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UNIVERSIDADE FEDERAL DE MATO GROSSO PRINCIPIO DA CIÊNCIA DOS DISPOSITIVOS E MATERIAIS ELETRICOS SPINTRÔNICA Cuiabá/MT Jul/2014 2 UNIVERSIDADE FEDERAL DE MATO GROSSO PRINCIPIO DA CIÊNCIA DOS DISPOSITIVOS E MATERIAIS ELETRICOS Discentes: Barbara Arantes, Heloisa Souza, Renner Siqueira e Werleson Nery Seminário apresentado como requisito parcial para obtenção de aprovação na disciplina PCMDE, no Curso de Engenharia Elétrica, na Universidade Federal de Mato Grosso. Profº. Eraldo da Silva Pereira Cuiabá/MT Jul/2014 3 SUMÁRIO 1 INTRODUÇÃO..............................................................................4 2 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA .................................................4 3 CONCLUSÃO................................................................................5 4 REFERENCIAS..............................................................................5 4 1- INTRODUÇÃO: . A spintrônica é uma tecnologia recente que combina os avanços tecnológicos desenvolvidos a partir de materiais magnéticos e semicondutores, sendo as funções de novos dispositivos baseados no controle do movimento dos elétrons através do campo magnético externo que atua sobre o spin, possibilitando a utilização das propriedades de spin, eletrônicas e ópticas ao mesmo tempo. A depender de sua orientação magnética, devido à sua natureza quântica, o spin pode assumir duas orientações possíveis com o spin “up” ou “down”. Pretendemos explicar basicamente as propriedades do spin e as interações de troca entre o subsistema eletrônico e elétrons provenientes das camadas parcialmente preenchidas dos íons magnéticos. 2- FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA: Esses componentes spintrônicos podem permitir a construção de circuitos integrados menores, mais rápidos e com menor consumo de energia. Já nos computadores atuais, o processador e a memória ficam separados, unidos por um "barramento", uma via de tráfego de dados, com a spintrônica seria possível a junção das duas funções em um único componente realizando um sonho antigo dos engenheiros. Ela também está presente nas novas memórias de computador, chamadas de memórias RAM (Random Access Memory ). O propósito desta nova memória é armazenar dados que seriam perdidos caso o computador fosse desligado. O usuário então poderia religar o computador e continuar digitando o documento texto específico que ele estava trabalhando. Pesquisadores acreditam que além do armazenamento de dados, a Spintrônica pode ser aplicada aos semicondutores, criação de processadores para computadores quânticos, entre outros. Em poucos anos, graças a ela, poderemos ter computadores que ao serem ligados ficam imediatamente prontos, dispensando todo aquele processo de carregar os programas. A revolução não deverá parar por aí: a nova tecnologia pode se estender também aos processadores, dispensando definitivamente o uso do silício. Chegaremos a um limite físico: Abaixo de determinadas dimensões, hoje calculadas em torno dos 10 nanômetros, os transistores passam a sofrer influência dos efeitos da mecânica quântica, que alteram seu funcionamento. Continuação da miniaturização resulta em: troca de calor, consumo de potência e aumento da corrente de fuga. A chamada spintrônica em metais, que é baseada em materiais ferro-magnéticos e está avançada o suficiente a ponto de encontrarmos dispositivos no mercado como processadores; além da aplicação em metais surgiu, há menos de dez anos, a spintrônica em semicondutores, essa área de estudo é bastante promissora porque os materiais semicondutores são mais flexíveis que os metais. Entre as vantagens está, por exemplo, o controle do número de elétrons em um semicondutor e, inclusive, mudanças na massa de cada um deles ou seja, ser capaz de manipular o elétron, isso na escala de um décimo de nanômetro. 5 O Brasil já possui uma presença significativa de pesquisa sobre o assunto , 5ª Conferência Internacional sobre Física e aplicações de Spin, aconteceu entre 3 e 6 de agosto de 2008, na cidade de Foz do Iguaçu (PR), anteriormente realizada no Japão e na Alemanha. Efeito spintrônico confirmado em moléculas orgânicas O dispositivo experimental construído pelos cientistas consiste em um pequeno "poço" em uma pastilha de silício. Uma camada de apenas uma molécula de espessura, formada por moléculas contendo carbono, hidrogênio e enxofre, foi ensanduichada entre eletrodos de cobalto e níquel, no interior do "poço". A estrutura em forma de "poço" estabilizou e manteve confinadas as moléculas de teste, além de permitir um bom contato molécula-metal. Vantagens esperadas pela spintrônica Aumento da velocidade de processamento de dados; Diminuição da potencia elétrica consumida; Aumento da densidade de integração; Computadores quânticos. “Por volta de 2015, a tecnologia da spintrônica poderá ser a única capaz de fazer dispositivos eletrônicos menores e mais eficientes – por essa época, os materiais semicondutores, como o Silício, terão esgotadas suas capacidades de miniaturização”. (Frase do Depto. de Comércio e Indústria do Reino Unido, DTI Global Watch Magazine, jul/ago-2005) 3- CONCLUSÃO: Spintrônica nos possibilitará continuar evoluindo mesmo quando a miniaturização da eletrônica chegar ao limite; A Spintrônica e um dos ramos mais desafiadores e fascinantes da nanotecnologia! Seu impacto se reflete não só no mundo cientifico, mas também em aplicações industriais - cotidiano. Temos muito o que aprender ! A Natureza não e dividida em Física, Química, Biologia... Novas possibilidades, oportunidades, produtos,.... Enfim, tudo e Ciência ! 4- REFERENCIAS: ITA - http://evfita.ita.br/evfita2008/local_arquivos/Lara%20-%20EVFITA2008.pdf CNPQ - www.cnpq.br/noticias/nano.doc 6 Wikipédia: http://pt.wikipedia.org/wiki/Spintr%C3%B4nica Revista Galileu - http://revistagalileu.globo.com/Galileu/0,6993,ECT490692- 1719,00.html Inovação Tecnológica - http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/meta.php?meta=Spintr%F4nica Universidade Federal do Rio de Janeiro - http://www.if.ufrj.br/~joras/disciplinas/07.1/topicos/tatiana.pdf Scientific American (2002) - http://www.scientificamerican.com/article/spintronics/ Ultrafast Manipulation of Electron Spin Coherence. J. A. Gupta, R. Knobel, N. Samarth and D. D. Awschalom in Science, Vol. 292, pages 2458-2461; June 29, 2001.
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