Aula 02 - Diodos Semicondutores

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DIODOS SEMICONDUTORES
ELETRÔNICA ANALÓGICA
Eng.º Ederson Zanchet
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PORTADORES MAJORITÁRIOS
Em um cristal dopado com característica tipo N, o elétron é chamado de
portador majoritário e a lacuna deixada é o portador minoritário.
Em um cristal dopado com característica tipo P, a lacula é conhecida como
portadora majoritária e o elétron com portador minoritário
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PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
Tem o funcionamento baseado na junção de duas camadas de cristal semicondutor com
polaridade diferente tipo n e tipo p;
No ponto de fusão dos materiais forma uma camada conhecida por barreira de potencial
ou também como regiao de deplecção;
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DIODOS – SIMBOLOGIA APLICADA
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DIODOS
EFEITO AVALANCHE:
Com o aumento da tensão reversa sobre o cristal, surje corrente reversa (fuga) que faz
com que os portadores minoritários choquem-se com as ligações do cristal liberando novo
elétron, causando um efeito cascata, ou conhecido como efeito avalanche.
RUPTURA:
Devido efetito avalanche causado pelo aumento da tensão reversa, a ruptura ira ocorrer
quando atingido o limite do material, levando o componente a queima.
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DIODOS – Curva Característica
Figura 1: Curva característica diodo retificador
Fonte: Autor
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DIODOS IDEAL
(1ª APROXIMAÇÃO)
Apresenta características de uma chave: Polarizado diretamento comporta-se com um curto
circuito, não apresentado queda de tensão ou perdas. Polarizado reversamente comporta-se como um
circuito aberto, com impedância tendendo ao infinito.
Figura 2: Curva característica diodo ideal
Fonte: [1]
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DIODOS REAL
2ª APROXIMAÇÃO
Leva-se em conta a queda de tensão provenienta da barreira de potencial a ser vencida pela fonte
de tensão para que o diodo entre em condução.
Figura 3: Curva característica diodo real 2ª Aproximação
Fonte: [1]
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DIODOS REAL
3ª APROXIMAÇÃO
Além da queda de tensão proveniente da barreira de potencial, leva-se em conta o valor da
resistência do corpo do diodo (RB).
Figura 4: Curva característica diodo real 3ª aproximação
Fonte: [1]
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DIODOS – Curva Característica
Fonte: [2]
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DIODOS – RETA DE CARGA
Recuso utilizado para determinar o ponto de operação de um componente com base no
circuito ao qual opera. A reta de carga é um método grafico que permite obtenção do ponto
quiescente.
Figura 5: Curva característica com reta de carga
Fonte: [1]
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DIODOS – RETA DE CARGA
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EXERCÍCIOS
CAPITULO 1 - Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos_Boylestad
Pagina 34
1.5 Materiais Extrinsícos – Tipo p e tipo N
Exercícios: 14;
1.6 Diodo Semicondutor
Exercícios: 20 e 26;
1.7 Níveis de Resistência
Exercícios: 27 e 30;
Página 35
1.11 Tempo de Reestabelecimento Reverso
Exercício: 49;
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REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
[1] MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. Vol. I - 4.ª; Ed. Makron Books: São Paulo, 1995.
[2] BOYLESTAD, R. L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos; Ed. Prentice Hall: São 
Paulo, 2004.
[3] BERTOLI, Roberto Angelo. Eletrônica; UNICAMP, 2000.
[4] BARBI, Ivo, Eletrônica de Pôtencia – 7ª edição, Ed. Do autor: Florianópolis, 2013.
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EDERSON ZANCHET
Mestrando em Engenharia Elétrica e Informática Industrial - UTFPR
Engenheiro de Controle e Automação - FAG
Departamento de Engenharia – FAG
Docente Disciplina de Medidas Eletromecânicas
ederson.zt@gmail.com
ezanchet@fag.edu.br
www.fag.edu/professores/ederson