
Acerto: 1,0  / 1,0
A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão =R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção reta do condutor no formato cilíndrico) e nem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
 
À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC, pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
Gabarito Coment.
10a Questão (Ref.:201601431992)
Acerto: 1,0  / 1,0
O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada?
 
 
Trigonométrica
Exponencial
 
Quadrática
 
Linear
Logarítmica