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MANUAL PRÁTICO DE TESTE PARA COMPONENTES SEMICONDUTORES

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1 
 
 
‘ 
Rodrigo Rosário dos Santos 
 
MANUAL 
PRÁTICO DE 
TESTE PARA 
COMPONENTES 
SEMICONDUTORES 
 
 
 
Salvador, 10 de Julho de 2011 
2 
 
 
‘ 
Índice 
 
Teste de DIODOS ------------------------------------------------------------------------- Pg. 3 
Teste de TJB (Transistor de Junção Bipolar) --------------------------------------- Pg. 5 
Teste de UJT (Transistor de Unijunção) --------------------------------------------- Pg. 8 
Teste de SCR (Retificador Controlado de Silício) --------------------------------- Pg. 9 
Teste do DIAC ------------------------------------------------------------------------- Pg. 12 
Teste do TRIAC ----------------------------------------------------------------------- Pg. 13 
Teste do PUT (Transistor de Unijunção Programável) --------------------------- Pg. 14 
Teste do JFET (Transistor de Efeito de Campo) ------------------------------------ Pg.15 
Bibliografia-------------------------------------------------------------------------------- Pg. 16 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3 
 
 
‘ 
 
 TESTE DE DIODOS 
 
Teste com multímetro analógico: 
 
 
Calibre 
 
Resistência (x 10KΩ) 
OBS: Deve ser levada em consideração a polaridade da 
bateria interna do instrumento, que é contrária à 
marcação da polaridade externa. Ou seja, o positivo na 
marcação externa é negativo internamente e vice-versa. 
 
Comportamento 
Polarização direta: 
 
 
Resistência baixa e o positivo da bateria do multímetro 
está ligado ao anodo do diodo, e o negativo da bateria 
está ligado ao catodo do diodo. 
 
Polarização reversa: 
Resistência infinita. 
 
 
 
Defeitos 
 
Diodo em Curto: 
Apresenta duas resistências baixas (aprox. zero) nos dois 
sentidos de polarização. 
 
Diodo aberto: 
Apresenta resistência infinita nos dois sentidos de polarização. 
 
Diodo com fuga: 
Apresenta resistência alta, mas não infinita quando 
polarizado reversamente. Na polarização direta 
comporta-se como um diodo perfeito. 
 
 
4 
 
 
‘ 
 Teste com multímetro digital: 
 
Calibre 
 
 
 (Diodo) 
OBS: A polaridade da bateria 
interna é igual a da marcação 
externa do instrumento 
Comportamento 
 
 
 
Polarização direta: 
Tensão baixa (450mv a 700mv). O 
positivo do multímetro está ligado 
ao anodo e o negativo ao catodo. 
 
Polarização reversa: 
Tensão infinita. Indicada no 
multímetro com o número 1 ou 
com a sigla OL do lado esquerdo 
do visor. 
Defeitos 
 
 
 
 
Diodo em curto: 
Apresenta tensões baixas (aprox. 
zero) nos dois sentidos de 
polarização. 
 
Diodo aberto: 
Apresenta tensão infinita nos dois 
sentidos de polarização. 
 
Diodo com fuga: 
Apresenta tensão direta abaixo de 
450mv. 
 
De agora em diante é útil sabermos que para medirmos JUNÇÕES no 
multímetro digital, o calibre apropriado é o de DIODO ( ). 
 
 
 
 
5 
 
 
‘ 
TESTE DE TJB (Transistor de Junção Bipolar) 
 
 
 
 
Procedimentos: As medições devem ser feitas com o calibre de DIODO 
do multímetro 
1º Identificação da base: Devemos encontrar um par de terminais em que, 
medindo a resistência num e noutro sentido, esta seja muito elevada. Estamos 
em presença do Emissor e do Coletor (entre C e E diodos em oposição R  ). 
Por exclusão de partes, o outro terminal é a base. 
Outra forma mais prática de identificar a base está explicada abaixo: 
 
 
 
 
 
 
 
Nos três casos acima foi considerado que o TJB é NPN, por isso, a ponteira 
positiva foi tomada como referência para encontrarmos a base. 
No 1º Caso, temos a ponteira positiva posicionada no primeiro terminal 
do TJB. Devemos alternar a ponteira negativa nos outros dois terminais 
(um de cada vez). Se o multímetro indicar resistência baixa (condução) nas 
duas vezes que trocarmos a ponteira preta, isso indica que a base é o 
primeiro terminal. 
No 2º Caso, analogamente ao 1º, mantemos a ponteira vermelha (positiva) 
no terminal do meio do TJB e revezamos a ponteira preta (negativa) do 
multímetro nos outros dois terminais. Se o multímetro indicar resistência 
baixa, nas duas vezes, a base é o terminal do meio. 
NPN 
E 
B 
C E 
B 
C 
PNP 
6 
 
 
‘ 
No 3º Caso, da mesma forma, mantemos a ponteira vermelha (positiva) no 
ultimo terminal do TJB e alternamos a ponteira preta (negativa) nos 
outros dois terminais que sobraram, um de cada vez. Se o multímetro 
indicar resistência baixa nas duas vezes que trocamos, a base é o ultimo 
terminal. 
Observe que a base só permite a condução para os outros dois terminais 
quando está com a ponteira positiva posicionada em seu terminal. Isso 
indica, como foi dito no inicio, que o TJB é NPN, pois a base foi polarizada 
DIRETAMENTE. No caso do TJB ser PNP o teste é análogo ao realizado, 
a diferença é que o terminal que polarizará a base diretamente é a negativa 
(preta). Repita o procedimento para um TJB PNP tomando como referência 
a ponteira NEGATIVA (preta) e verá que ela deve ser comum às duas 
conduções. 
IDENTIFICAÇÃO DO COLETOR E EMISSOR 
Digamos que no procedimento acima, o único caso que houve condução 
nas duas vezes que trocamos a ponteira preta foi o 2º, logo, a base é o 
terminal do meio, conforme a figura ao lado: 
 
A pergunta que cabe agora é: Como saber quem é COLETOR E 
EMISSOR? 
 Esta é uma tarefa bem simples. Fazemos o seguinte: medimos a resistência entre o 
terminal de Base (já conhecido) e dos outros dois terminais (no transistor NPN - 
positivo na Base, no PNP - negativo na Base). A resistência entre a Base e o Coletor é 
menor que a resistência entre a Base e o Emissor. Vamos verificar as medidas dos 
dois casos mencionados do nosso TJB: 
Na primeira medição, encontramos 715 e na segunda 
717. Concluímos, portanto, que o último terminal é o 
EMISSOR, pois, a resistência foi maior. Logo, o primeiro 
terminal é o coletor. Lembre-se: Sempre, a resistência 
BASE-EMISSOR é maior do que a resistência BASE-
COLETOR. As indicações do nosso TJB ficarão: 
 
 
 
7 
 
 
‘ 
É importante ressaltar que há casos nos quais encontraremos duas resistências 
iguais na identificação do COLETOR E EMISSOR. Quando isso acontecer temos 
que medir o teste de fuga com o multímetro analógico (no Calibre de Resistência 
x1K ou x10K). 
Teste do TJB com multímetro analógico 
Equivalente a DIODO: 
 
 
 
Deve-se lembrar que a marcação externa dos terminais do multímetro 
analógico é contrária à polaridade interna da bateria. Logo, a ponteira 
vermelha na figura deve ser interpretada como NEGATIVA e a preta 
com POSITIVA. Deve-se utilizar o multímetro como ohmimetro 
(resistência) no calibre x1K ou x10K. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8 
 
 
‘ 
Verificação de defeitos em TJB 
Após identificarmos os terminais de um TJB torna-se muito útil 
sabermos se o componente está em perfeito estado para que 
possamos utilizá-lo com segurança. Com ele FORA DO 
CIRCUITO devem-se realizar os seguintes procedimentos: 
 
Coloque o multímetro analógico na escala mais baixa de 
resistência ou o digital no calibre de DIODO, mas com o analógico 
o teste de torna de mais fácil visualização. 
Faça o ajuste de zero do instrumento e faça as seguintes medições 
de resistência: RBE, RBC,RCE 
 
JUNÇÃO DIRETA REVERSA CONDIÇÃO 
COLETOR-EMISSOR RESISTÊNCIA ALTA RESISTÊNCIA ALTA BOM 
COLETOR-EMISSOR BAIXA BAIXA CURTO 
COLETOR-BASE BAIXA ALTA BOM 
COLETOR-BASEBAIXA BAIXA CURTO 
COLETOR-BASE ALTA ALTA ABERTO 
BASE-EMISSOR BAIXA ALTA BOM 
BASE-EMISSOR BAIXA BAIXA CURTO 
BASE-EMISSOR ALTA ALTA ABERTO 
As resistências altas devem ser superiores a 1M e as baixas inferiores a 500 
 
 
TESTE DE UJT (Transistor de Unijunção) 
 
Estrutura interna: 
 
 
 
Para efetuarmos o teste prático de identificações dos terminais do UJT 
devemos posicionar o multímetro digital no calibre de DIODO ( ). 
Emissor (E) Base1 (B1) Base2 (B2) Leitura 
+ - RB1 
- + Aberto (∞) 
+ - RB2 
- + Aberto (∞) 
 + - RBB 
 - + RBB 
9 
 
 
‘ 
Por causa da disposição dos terminais na estrutura interna do UJT, a 
resistência RB1 é maior do que RB2. A resistência inter-bases (RBB) fica 
em torno de 4KΩ a 10KΩ. Na prática ao depararmos com um UJT não 
sabemos quem são os terminais B1, B2 e Emissor. Logo, tomando como 
base a tabela acima faremos o teste abaixo: 
Ao encontrarmos dois terminais, nos quais, trocadas as 
ponteiras encontremos o mesmo valor de resistência (RBB 
que na figura ao lado foi 8KΩ), estaremos entre B1 e B2 . 
Por exclusão, o terminal que sobrou é o Emissor. Para 
sabermos que são B1 e B2, colocamos a ponteira positiva 
no Emissor (no caso do UJT ser do tipo N- pastilha do 
emissor – P – ) e medimos as resistências entre os outros 
dois terminais que sobraram. O par que apresentar MAIOR 
resistência será EMISSOR-B1. Logo, por exclusão, o outro 
. terminal é B2. 
 
 
TESTE DE SCR (Retificador Controlado de 
Silício) 
 
Estrutura interna e equivalente a DIODO: 
 
 
 
 
A tabela abaixo mostra qual deve ser a condição de cada polarização do SCR com o 
multímetro. Para o SCR normal (ou seja, aquele que não está disparado) só devemos 
encontrar uma resistência baixa, quando a junção GATE-CATODO estiver 
diretamente polarizada (há exceções, como será explicado mais adiante). Logo, 
onde estiver a ponteira positiva será o GATE, e onde estiver a negativa será o 
CATODO; e o ANODO será o terminal que sobrou. 
10 
 
 
‘ 
 
 
 
 
 
 
 
Existem SCRs que possuem resistor interno entre GATE e CATODO para evitar o 
disparo por ruído. Neste caso, o teste prático apresentará duas resistências baixas, pois 
estaremos medindo a resistência interna deste resistor com a junção gate-catodo. A 
resistência equivalente será menor quando o resistor estiver em paralelo com a junção 
gate-catodo diretamente polarizada do que quando esta junção estiver reversamente 
polarizada, portanto, ao encontar uma resistência equivalente menor, estamos com a 
junção gate-catodo diretamente polarizada e onde estiver o + será o gate e onde estiver o 
- será o catodo. 
 
SCR disparado por ruído: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Podem ocorrer casos de encontrarmos duas resistências baixas: uma entre gate e 
catodo quando polarizado diretamente e outra entre anodo e catodo. Neste caso, o 
SCR está disparado por ruído. Concluímos que o catodo é o terminal comum entre as 
duas resistências baixas (onde estiver a ponteira NEGATIVA). 
 Para sabermos quem são GATE e ANODO fazemos o seguinte: fechamos curto 
entre catodo (já descoberto) e outro terminal. Quando o SCR voltar a deixar de dar 
baixa resistência entre catodo e o terminal que sobrou, é sinal que foi feito um curto do 
catodo para o gate, pois evitamos a entrada do ruído no componente e o disparo do 
mesmo. O catodo já é conhecido, o gate é o terminal que foi curto-circuitado com o 
catodo e o anodo é o que passou a dar alta resistência para o catodo. 
 
 
Os testes abaixo se referem ao estado do SCR e deverão ser feitos com o 
multímetro no calibre de DIODO. A medição de resistência com o 
multímetro é mais prática e econômica do que os testes que verificam 
valores de tensões e correntes. 
 
 
GATE ANODO CATODO RESISTÊNCIA 
 + - ALTA 
 - + ALTA 
+ - ALTA 
- + ALTA 
- + ALTA ou BAIXA 
+ - BAIXA 
GATE ANODO CATODO RESISTÊNCIA 
 + - BAIXA 
 - + ALTA 
+ - ALTA 
- + ALTA 
- + ALTA 
+ - BAIXA 
11 
 
 
‘ 
CONEXÃO RESISTÊNCIA CONDIÇÃO 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ALTA BOM 
BAIXA CURTO 
 
 
 
 
 
 
 
BAIXA 
 Neste caso conecta-se 
o gate ao anodo 
disparando o 
componente 
BOM 
ALTA ABERTO 
 
 
 
 
 
 
 
Após conectarmos o GATE 
ao ANODO (disparando o 
SCR) medimos novamente. 
BAIXA 
 
BOM 
Esta situação parece 
ser semelhante à 
primeira, mas perceba 
que neste caso o SCR 
está disparado, pois 
curto-circuitamos o 
GATE e o ANODO 
anteriormente. Logo, a 
resistência deve 
apresentar-se baixa 
indicando que o 
componente está 
disparado 
ALTA 
DUVIDOSO 
A condição do 
componente será 
duvidosa, pois talvez a 
corrente fornecida pela 
bateria do instrumento 
não seja suficiente para 
atingir a corrente de 
manutenção IH. Logo, 
o SCR volta ao estado 
de bloqueio. 
12 
 
 
‘ 
 
 
 
 
 
 
 
 
ALTA BOM 
BAIXA CURTO 
 
 
 
 
 
 
ALTA BOM 
BAIXA CURTO 
 
 
TESTE DO DIAC 
 
Estrutura interna: 
 
 
 
O DIAC só possui dois terminais, MT1 e MT2. Ao medirmos as 
resistências nos dois sentidos de polarização elas devem 
apresentar-se INFINITAS, pois o componente não está disparado 
e a tensão que o instrumento aplica ao DIAC é insuficiente para 
atingir a tensão de BREAKOVER (VBO) e disparar o 
componente. 
Se encontrarmos algum valor de resistência durante o teste é sinal 
de que o DIAC está em CURTO. Para identificarmos os terminais 
13 
 
 
‘ 
MT1 e MT2 do DIAC devemos consultar o manual técnico do 
componente. Mas, ressalto que como o componente é 
BIDIRECIONAL, a inversão dos terminais no circuito não 
provocará alterações no funcionamento do mesmo. 
 
TESTE DO TRIAC 
Estrutura interna: 
 
 
 
 
MT2 MT1 GATE RESISTÊNCIA 
+ - ALTA 
- + ALTA 
+ - ALTA 
- + ALTA 
 + - BAIXA 
 - + BAIXA 
No teste prático só devemos encontrar DUAS resistências baixas, 
que são entre MT1 e GATE nos dois sentidos de polarização. Isso 
ocorre porque internamente esses dois terminais estão ligados à 
mesma pastilha (P). O terminal que sobrou é MT2, inclusive na 
maioria dos casos ele é a carcaça do TRIAC. 
Para diferenciar MT1 do GATE devemos olhar no manual técnico 
do componente, pois na prática não é possível identificá-los. 
 
 
14 
 
 
‘ 
 
TESTE DO PUT (Transistor de Unijunção 
Programável) 
 
Estrutura interna e equivalente a TJB: 
 
 
 
 
O teste do PUT é semelhante ao do SRC, entretanto, no PUT o 
gate é ligado à pastilha N, ao contrário do SCR, que tem o gate 
ligado à pastilha P. Verifica-se na tabela abaixo quais valores de 
resistência devem ser lidos nas variadas formas de polarização 
para o PUT em estado normal: 
GATE ANODO CATODO RESISTÊNCIA 
 + - ALTA 
 - + ALTA 
+ - ALTA 
- + ALTA 
+ - ALTA 
- + BAIXA 
Verifica-se que só devemos encontrar uma resistência baixa no 
teste que é a resistência da junção GATE -ANODO polarizada 
diretamente. O multímetro deve estar no calibre de DIODO 
para efetuarmos os testes acima. 
 
 
 
15 
 
 
‘ 
 
TESTE DO JFET (Transistor de Efeito de Campo) 
 
Estrutura interna do JFET canal N: 
 
 
 
 
 
 
Segue a tabela para teste prático do JFET 
PORTA/GATE (G) FONTE(S) DRENO (D) RESISTÊNCIA 
 - + BAIXA (na ordem de 200Ω) 
 + - BAIXA (na ordem de 200 Ω) 
+ - BAIXA (Para o JFETCANAL N ) 
+ - MESMA DA ANTERIOR 
- + BAIXA (Para o FET CANAL P) 
+ - MESMA DA ANTERIOR 
 
 
 
 
 
 
 
 
16 
 
 
‘ 
Bibliografia: 
 
[1] Andrade, E.A.; “Eletrônica Industrial – Análise de 
Dispositivos e suas aplicações”, 1ª Edição, Editora NOVOTIPO 
,CEFET/BA, Salvador,1996. 
[2] Junior, R.C.; “Apostila – Tiristor SCR”, Edição preliminar, 
Campinas, 2005. 
[3]Apostila prof. Ilton, CEFET/PB 
[4]Site: 
http://www.electronicapt.com/index.php/content/view/168/37/ 
[5] Revista Saber Eletrônica

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