24 RESUMÃO APOSTILA DE AVIÔNICOS

Prévia do material em texto

AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 1
Circuitos reativos
Resistor
	Resistor: Componente eletrônico que consome energia elétrica, dissipando-a em forma de calor.
	Resistência elétrica: Propriedade do resistor de se opor a circulação da corrente elétrica.
	Relação entre tensão e corrente: Em um resistor a tensão e a corrente estão em fase. 	
Representação fasorial: A relação de fase entre tensão e corrente pode ser expressa por vetores. Em um resistor, o ângulo de fase entre os vetores tensão e corrente tem valor zero.
	
	
	Relação de fase entre tensão e corrente em um resistor
	Representação fasorial da relação de fase
Capacitor
Capacitor: Componente eletrônico que armazena energia através de um campo eletrostático.
Capacitância (C): Propriedade do capacitor de se opor à variação da tensão. A unidade de medida da capacitância é o Farad (F). Quanto maior a capacitância, maior a oposição à variação da tensão.
Reatância capacitiva (XC): É a oposição que o capacitor apresenta a circulação da corrente elétrica alternada. A reatância capacitiva é medida em Ohms (Ω), e calculada pela fórmula:
 XC = ___1____
 2 π f C
A partir desta fórmula, podemos concluir que para um determinado capacitor a reatância capacitiva diminui com o aumento da freqüência.
Comportamento de um capacitor em Corrente contínua (CC): Em corrente contínua um capacitor possui o comportamento de uma chave aberta.
Comportamento de um capacitor em Corrente alternada (CC): Em corrente alternada um capacitor possui o comportamento de um curto-circuito. 
Relação entre tensão e corrente: Em um capacitor a tensão está 90º atrasada em relação a corrente.
Representação fasorial: A relação de fase entre tensão e corrente pode ser expressa por vetores. Em um capacitor, o ângulo de fase entre os vetores tensão e corrente é 90º.
	
	
	Relação de fase entre tensão e corrente em um capacitor
	Representação fasorial da relação de fase
 
Indutor
Indutor: Componente eletrônico que armazena energia através de um campo magnético.
Indutância (L): Propriedade do indutor de se opor à variação da corrente elétrica. A unidade de medida da indutância é o Henry (H). Quanto maior a indutância, maior a oposição à variação da corrente elétrica.
Reatância indutiva (XL): É a oposição que o indutor apresenta a circulação da corrente elétrica alternada. A reatância indutiva é medida em Ohms (Ω), e calculada pela fórmula:
 XL = 2 π f L
A partir desta fórmula, podemos concluir que para um determinado indutor a reatância indutiva aumenta com o aumento da freqüência.
Comportamento de um indutor em Corrente contínua (CC): Em corrente contínua um indutor possui o comportamento de um curto-circuito.
Comportamento de um indutor em Corrente alternada (CC): Em corrente alternada um indutor possui o comportamento de uma chave aberta.
Relação entre tensão e corrente: Em um indutor a tensão está 90º adiantada em relação a corrente.
Representação fasorial: A relação de fase entre tensão e corrente pode ser expressa por vetores. Em um indutor, o ângulo de fase entre os vetores tensão e corrente é 90º.
	
	
	Relação de fase entre tensão e corrente em um indutor
	Representação fasorial da relação de fase
Circuitos resistivos e reativos
Circuito resistivo: Circuito constituído apenas por resistores e que não possui quantidades apreciáveis de indutância ou capacitância.
Circuito reativo: Circuito constituído por resistores associados a capacitores e/ou indutores.
 Circuito RC: Circuito reativo constituído por resistores e capacitores.
 Circuito RL: Circuito reativo constituído por resistores e indutores.
 Circuito RLC: Circuito reativo constituído por resistores, capacitores e indutores.
Impedância
	Em um circuito reativo a oposição total à passagem da corrente elétrica é chamada de impedância. Em virtude do ângulo de fase entre tensão e corrente em resistores, capacitores e indutores ser diferente, o cálculo da impedância total de um circuito deverá ser uma soma vetorial.
Potência elétrica em circuitos resistivos e reativos
Potência em circuitos resistivos: Em um circuito resistivo, a energia fornecida pela fonte de tensão é inteiramente dissipada em forma de calor pelas resistências.
Potência em circuitos reativos: Em um circuito reativo, a energia entregue pela fonte de tensão é parte dissipada em forma de calor pelos resistores, e parte armazenada pelos capacitores e indutores. A parcela de energia armazenada pelos capacitores e indutores é devolvida à fonte de tensão.
 Potência aparente (PA): Em um circuito reativo, a potência aparente é calculada da seguinte maneira:
 PA = E. It PA = It2 . Zt PA = E2
 Zt 
Como podemos observar nas formulas, o calculo da potência aparente utiliza a impedância do circuito, o que significa que não há distinção entre a energia que é absorvida pelo resistor e a que é devolvida pelo capacitor e indutor, sendo por isso chamada de potência que aparenta estar sendo dissipada. A unidade de medida da potência aparente é o Volt Ampère (VA).
 Potência real (PR): Em circuito reativo, a potência real é aquela que efetivamente é dissipada na forma de calor pelos resistores do circuito, sendo portanto, calculada levando em consideração apenas a resistência do circuito reativo. A unidade de medida da potência real é o Watt (W).
Fator de potência
Fator de potência é a relação entre a potência real (PR) e a potência aparente (PA) de um circuito reativo, expressa pela fórmula:
fp: PR
 PA
O fator de potência é usualmente expresso em fração decimal ou porcentagem. Quanto maior o fator de potência, melhor a qualidade do circuito, pois um fato de potência igual à unidade significa que toda a energia entregue pela fonte está sendo consumida pelo circuito.
Freqüência de corte
Qualquer circuito contendo reatâncias não responderá igualmente a todas as freqüências, pois as reatâncias indutivas e capacitivas são diferentes para cada freqüência. Considera-se freqüência de corte, a freqüência em que a parcela reativa do circuito apresenta um valor que provoca uma divisão por igual da tensão da fonte, ou seja, metade da tensão da fonte aparece sobre a parcela resistiva e a outra metade sobre a parcela reativa. Quando esta situação acontece a potência real (PR) cai para a metade do seu valor máximo. Esta situação também pode ser denominada ponto de meia potência ou ponto 0,707.
Circuitos reativos em série
Em um circuito série a corrente é a mesma em todos os pontos do circuito. A corrente será a referência quando o assunto for o ângulo de fase entre tensão e corrente.
Calculo da impedância série
Em um circuito RL ou RC série, o cálculo da impedância deve levar em conta o ângulo de fase, sendo calculada pelas fórmulas: 
	 _________
ZT= √ R2 + XL2
	 _________
ZT= √ R2 + XC2
 
 
 Circuito RL série
Quando ligamos um indutor em série com um resistor, a queda de tensão no resistor estará em fase com a corrente, e a queda de tensão no indutor estará adiantada de 90º em relação a corrente. 
A tensão total do circuito possuirá uma defasagem intermediária entre 0º e 90º, de acordo com maior ou menor queda de tensão na parte resistiva ou reativa do circuito. Por ser uma composição vetorial,usa-se o método do paralelogramo para o cálculo do ângulo resultante.
Circuito RC série
Quando ligamos um capacitor em série com um resistor, a queda de tensão no resistor estará em fase com a corrente, e a queda de tensão no capacitor estará atrasada de 90º em relação a corrente.
A tensão total do circuito possuirá uma defasagem intermediária entre 0º e 90º, de acordo com maior ou menor queda de tensão na parte resistiva ou reativa do circuito. Por ser uma composição vetorial, usa-se o método do paralelogramo para o cálculo do ângulo resultante.
Circuito RCL série
Quando ligamos resistores, capacitores e indutores em série, a queda de tensão no resistor estará em fase com a corrente, a queda de tensão no capacitor estará atrasada de 90º em relação a corrente e a queda de tensão no indutor estará adiantada de 90º em relação a corrente. Utilizamos a corrente como referência, pois ela é a mesma em todos os elementos de um circuito série. Para determinar o ângulo de fase resultante, devemos subtrair as quedas de tensão nas reatâncias, pois as quedas de tensão sobre o indutor e sobre o capacitor possuem ângulos de fase opostos. Após aplica-se o método do paralelogramo para a obtenção do resultado final.
Classificação dos circuitos RCL em série
Quando XL for maior que XC ou EL maior que EC temos: θ positivo, circuito RL.
Quando XC for maior que XL ou EC maior que EL temos: θ negativo, circuito RC.
Quando XL for igual à XC ou EL igual à EC temos: θ igual à zero, circuito resistivo.
Ressonância em série
Um circuito RCL em série está em ressonância quando as reatâncias capacitiva e indutiva são iguais. Por possuírem ângulo de fase opostos, na ressonância série as reatâncias se anulam e a impedância total passa a ser apenas a resistência do circuito. Quando um circuito RCL série entra em ressonância, a corrente elétrica chega ao seu ponto máximo, pois é limitada apenas pela resistência ôhmica do circuito, conforme ilustra a figura ao lado.
Seletividade
Seletividade é a aptidão que tem um receptor de selecionar um sinal, entre muitos outros de freqüências próximas. A seletividade de um aparelho é determinada por seus circuitos sintonizados (ressonantes). Quanto menor a resistência ôhmica de um circuito RCL, maior a sua seletividade. Como a resistência ôhmica do enrolamento do indutor é muito maior que a resistência ôhmica do capacitor, podemos dizer que a seletividade do circuito depende da seletividade da bobina (Q). A seletividade de uma bobina é medida pela relação “Q”, que é igual a sua reatância dividida pela sua resistência. Simplificando, o “Q” do circuito sintonizado é o “Q” da bobina (indutor). Quanto maior o “Q” de um circuito ressonante em série, maior será o seu valor como seletor de freqüência.
Largura de faixa
Largura de faixa (Band Width) ou faixa de passagem de um circuito é uma faixa de freqüência na qual a variação da tensão aplicada, produz resposta que não difere muito da obtida na freqüência de ressonância. Quanto maior for o “Q” de um circuito, menor será a faixa de passagem e melhor será a sua seletividade.
Circuitos reativos em paralelo
Em um circuito paralelo a tensão é a mesma para todos os elementos do circuito. A tensão será a referência quando o assunto for o ângulo de fase entre tensão e corrente.
Calculo da impedância em paralelo
Em um circuito RL ou RC em paralelo, o cálculo da impedância deve levar em conta o ângulo de fase, sendo calculada pelas fórmulas:
	ZT = R . XL
 √ R2 + XL2
	ZT = R . XC
 √ R2 + XC2
 
Circuito RL em paralelo
Quando ligamos um indutor em paralelo com um resistor, a corrente no resistor estará em fase com a queda de tensão e a corrente no indutor estará atrasada de 90º em relação à tensão. A corrente total do circuito possuirá uma defasagem intermediária entre 0º e 90º, de acordo com maior ou menor circulação de corrente na parte resistiva ou reativa do circuito. Por ser uma composição vetorial, usa-se o método do paralelogramo para o cálculo do ângulo resultante.
 Circuito RC em paralelo
Quando ligamos um capacitor em paralelo com um resistor, a corrente no resistor estará em fase com a tensão, e corrente no capacitor estará adiantada de 90º em relação a sua queda de tensão. A corrente total do circuito possuirá uma defasagem intermediária entre 0º e 90º, de acordo com maior ou menor circulação de corrente na parte resistiva ou reativa do circuito. Por ser uma composição vetorial, usa-se o método do paralelogramo para o cálculo do ângulo resultante.
Circuito RCL em paralelo
Quando ligamos resistores, capacitores e indutores em paralelo, a corrente no resistor estará em fase com a sua queda de tensão, a corrente no capacitor estará adiantada de 90º em relação à tensão e a corrente no indutor estará atrasada de 90º em relação à tensão. Utilizamos a tensão como referência, pois ela é a mesma em todos os elementos de um circuito paralelo. Para determinar o ângulo de fase resultante, devemos subtrair as quedas de tensão nas reatâncias, pois as quedas de tensão sobre o indutor e sobre o capacitor possuem ângulos de fase opostos. Após aplica-se o método do paralelogramo para a obtenção do resultado final.
Classificação dos circuitos RCL em paralelo
Quando XL for menor que XC ou IL maior que IC temos: θ negativo, circuito RL.
Quando XC for menor que XL ou IC maior que IL temos: θ positivo, circuito RC.
Quando XL for igual à XC ou IL igual à IC temos: θ igual a zero, circuito resistivo.
Ressonância em paralelo
Um circuito RCL em paralelo está em ressonância quando as reatâncias capacitiva e indutiva são iguais, situação em que as correntes no capacitor (IC) e no indutor (IL) são iguais (IC=IL).
Circuito tanque ideal
Chama-se de circuito tanque a qualquer associação LC em paralelo. A designação tanque resulta da capacidade que tem os circuitos LC de armazenar energia. Um circuito tanque ideal possui resistência ôhmica igual a zero (R=0), e não existe na prática. Quando um circuito tanque é alimentado por uma fonte de tensão alternada, existem dois caminhos para a corrente elétrica circular, pelo capacitor e pelo indutor. Se a fonte de CA operar em baixa freqüência, a maior parte da corrente circulará pelo indutor do que pelo capacitor, porque XL é menor do que XC. Se, porém, a fonte de CA operar em alta freqüência, a maior parte da corrente circulará pelo capacitor porque XC é menor do que XL. Para uma determinada freqüência a reatância indutiva será igual à reatância capacitiva (XL = XC), logo, o circuito entra em ressonância. Uma vez estando o circuito em ressonância, a corrente através do indutor e do capacitor é igual (IL = IC), porém defasadas de 180º. Assim sendo, a corrente total ou de linha que é a soma vetorial de IL e IC é igual a zero. Assim, nesse circuito ressonante em paralelo hipotético, a impedância do circuito será infinita e não haverá corrente de linha. Entretanto, haverá uma corrente circulatória no tanque apesar de nenhuma corrente ser fornecida pela fonte. Depois da carga inicial do capacitor, ele se descarrega sobre o indutor. A energia que percorre o indutor é armazenada em seu campo magnético. O campo magnético resultante em torno do indutor age como fonte de energia para recarregar o capacitor. Essa transferência de energia entre os dois elementos continua na freqüência de ressonância sem qualquer perda. O sistema está em estado oscilatório. Um circuito tanque ideal não existe, pois sempre existe alguma resistência ôhmica no circuito tanque, tornando a impedância menor que infinito e provocando perdas. A ressonância nos circuitos paralelos é chamada de anti-ressonante, por serem seus efeitos exatamente opostos aos observados nos circuitos em série.
Impedância no circuito tanque ideal
	A impedância de um circuito emparalelo difere de um circuito em série. Uma reatância indutiva grande em um circuito em série faz com que este haja indutivamente, porém, uma grande reatância indutiva em um circuito em paralelo faz este agir capacitivamente, pois passa mais corrente pelo ramo capacitivo. Um circuito tanque ideal apresenta as seguintes características:
a) Na ressonância, a impedância é infinita;
b) À medida que a freqüência se afasta da freqüência de ressonância, a impedância se aproxima de zero;
c) O circuito se aproxima indutivamente para as freqüências inferiores à de ressonância e, capacitivamente, para as freqüências maiores que a de ressonância.
Fator de qualidade
Da mesma forma que em um circuito ressonante em série, o fator de qualidade ou “Q” é importante em um circuito ressonante em paralelo. Quanto maior for o “Q”, maior será a seletividade do circuito.
Largura de faixa
A largura de faixa (Band Width) ou faixa de passagem de um circuito ressonante em paralelo segue as mesmas especificações para o circuito ressonante em série.
Filtros de freqüência
	A função de um circuito de filtro é efetuar a separação de determinadas freqüências. Um filtro pode ser usado para separar os componentes de corrente contínua dos de corrente alternada ou para separar grupos de componentes de corrente alternada por faixas de freqüência. O filtro deve apresentar baixa atenuação (oposição) para componentes de freqüência dentro de uma faixa particular, a faixa de passagem, e alta atenuação para freqüências de outras faixas. Pela disposição conveniente de indutores e capacitores, os filtros podem ser construídos de maneira a permitir qualquer característica de seleção de freqüência.
Filtro Passa-baixa
	Um filtro Passa-baixa destina-se a conduzir todas as freqüências abaixo de uma freqüência crítica pré-determinada ou freqüência de corte e a reduzir ou atenuar consideravelmente as correntes de todas as freqüências acima desta freqüência. Nesse filtro passará também a freqüência que se encontra no ponto de corte. Para melhorar a ação dos filtros passa-baixa, eles são projetados com duas ou mais secções.
Filtro Passa-alta
	Um filtro Passa-alta destina-se a deixar passar correntes de todas as freqüências acima do ponto de corte e atenuar todas as freqüências abaixo deste ponto. Neste filtro passará também a freqüência que se encontra no ponto de corte. Para melhorar a ação dos filtros passa-alta, eles são projetados com duas ou mais secções.
Filtros de circuitos sintonizados
	Os circuitos ressonantes (sintonizados) possuem características que os tornam ideais para filtros, quando se deseja grande seletividade. O circuito ressonante em série oferece baixa impedância à corrente de freqüência em que está sintonizado e uma impedância relativamente grande às correntes das demais freqüências. O circuito ressonante em paralelo oferece uma impedância muito grande à corrente de sua freqüência de ressonante e uma impedância relativamente baixa às outras.
Filtro Passa-faixa
	O filtro passa-faixa ou passa-banda destina-se a deixar passar correntes dentro dos limites de uma faixa contínua, limitada por uma alta e por uma baixa freqüência de corte e para atenuar as freqüências acima e abaixo desta faixa.
Filtro Corta-faixa
	Os filtros corta-faixa são destinados a suprimir as correntes de todas as freqüências dentro de uma faixa contínua limitada por duas freqüências de corte, uma mais alta e outra mais baixa, e a deixar passar todas as freqüências acima e abaixo desta faixa.
 
AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 2
Osciloscópio
O osciloscópio é um instrumento básico de medição e teste em oficinas e na indústria, assim como em laboratórios de pesquisas e desenvolvimento de projetos eletrônicos. O osciloscópio permite observar tanto o valor como a forma do sinal em qualquer ponto de um circuito eletrônico. Um osciloscópio consiste basicamente de um tubo de raios catódicos e de circuitos ampliadores auxiliares.
 
Tubo de raios catódicos (TRC)
O tubo de raios catódicos de um osciloscópio é um tubo de vidro com tela de fósforo, onde a forma de onda do sinal que está sendo medido é projetada. A tela do osciloscópio auxilia na medição de certos fenômenos elétricos que seriam dificilmente medidos por outros meios.
O tubo de raios catódicos é a parte mais importante de um osciloscópio. Seus elementos de operação estão encerrados em seu interior que contém um alto vácuo a fim de preservar o filamento e permitir que o feixe de elétrons seja bem definido.
Canhão eletrônico
A parte mais importante de um TRC é o canhão eletrônico que está situado na parte traseira do tubo e tem a finalidade de projetar um feixe de elétrons em direção a tela do TRC. O canhão eletrônico consiste de um filamento, um cátodo, uma grade controle, um ânodo focalizador (1º ânodo) e um ânodo acelerador (2º ânodo). O cátodo emite elétrons que são altamente atraídos pelo ânodo acelerador (altamente positivo), alimentado por milhares de volts, o que faz com que o feixe de elétrons (raio catódico) adquira uma alta velocidade. Embora a maioria dos elétrons seja atraída e capturada pelo ânodo de aceleração, muito podem passar através da abertura que existe no diafragma do tubo. A tela do TRC tem por finalidade transformar a energia cinética do elétron em energia luminosa. A tela é composta de uma substância semitransparente, conhecida como fósforo. Quando o feixe de elétrons atinge a tela, esta emite luz cuja cor depende da composição do fósforo. O revestimento mais comumente usado é o silicato de zinco, que emite luz verde. Ao longo de toda parte interior do tubo, com exceção da tela, existe uma cobertura de AQUADAG que tem a função de eliminar o excesso de elétrons da tela e devolvê-los ao cátodo.
Deflexão vertical e horizontal
Se o TRC não possuísse outros elementos além do canhão eletrônico e a tela, o feixe de elétrons atingiria o centro desta e produziria um ponto luminoso fixo. Para movimentar o feixe e colocar o ponto luminoso em várias partes da tela, utiliza-se sistemas de deflexão ou de desvio vertical e horizontal. Existem dois tipos de deflexão ou desvio: o eletrostático e o eletromagnético.
Desvio eletrostático
A figura ao lado ilustra o desvio eletrostático. As placas V1 e V2 formam o par de deflexão vertical e as placas H1 e H2 formam o par de deflexão horizontal. Como o feixe de elétrons possui carga elétrica negativa, ele será atraído quando alguma placa se tornar positiva. A figura A representa a situação em que nenhuma das placas está positiva e o feixe está centralizado. Na figura B, V1 está mais positiva que V2 e o par H1-H2 está sem alimentação. A figura D, representa uma situação em H1 está mais positiva que H2 e o par V1-V2 está sem alimentação. As outras figuras ilustram situações intermediárias.
Desvio eletromagnético
O desvio eletromagnético é usado onde não é possível obter uma tensão adequada para o desvio eletrostático. O campo magnético das bobinas de deflexão horizontal e vertical afasta os elétrons, posicionando o feixe nos diversos pontos da tela. O desvio eletromagnético é mais sensível que o desvio eletrostático. 
Circuito gerador de base de tempo
A finalidade do gerador de base de tempo ou gerador dente de serra é fazer com que o feixe eletrônico se mova da esquerda para a direita da tela a uma velocidade uniforme e logo regresse rapidamente ao lado esquerdo. Este movimento é chamado de varredura linear. Para se examinar qualquer forma de onda em um osciloscópio, é necessário que apliquemos a tensão que se deseja analisar em suas placas de deflexão vertical e mantenhamos a tensão dente de serra em suas placas horizontais. Isso fará com que o feixe eletrônico se desloque para cima ou para baixo e ao mesmo tempo para frente. Para calcular o número de ciclos que aparecem na tela do osciloscópio devemos dividir a freqüência aplicadaao equipamento pela freqüência de varredura.
Funções básicas dos controles
	Intensidade:
	Varia a quantidade de elétrons que chega a tela
	Focalização:
	Ajusta a focalização do feixe na tela
	Posição vertical e horizontal:
	Desloca o feixe para cima, para baixo, para a esquerda ou para a direita respectivamente.
	Entrada vertical:
	Nessa entrada aplicam-se os sinais a serem medidos pelo aparelho
	Entrada horizontal:
	Injetando nessa entrada um sinal, estaremos modificando a varredura.
	Atenuador vertical:
	O sinal aplicado à entrada vertical, antes de ser levado às placas defletoras, poderá ser atenuado em múltiplos de 10.
	Ganho vertical:
	Permite variar a amplitude do sinal, antes que ele seja leva às placas defletoras.
	Ganho horizontal:
	Permite variar a amplitude ao longo do eixo x.
	Seletor de varredura:
	Permite a variação discreta na freqüência da varredura interna
	Varredura externa:
	Usada quando se pretende atuar externamente nas placas horizontais
	Seletor de sincronismo:
	Seleciona a fonte de sincronismo. Interna, externa ou rede elétrica.
	Chave de sincronismo:
	Permite o ajuste desejado da fonte de sincronismo
 
�
AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 3
Requisitos para análise de circuitos
Fontes ou geradores de tensão constante
Fonte de tensão é o equipamento capaz de fornecer uma tensão constante, para vários valores de carga. É representada pelo circuito abaixo, chamado de circuito “Equivalente de Thévenin”.
Fonte de tensão ideal: Possui resistência interna igual a zero. Não existe na prática.
Fonte de tensão real: Possui resistência interna maior que zero.
Fontes ou geradores de corrente constante
Fonte de corrente é o equipamento capaz de fornecer uma corrente constante, para vários valores de carga. É representada pelo circuito abaixo, chamado de circuito “Equivalente de Norton”.
Fonte de corrente ideal: Possui resistência interna igual ao infinito. Não existe na prática.
Fonte de corrente real: Possui resistência interna menor do que infinito.
Elementos de circuitos
Rede ou circuito: Associação de componentes eletrônicos com algum objetivo específico. Um circuito deve conter no mínimo um gerador, condutores e um receptor.
No, nodo ou nó de intensidade: É a junção de três ou mais elementos de um circuito.
Braço ou ramo: Qualquer porção de um circuito que liga diretamente dois nós.
Laço de circuito: É a combinação de todos os elementos formadores de um circuito fechado.
Malha: É o menor laço. É um laço que não pode ser dividido em outros.
Teoremas das estruturas elétricas
Leis de Kirchoff
Primeira lei de Kirchoff ou lei dos nós: “ A soma das correntes que entram em um nó, é igual a soma das correntes que saem do nó.”.
Segunda lei de Kirchoff ou lei das malhas: “Em 	qualquer circuito elétrico fechado, a soma algébrica das quedas de potencial deve ser igual a soma algébrica das elevações de potencial.”
A principal aplicação das leis de Kirchoff é a Análise de malhas, uma das ferramentas de análise de circuitos.
 
	Teorema da superposição
“Em qualquer rede contendo uma ou mais fontes de tensão ou corrente, a corrente em qualquer elemento do circuito é a soma algébrica das correntes que seriam causadas por cada fonte individualmente, estando as demais substituídas por suas respectivas resistências internas.”
Teorema de Thévenin
“Qualquer circuito, por mais complexo que seja, poderá sempre ser representado por um circuito equivalente simples, constituído por um gerador de tensão, chamado gerador de Thévenin
(ETH) em série com uma resistência interna (RTH).”
Teorema de Norton
“Qualquer circuito, por mais complexo que seja, poderá sempre ser representado por um circuito equivalente simples, constituído por um gerador de corrente, chamado gerador de Norton
(In) em paralelo com uma resistência interna (Rn).”
O circuito equivalente Thévenin pode ser convertido no circuito equivalente Norton e vice-versa. Para isso é necessário igualar as resistências internas e aplicar a lei de Ohm.
Teorema da máxima transferência de energia
“A máxima potência transferida por uma fonte a uma determinada carga ocorre quando a impedância da carga for igual a impedância da fonte.”
Este teorema estabelece que para que ocorra a máxima transferência de potência entre uma fonte e uma carga, é necessário que a resistência interna da fonte seja igual a resistência da carga. 
AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 4
Dispositivos semicondutores
	Os materiais semicondutores são elementos cuja resistência situa-se entre a dos condutores e a dos isolantes. Os semicondutores são a base da eletrônica moderna, pois diodos, transistores, circuitos integrados e muitos outros dispositivos são construídos tendo por base o silício, o cristal semicondutor mais utilizado.
Ligações covalentes
	Os dois cristais semicondutores mais utilizados são o silício e o germânio. O silício possui número atômico e o germânio . Ao realizarmos a distribuição eletrônica, podemos notar que o silício e o germânio são tetravalentes, ou seja, possuem quatro elétrons nas suas camadas de valência. Para que os átomos de silício e germânio se tornem estáveis, é necessário que ambos completem as suas camadas de valência com oito elétrons. Os átomos de silício e germânio conseguem esse objetivo formando uma estrutura chamada de rede cristalina, onde um átomo central compartilha um elétron com cada um de seus quatro vizinhos.
O efeito da temperatura sobre os semicondutores
	A rede cristalina só permanece completamente preenchida na temperatura de zero absoluto. Isso acontece porque ao receber energia, um elétron tende sempre a se afastar do núcleo subindo uma camada. Os elétrons podem receber energia através da luz, raios X, raios cósmicos, mas o modo mais importante é o aumento da temperatura. 
Ao receber energia, um elétron de valência tende a subir uma camada, porém os elétrons formadores da rede cristalina já são da última camada de seus átomos respectivos, restando somente o desprendimento completo da estrutura cristalina, o que se reflete em uma órbita extremamente longa e ao redor de vários núcleos da estrutura cristalina. Essa é a diferença fundamental entre os semicondutores e os condutores convencionais. Quando uma corrente elétrica circula em um condutor, os elétrons literalmente “saltam” de camada de valência em camada de valência através dos átomos do condutor, no trajeto do pólo negativo para o pólo positivo da bateria. Já nos semicondutores, os elétrons podem “saltar” de camada de valência em camada de valência como em qualquer condutor ou “trafegar” como um elétron livre da rede cristalina, traçando órbitas extremamente longas ao redor de vários núcleos. Para diferenciar estes dois trajetos para a corrente elétrica, foi criado o conceito de banda de valência (camadas de valência dos átomos da rede cristalina) e banda de condução (elétrons livres da rede cristalina).
Condução em cristais semicondutores
	Se aplicarmos uma diferença de potencial em um cristal semicondutor puro, obteremos uma corrente elétrica que é proporcional á temperatura a que o cristal semicondutor estiver submetido e do tipo do cristal. Para uma mesma temperatura, a corrente que circulará em um cristal de germânio é muito maior do que a corrente que circulará em um cristal de silício, o que indica que as ligações covalentes do silício são mais estáveis que a do germânio.
Dopagem do cristal semicondutor
Os semicondutores não são utilizados em sua forma pura e sim misturados a outros elementos químicos. Esse processo é chamado de dopagem do cristal semicondutor. A dopagem visa a criação de tipos de cristais com características positivas e negativas que juntos vão formar os diversos tiposde componentes semicondutores.
Dopagem com elemento pentavalente
Quando um cristal semicondutor é dopado com impurezas pentavalentes ou doadoras, obtemos um cristal tipo N. Este nome provém do fato deste tipo de cristal possuir um grande número de elétrons livres. Para a criação de um cristal tipo N as impurezas geralmente utilizadas são: fósforo, arsênio, bismuto e antimônio.
Dopagem com elemento trivalente
Quando um cristal semicondutor é dopado com impurezas trivalentes ou aceitadoras, obtemos um cristal tipo P. Este nome provém do fato deste tipo de cristal possuir um grande número de lacunas, que são vagas deixadas por elétrons livres e que tendem a atrair elétrons. Para a criação de um cristal tipo P as impurezas geralmente utilizadas são: bário, alumínio, gálio e índio.
Portadores majoritários e minoritários
Em um cristal tipo N, a dopagem teve por objetivo a criação de um grande número de elétrons livres, portanto, os portadores majoritários de um cristal N são os elétrons livres. Mesmo com a dopagem, o aumento da temperatura continua fornecendo energia aos elétrons da rede cristalina, o que pode provocar, eventualmente, o desprendimento de algum elétron e a criação de uma lacuna em seu lugar, portanto, as lacunas são os portadores minoritários do cristal N. 
Em um cristal tipo P, a dopagem teve por objetivo a criação de um grande número de lacunas, portanto, os portadores majoritários de um cristal P são as lacunas. Mesmo com a dopagem, o aumento da temperatura continua fornecendo energia aos elétrons da rede cristalina, o que pode provocar, eventualmente, o desprendimento de algum elétron que irá se transformar em elétron livre, portanto, os elétrons livres são os portadores minoritários do cristal P.
Junções PN
Quando um cristal tipo N é unido a um cristal tipo P, alguns elétrons livres do cristal N invadem o cristal P. Ao saírem do cristal N, estes elétrons formam íons positivos neste cristal e ao entrarem no cristal P, completam uma lacuna e formam um íon negativo neste cristal. Essa combinação de portadores acaba formando uma barreira de íons na fronteira entre os dois cristais e continua até que a quantidade de íons negativos no cristal P acaba por repelir e impedir a passagem dos elétrons livres do cristal N.
Camada de depleção: A região da fronteira entre os dois cristais onde ficaram depositados os íons é chamada de camada de depleção.
Barreira de potencial: Podemos dizer que barreira de potencial é força com que os íons negativos do cristal P repelem os elétrons livres do cristal N e os impedem de atravessar a junção. Para vencer esta força, é necessária a aplicação de uma diferença de potencial de 0,7V para os diodos de silício e de 0,2V para os diodos de germânio.
Polarização direta de uma junção PN
 Quando ligamos o terminal negativo da fonte de tensão no cristal N e o terminal positivo no cristal P e aplicamos uma diferença de potencial maior do que o valor da barreira da potencial (0,7V para diodos de silício e 0,2V para diodos de germânio), estamos polarizando diretamente a junção PN. Todo diodo (junção PN) polarizado diretamente apresenta uma resistência muito baixa e conduz a corrente elétrica intensamente. 
Polarização inversa da junção PN
Quando o terminal positivo da fonte é aplicado ao cristal N e o terminal negativo ao cristal P, a junção (diodo) está reversamente polarizada e seu comportamento é análogo ao de uma chave aberta, não apresentando condução de corrente elétrica.
 Diodo retificador
Existem muitos tipos de diodos, tais como o diodo zener, o SCR, o fotodiodo entre outros, porém um dos mais utilizados é o diodo retificador. O anodo é um cristal do tipo P e o catodo é um cristal do tipo N.
Ruptura da junção PN
Os diodos possuem limitações que não podem ser ultrapassadas, sob pena de destruição da junção PN. A ruptura da junção de um diodo pode ser causada por vários fatores como corrente direta além da suportada, tensão reversa acima da tensão de ruptura e ruptura por efeito térmico.
Aumento da corrente direta além da máxima suportada: Um dos efeitos da corrente elétrica é o efeito joule, que é o aumento da temperatura com o aumento da corrente. Quando a corrente em um diodo aumenta, a temperatura da junção aumenta e aumentam os portadores minoritários o que provoca um novo aumento da corrente e um ciclo destrutivo para o diodo retificador.
Aumento da tensão reversa acima da tensão de ruptura: Quando a tensão reversa é aumentada além da tensão máxima suportada, os portadores minoritários são acelerados em direção à junção e acabam se chocando com elétrons da rede cristalina. Com o choque um elétron fornece energia para outro elétron que acaba libertado da estrutura cristalina. Agora dois elétrons libertam quatro, quatro libertam oito e este ciclo provoca um feito de avalanche ou break down que provoca a destruição da junção.
Ruptura por efeito térmico: Na ruptura por efeito térmico, o aumento da temperatura provoca um aumento dos portadores minoritários e da corrente reversa. O aumento da corrente provoca um novo aumento da temperatura e este ciclo acaba por destruir a junção PN por dissipação excessiva de potência.
AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 5
Fontes de força eletrônica
Tipos de fonte de força
Existem basicamente três tipos de fonte de força CC:
- Pilhas e baterias: Convertem energia química em energia elétrica CC.
- Geradores CC: Convertem energia mecânica em energia elétrica CC.
- Fontes de força eletrônica: Convertem tensão CA em CC, CC em CA ou CC em CC. 
 -CA em CC: Representa a maioria das fontes de força eletrônica. A energia CA geralmente provém da rede de 110/220V 60Hz.
 -CC em CA: É mais conhecido como inversor. Este dispositivo é necessário quando se necessita de energia CA e só se dispõe de baterias e pilhas como fonte de energia, ou seja, só de energia CC.
 -CC em CC: É mais conhecido como conversor CC-CC. É utilizada quando está disponível apenas tensão contínua de pilhas ou baterias e se faz necessária uma tensão contínua de valor mais alto que a fornecida.
Tensão alternada senoidal
Ciclo: Ciclo é um conjunto de valores que se repetem periodicamente.
Semiciclos: A parte do ciclo acima do eixo dos tempos é chamada de semiciclo positivo e a parte do ciclo abaixo do eixo dos tempos é chamada de semiciclo negativo.
Período (T): É o tempo necessário para completar um ciclo. A unidade do período é o segundo (s).
Freqüência: É o número de ciclos que ocorrem por segundo. A unidade da freqüência é o Hertz (Hz).
Valor eficaz: Se considerarmos uma tensão alternada e uma tensão contínua de mesmo valor alimentando um mesmo resistor, perceberemos que a dissipação de potência é diferente e expressa pela relação: Vef = 0,707 . VP 
Podemos concluir que uma tensão de 100Vp (tensão de pico) produz uma dissipação de potência, para um mesmo resistor, igual a produzida por uma tensão de 70,7Vcc (tensão contínua). Podemos então concluir que a tensão eficaz de 100Vp é 70,7VAC. 
Etapas de uma fonte de força CA-CC
Ajuste da amplitude da tensão CA: Esta etapa abaixa ou eleva a amplitude da tensão alternada por meio de um transformador. 
Retificação: Na etapa de retificação, a tensão alternada é transformada em tensão contínua pulsante por meio de diodos retificadores. 
Filtragem: Na etapa de filtragem, a tensão contínua pulsante é filtrada e transformada em contínua pura por meio de um capacitor, uma combinação de capacitores e indutores ou uma combinação de capacitores e resistores. 
Regulagem: A etapa de regulagem garante uma tensão constante para a carga, independente de variações de tensão na entrada CA ou das variações de resistência da própria carga.
Ajuste da amplitude da tensão alternada
O ajuste da amplitude da tensão alternada em uma fonte de força eletrônicaé feito por um transformador. Em um transformador, a potência do primário é igual a potência do secundário e a elevação ou abaixamento da tensão é conseguido através do número diferente de espiras para o primário e para o secundário. 
Retificação
Retificador de meia onda
	A tensão senoidal presente no secundário do transformador inverte periodicamente o seu sentido. O diodo retificador possui a característica de conduzir a corrente elétrica quando está polarizado diretamente (Positivo no anodo e negativo no catodo), e de impedir a circulação da corrente elétrica quando está polarizado inversamente (Negativo no anodo e positivo no catodo). Para um determinado semiciclo da tensão alternada de entrada o diodo está polarizado diretamente, conduzindo a corrente elétrica através da carga (RL). Para o semiciclo oposto, o diodo está polarizado reversamente, bloqueando a circulação da corrente elétrica. O retificador de meia onda possui baixa eficiência, pois apenas um semiciclo do sinal de entrada é transmitido para a carga. A tensão de saída de um retificador de meia onda é chamada de tensão contínua pulsante de meia onda, e possui freqüência igual a da tensão de entrada. A tensão média de saída de um retificador de meia onda é igual a 0,318 vezes a tensão de pico (Vp). O diodo deverá suportar uma tensão reversa superior à tensão de pico do secundário do transformador (VP). A vantagem do retificador de meia onda é a simplicidade, pois utiliza apenas um diodo.
Retificador de onda completa
	Um retificador de onda completa utiliza um transformador que possui no enrolamento de secundário uma tomada central (center-tape), e dois diodos retificadores. A tensão total fornecida pelo secundário de um transformador com center-tape é o dobro da tensão fornecida para a carga. Em um retificador de onda completa, cada diodo retificador conduz alternadamente, e a carga recebe os dois semiciclos da tensão da rede, ora proveniente do terminal A, passando por D1 e escoando para a center-tape (C) e ora proveniente do terminal B, passando por D2 e também escoando para a center-tape. A tensão de saída de um retificador de onda completa é chamada de tensão contínua pulsante, e possui freqüência igual ao dobro da freqüência da tensão de entrada. A tensão média de saída de um retificador de onda completa é igual a 0,636 vezes a tensão de pico (Vp). Os diodos retificadores deverão suportar uma tensão reversa superior à tensão de pico (VP). A vantagem do retificador de onda é que todos os semiciclos da tensão de entrada são transmitidos para a carga.
Retificador em ponte
	
 	Um retificador em ponte utiliza quatro diodos retificadores em uma configuração chamada de ponte, o que torna desnecessário o uso de um transformador com center-tape. Em um retificador em ponte, os diodos trabalham em pares. Cada par conduz alternadamente, e a carga recebe os dois semiciclos da tensão da rede, ora através do par D1-D3 e ora através dos par D2-D4. A tensão de saída de um retificador em ponte é chamada de tensão contínua pulsante, e possui freqüência igual ao dobro da freqüência da tensão de entrada. A tensão média de saída de um retificador em ponte é igual a 0,636 vezes a tensão de pico (Vp). Os diodos retificadores deverão suportar uma tensão reversa superior à tensão de pico (VP). A vantagem do retificador em ponte é que todos os semiciclos da tensão de entrada são transmitidos para a carga.
Filtragem
	A função do circuito de filtro é transformar a tensão contínua pulsante proveniente do retificador em uma tensão contínua pura.
	Fator de ripple: Podemos considerar o ripple ou tensão de ondulação como sendo uma forma de onda não senoidal sobreposta ao nível médio CC. 
Quando uma etapa de filtragem é projetada, é levado em consideração o fator custo-benefício quanto ao nível de ripple presente na tensão contínua de saída. Geralmente, usa-se como regra um ripple máximo de 6% da tensão da fonte, pois este valor é perfeitamente tolerável para a maior parte dos circuitos eletrônicos sem, contudo, aumentar em demasia o custo do projeto.
Filtro a capacitor
O filtro mais simples e mais empregado é o filtro a capacitor. O capacitor é um componente eletrônico que possui a característica de se opor à variação da tensão. A fórmula utilizada para calcular o capacitor de filtro é:
	C = I . t
 Er
 
	C = Valor do capacitor de filtro em Farads. I = Corrente CC na carga em ampères.
t = Período da tensão de ondulação CA, em segundos. 
Er = Máxima tensão de ondulação (ripple) pico-a-pico permitida, em volts.
Podemos perceber que quanto maior o período, maior o valor do capacitor necessário para a filtragem. Isso comprova que os retificadores de onda completa e em ponte (freqüência de saída o dobro da entrada) são mais eficientes que o de meia onda (frequência de saída igual à da entrada). Quanto maior o capacitor empregado na filtragem, menor o ripple ou tensão de ondulação na tensão contínua de saída. O capacitor deverá suportar uma tensão reversa superior à tensão de pico (Vp).
Filtros LC e RC
Embora o filtro a capacitor seja o mais simples, pode-se melhorar a filtragem usando-se indutores (choques) e resistores em combinação com ele. Um choque reduz a amplitude do ripple, pois o indutor possui a característica de ser opor a variação de corrente. A vantagem dos filtros LC e RC é a diminuição do ripple. A desvantagem do filtro LC é o tamanho e o peso dos indutores necessários e a desvantagem do filtro RC é a perda de energia na resistência do conjunto.
Regulagem
	Os circuitos de regulagem impedem que qualquer variação da tensão de entrada CA seja transferida para a saída CC e também que variações da corrente de carga afetem a qualidade e a amplitude da tensão de saída. Os circuitos reguladores utilizam diodos zener ou circuitos integrados como referência de tensão e transistores de passagem para aumentar a capacidade de fornecimento de corrente da fonte de força eletrônica.
Tipos de proteção contra sobrecarga
	A sobrecarga de corrente é uma das condições anormais mais comuns de ocorrer durante a utilização de fontes de força. A sobrecarga pode ser resultado de um curto-circuito nos terminais da fonte ou mau funcionamento de algum componente do circuito. As proteções mais utilizadas são os fusíveis e os disjuntores (circuit breakers). Quanto a velocidade de rompimento, os fusíveis podem ser classificados em três faixas: ação retardada, retardo médio e alta velocidade. A diferença entre os disjuntores e os fusíveis é que os disjuntores podem ser rearmados mecanicamente, isto é, o disjuntor não se queima, ele se desarma.
AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 6
Transistor de junção
Transistor de junção bipolar
	Os transistores são componentes eletrônicos construídos a partir de cristais semicondutores, principalmente o silício e o germânio. Sua função é amplificar a corrente elétrica, sendo empregado principalmente em amplificadores, osciladores e no interior de circuitos digitais.
Existem dois tipos de transistores de junção bipolar, o NPN e o PNP. 
			 NPN					 PNP
Os transistores possuem três terminais: coletor, base e emissor.
Características gerais dos transistores de junção bipolar
Para funcionar corretamente, os TJBs necessitam da polarização adequada:
Junção base-emissor: Deverá ser polarizada diretamente. Possui uma queda de tensão de 0,7V nos transistores de silício e de 0,2V nos transistores de germânio..
Junção base-coletor: Deverá ser polarizada reversamente. 
IE= IB+IC
A corrente que circula pelo terminal emissor é igual à soma das correntes da base e do coletor.
VCE= VBE+VBC
A queda de tensão entre os terminais de emissor e coletor é igual à soma das quedas de tensão entre base e emissor e base e coletor.
 
Tipos de configuração
	Os transistor pode ser ligado ao circuito de três maneiras diferentes:BASE COMUM EMISSOR COMUM COLETOR COMUM
Cada configuração apresenta vantagens e desvantagens.
Base comum: O sinal é aplicado entre emissor e base e é retirado entre coletor e base. Apresenta ganho de corrente menor do que a unidade e ganho de tensão elevado. 
O ganho de corrente é expresso pela equação:
 α= IC
 IE
Emissor comum: O sinal é aplicado entre base e emissor e é retirado entre coletor e emissor. Apresenta ganho de corrente e tensão intermediários, podendo ser usado como amplificador de corrente ou tensão. Esta configuração apresenta uma defasagem de 180º entre a tensão de entrada e saída. 
O ganho de corrente é expresso pela equação:
 β= IC
 IB
Coletor comum: O sinal é aplicado entre base e coletor e é retirado entre emissor e coletor. Apresenta ganho de corrente elevado e ganho de tensão menor do que a unidade.
O ganho de corrente é expresso pela equação:
					 γ= IE
 IB
 
Curvas característica do transistor de junção bipolar
A configuração emissor comum é a mais utilizada das três configurações, portanto, exemplificaremos as curvas características dos transistores de junção bipolar nesta configuração.
Curva característica de entrada
A curva de entrada relaciona a tensão de entrada, a corrente de entrada e a tensão de saída. 
Na configuração emissor comum, a tensão de entrada é VBE (tensão entre base e emissor), a corrente de entrada é IB (corrente de base) e a tensão de saída é VCE (tensão entre coletor e emissor).
Curva característica de saída
A curva de saída relaciona a tensão de saída, a corrente de saída e a corrente de entrada. 
Na configuração emissor comum, a tensão de saída é VCE (tensão entre coletor e emissor), a corrente de saída é IC (corrente de coletor) e a corrente de entrada é IB (corrente de base).
Curva de máxima dissipação de potência
	
A curva de máxima dissipação de potência é escrita sobre a curva de saída e representa graficamente a área útil da curva de saída, abaixo da máxima potência permitida para o transistor. A potência dissipada por uma transistor é definida pela multiplicação da corrente de coletor pela tensão entre coletor e emissor: Pmáx = IC . VCE 
Reta de carga e ponto quiescente
Reta de carga: A reta de carga é traçada sobre a curva de saída e determina os limites máximos e mínimos de trabalho do transistor: a saturação e o corte. 
Saturação: é o ponto onde o transistor apresenta uma resistência extremamente baixa entre coletor e emissor, sendo a corrente de coletor limitada, apenas, pelo resistor de coletor. Na saturação, a tensão VCE é próxima de zero.
Corte: é o ponto onde o transistor apresenta uma alta resistência entre coletor e emissor e a corrente de coletor é próxima de zero. No corte a VCE é igual a tensão da fonte de alimentação.
Ponto Quiescente (Q) ou ponto de trabalho: É determinado sobre a reta de carga e representa graficamente o ponto de trabalho do transistor (ponto Q). O ponto Q é definido pelo circuito de polarização.
AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 7
Estabilização da polarização de transistores
Limitações dos transistores bipolares
	Como qualquer componente eletrônico, o transistor em funcionamento normal, não deve ultrapassar os valores limites de tensão, corrente, potência, temperatura e freqüência que são fornecidos pelo fabricante, sob pena de desempenho não satisfatório, diminuição do tempo de vida ou mesmo destruição do componente.
Limitações de correntes
	A potência dissipada por um transistor de junção bipolar é obtida pela multiplicação da corrente de coletor pela tensão entre coletor e emissor, portanto, a principal limitação de corrente é a corrente de coletor (IC). Eventualmente, o fabricante pode fornecer, também, os valores máximos das correntes de base (IB) e de emissor (IE).
Limitações de tensões
	Como limitação de tensão, geralmente o fabricante fornece os valores máximos das tensões entre os três terminais, ou seja, os valores máximos de VBE (tensão entre base e emissor), VBC (tensão entre base e coletor) e VCE (tensão entre coletor e emissor).
	VBE: Para VBE, a informação mais importante é a tensão máxima reversa, pois a junção base emissor é polarizada reversamente quando o transistor é utilizado como chave.
	VBC e VCE: A junção base coletor é normalmente polarizada reversamente, portanto o fabricante fornece os valores máximos reversos para VCE e VBC.
	
Avalanche ou breakdown: Quando um componente construído com base em cristais semicondutores é polarizado reversamente, os portadores minoritários (existem em proporção à temperatura) são acelerados em direção à camada de depleção. Se a diferença de potencial reversa aumentar drasticamente, a velocidade dos portadores minoritários também aumenta, provocando choques entre os portadores minoritários e os elétrons da estrutura cristalina. Os choques fornecem energia e liberam mais portadores que provocam novos choques, levando a destruição do componente eletrônico. A tensão em que a avalanche começa é chamada de tensão de ruptura.
Os fabricantes especificam as tensões de ruptura entre coletor e base e entre coletor e emissor.
BVBCO : Tensão de ruptura entre coletor e base. A letra o B significa breakdown, e a letra O que o emissor está aberto (open).
BVCEO : Tensão de ruptura entre coletor e emissor com a base aberta.
Limitações de potência
	Esta limitação é considerada a mais importante para os transistores. Em um transistor, a potência é dissipada pelo coletor, sendo calculada multiplicando a corrente de coletor (IC) pela tensão de coletor (VCE).
 	A dissipação de potência em qualquer componente eletrônico provoca aquecimento. Caso o aumento de temperatura no transistor não seja controlado, o componente corre um serio risco de ser danificado. Para limitar a temperatura de trabalho são utilizados dissipadores de calor, ventoinhas e componentes sensíveis à temperatura nos circuitos de polarização.
Instabilidade térmica dos transistores
	Os semicondutores são muito sensíveis a temperatura, pois a estabilidade da rede cristalina só é perfeita no zero absoluto. Conforme a temperatura aumenta, a rede cristalina se torna instável, liberando elétrons e formando lacunas. Esses elétrons ou lacunas são diretamente responsáveis pela corrente de fuga nos semicondutores. 
Os transistores apresentam uma corrente de fuga indesejável chamada de ICBO. Esta corrente flui entre coletor e base estando o terminal de emissor aberto. Quando o transistor é polarizado, esta corrente de fuga é amplificada conforme o ganho do transistor. 
A corrente de fuga amplificada irá se somar a corrente de coletor. Podemos concluir que, se a temperatura aumentar, a corrente de coletor aumentará.
Variação do ganho dos transistores
	O ganho de um transistor pode sofrer enormes variações. 
Temperatura: Quando a temperatura aumenta, o ganho de um transistor aumenta.
Corrente de coletor (IC): Quando a corrente de coletor aumenta, o ganho inicialmente aumenta, porém para valores muito elevados da corrente de coletor, o ganho passa a diminuir.
Diferenças de fabricação: Para dois transistores iguais, fabricados no mesmo lote, o ganho pode varias consideravelmente (em torno de 300%).
Podemos concluir que qualquer projeto baseado no ganho de um transistor será certamente fracassado, pois o ganho depende da variação da corrente de coletor e da temperatura.
Polarização
	Em uma primeira análise,polarizar é aplicar as tensões corretas entre as junções do transistor, ou seja, polarizar diretamente a junção base-emissor e reversamente a junção base-coletor. 
Consideramos, porém, como polarização de um transistor, a determinação do ponto Q e a construção dos circuitos necessários para provocar a corrente de coletor e a tensão entre coletor e emissor que correspondam ao ponto Q escolhido.
Estabilização
	Quando a posição do ponto quiescente (ponto Q) de um transistor é determinada sobre a reta de carga, são traçadas linhas em direção aos eixos x e y do gráfico de saída, para que seja determinada a VCE e a IC de trabalho. A qualidade do circuito transistorizado que está sendo construído depende da posição fixa deste ponto Q, porém, sabemos que a corrente de coletor e o ganho do transistor apresentam variações muito grandes, o que torna impossível um ponto Q fixo.
Estabilizar a polarização de um transistor é construir circuitos de polarização auto-ajustáveis, para que as variações da corrente de coletor (em função do aumento da temperatura ou variação do ganho) sejam corrigidas e o ponto Q não mude de lugar ao longo da reta de carga.
Métodos de polarização para estabilização da IC e do ponto Q
A corrente de coletor é calculada pela fórmula: IC = β . IB
Analisando a fórmula, podemos perceber que se a corrente de base (IB) diminuir, a corrente de coletor (IC) também irá diminuir.
Todos os métodos de estabilização da polarização utilizam este princípio: Diminuir a corrente de base. A corrente de base é diretamente proporcional à tensão entre base e emissor. Os métodos podem variar, mas todos os circuitos de estabilização buscam diminuir a VBE, diminuindo assim a corrente de base, consequentemente, a corrente de coletor.
Polarização automática com RB ligado ao coletor
	Neste circuito, um aumento da corrente de coletor provocará uma maior queda de tensão no resistor de coletor. Com o resistor de base ligado ao coletor, um aumento na queda de tensão em RC, provoca uma diminuição da tensão de base, o que diminui a corrente de base e, consequentemente, diminui a corrente de coletor. Esta forma de estabilização é bastante eficiente, possuindo apenas o inconveniente da realimentação de CA do coletor para a base. Isto é corrigido dividindo a resistência de base entre dois resistores. 
Estabilização por realimentação de CC com RE
Em um transistor, a corrente de coletor é praticamente igual a corrente de emissor. Nesta polarização, um aumento da corrente de coletor provoca um aumento da queda de tensão em RE, diminuindo VBE, a corrente de base e, consequentemente, a corrente de coletor. Esta polarização é pouco utilizada porque limita a corrente de coletor e a potência do circuito.
Polarização por divisor de tensão
A polarização por divisor de tensão é a mais utilizada porque é praticamente imune às variações da corrente de coletor. A base do transistor é alimentada por um divisor de tensão estabilizado e a corrente de coletor é determinada fixando-se a corrente de emissor. Esta configuração é bastante utilizada em pré-amplificadores e possui ótima qualidade de estabilização.
Estabilização da polarização de estágios de potência
	Os projetos de amplificadores de potência requerem uma atenção especial com relação à polarização. Primeiro, porque neste caso o transistor irá trabalhar aquecido, o que poderá desencadear a instabilidade do mesmo. Segundo, porque o uso de um resistor de emissor (RE) pode diminuir a capacidade de potência do estágio. 
Dois dispositivos são usados na estabilização da polarização de estágios de potência: o diodo retificador e os termistores ou resistores NTC. 
	A corrente de coletor do transistor depende da temperatura. A estabilização de estágios de potência utiliza elementos sensíveis à temperatura que alteram a polarização.
	O termistor possui coeficiente negativo de temperatura, ou seja, o valor de sua resistência diminui com o aumento da temperatura.
	Os diodos retificadores são dispositivos semicondutores feitos a partir do mesmo material dos transistores. Os coeficientes de temperatura das resistências do diodo e do transistor são iguais.
A utilização dos termistores e dos diodos no circuito visa sempre à diminuição da tensão entre base e emissor (VBE), o que provoca a diminuição da corrente de base e da corrente de coletor.
AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 8
Amplificadores transistorizados
	Os amplificadores transistorizados podem ser classificados de acordo com a freqüência de operação, a classe de operação, o sistema de acoplamento e o uso.
Freqüência de operação
Amplificadores de audiofreqüência
	Estes amplificadores atuam em uma faixa de freqüência que vai de 20Hz a 20KHz. 
	Esta faixa de freqüência é sensível ao ouvido humano e por isso é chamada de audiofreqüência.
Estes amplificadores são encontrados, por exemplo, em receptores de rádio e intercomunicadores.
Amplificadores de videofreqüência
Estes amplificadores abrangem uma ampla faixa de freqüência que vai de 30KHz a 6MHz.
Estes amplificadores são encontrados, por exemplo, em circuitos de vídeo de radares e televisores 
Amplificadores de radiofreqüência
	Estes amplificadores diferenciam-se dos outros dois porque ampliam uma estreita faixa de freqüência dentro do espectro de radiofreqüência, que vai de 30KHz até vários GHz.
	Estes amplificadores são encontrados, por exemplo, em circuitos de sintonia de rádios.
Classe de operação
A classe de operação é determinada pelo circuito de polarização de entrada e está diretamente relacionada com a posição do ponto “Q” ao longo da reta de carga.
Amplificador classe “A”
	O amplificador classe “A” opera durante os dois semiciclos do sinal de entrada (360º). É polarizado para trabalhar na região ativa da curva de saída, ou seja, seu ponto “Q” nunca atinge a região de corte ou saturação. O amplificador classe “A” fornece em sua saída uma resposta fiel (não distorcida) do sinal de entrada.
Amplificador classe “B”
	O amplificador classe “B” opera durante um semiciclo do sinal de entrada e permanece cortado durante o outro semiciclo (180º). É polarizado para trabalhar nas regiões extremas da reta de carga, ou seja, seu ponto “Q” é posicionado no corte ou na saturação. Os amplificadores classe “B” são normalmente montados na configuração “push-pull”, que são amplificadores de potência formados por dois transistores em classe “B”, cada um conduzindo alternadamente o sinal de entrada, produzindo na saída um sinal idêntico ao sinal de entrada.
Amplificador classe “C”
	A operação em classe “C” é conseguida pela polarização inversa da junção de entrada do transistor. Para que um sinal apareça na saída de um amplificador em classe “C” é necessário que um sinal superior à tensão reversa de entrada seja aplicado. O período de condução é de 120º.
	
	
Formas de onda de saída com relação às de entrada para cada classe de operação 
	
Circuito de entrada e formas de onda em classe “A”
	
	
	
	Circuito de entrada e formas de onda em classe “B”
	
Sistemas de acoplamento
	Um simples estágio amplificador, normalmente não é suficiente nas aplicações em aparelhos receptores, em transmissores e outros equipamentos eletrônicos. Um ganho mais elevado é obtido pelo acoplamento de vários estágios amplificadores. A finalidade dos sistemas de acoplamento é o casamento de impedâncias entre os estágios e o isolamento da corrente contínua de uma etapa para outra, permitindo apenas a passagem do sinal.
Casamento de impedâncias
	Conforme o teorema da máxima transferência de potência, para que haja a máxima transferência de sinal entre um estágio e outro, as impedâncias de saída e de entrada devem ser iguais, ou seja, o estágio de entrada deve ter a impedância igual à fonte de sinal e o estágio final deve ter impedância igual à carga. 
AcoplamentoRC
Em um acoplamento RC, o capacitor possui a função de bloquear a tensão contínua (CC) entre os estágios e permitir somente a passagem do sinal. Os resistores de coletor e base servem como carga para o sinal.
Eficiência: Em virtude da reatância capacitiva ser afetada pela freqüência, e da dissipação de potência CC no resistor de carga, o acoplamento RC é considerado de baixa eficiência.
Resposta de freqüência: As freqüências muito baixas são atenuadas pelo capacitor de acoplamento, pois sua XC torna-se alta para as freqüências baixas. A resposta em altas freqüências está limitada pelo efeito “shunt” da capacitância emissor-coletor do primeiro estágio, e da capacitância base-emissor do segundo estágio. Para freqüências na faixa de áudio (AF), a resposta de freqüência é considerada de boa qualidade.
Aplicação: Amplificadores de áudio (20 a 20KHz).
Acoplamento por impedâncias
No acoplamento por impedância, o resistor de carga do coletor é substituído por um indutor. Para a corrente contínua (CC), a resistência de coletor é somente a resistência do enrolamento. Grandes valores de indutância devem ser usados, para que seja oferecida uma alta reatância para as altas freqüências.
Eficiência: Com o uso de um indutor como carga de coletor, conseguimos uma dissipação mínima de potência CC. A eficiência do acoplamento por impedância é equivalente à do acoplamento RC.
Resposta de freqüência: O ganho para as freqüências baixas é pequeno, pois a XL torna-se baixa para estas freqüências, resultando em um baixo sinal no coletor. Para rádio-freqüências (RF), a resposta de freqüência é considerada de boa qualidade.
Aplicação: Amplificadores de rádio-frequência (30KHz a vários GHz).
Acoplamento a transformador
	No acoplamento a transformador, o primário do transformador é a impedância de carga do coletor do primeiro estágio. O secundário fornece o sinal para a base do segundo estágio.
	Eficiência: Um transformador pode ser fabricado com vários valores de impedância tanto para o primário quanto para o secundário, portanto, a eficiência do acoplamento a transformador é máxima.
	Resposta de freqüência: O ganho para as freqüências baixas é pequeno, pois a XL torna-se baixa para estas freqüências, resultando em um baixo sinal no coletor. As altas freqüências são atenuadas, pois XL é alta para freqüências altas. A resposta de freqüência do acoplamento a transformador é considerada pobre.
	Aplicação: O uso do acoplamento a transformador tem sido evitado, pois para freqüências baixas, os transformadores são caros e pesados. O seu uso é limitado a aplicações que requerem um ótimo casamento de impedâncias e uma alta eficiência para a transferência da potência de saída.
Acoplamento direto
No acoplamento direto, o coletor do primeiro estágio é ligado diretamente à base do segundo estágio. A eficiência deste tipo de acoplamento depende das resistências de coletor e base dos transistores utilizados nos estágios. 
	Aplicação: Amplificadores de tensão contínua. (abaixo de 10Hz). 
AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 9
Osciladores transistorizados
	Os osciladores são dispositivos cuja função principal é transformar a energia CC aplicada em energia AC. Para determinar a freqüência de operação do oscilador, podem ser incorporados ao circuito, conjuntos indutância-capacitância, um cristal ou ainda uma rede resistiva capacitiva. As tensões de polarização para o oscilador transistorizado são as mesmas necessárias para o amplificador transistorizado.
	Entre as infinitas aplicações dos osciladores, estão: o osciloscópio, o gerador de freqüência variável, o injetor de sinais, a televisão, o rádio-transmissor, o receptor, o radar e o sonar.
Tanques ressonantes
A oscilação eletrônica é feita por um circuito que consiste de uma bobina e um capacitor ligados em paralelo. Esta ligação é chamada de circuito tanque.
A oscilação inicia com a carga do capacitor. Após a carga do capacitor, ocorre a sua descarga sobre o indutor, que por sua vez, também se descarrega sobre o capacitor. Em virtude de perdas de energia, dissipadas em forma de calor pela parcela resistiva dos componentes do tanque, essa troca de energia entre indutor e capacitor irá gradativamente perdendo intensidade, resultando na chamada onda amortecida. Para evitar o amortecimento da energia CA gerada, é utilizado um transistor como amplificador que possua, pelo menos, o ganho maior do que a unidade. A freqüência de oscilação será a freqüência de ressonância do tanque LC. 
Circuitos osciladores básicos
Oscilador Armstrong
O oscilador Armstrong é o mais simples dos osciladores a transistor. Estando o circuito energizado, qualquer variação na corrente base-emissor aparece amplificada no coletor de Q1, onde está ligada a bobina L2. A variação da corrente através da bobina de coletor (L2) gera um campo magnético, que é induzido em L1. Essa tensão variável é acoplada por C2 à base de Q1, onde é amplificada. Essa tensão amplificada é novamente aplicada à bobina L2 e assim, sucessivamente. A freqüência de oscilação é a freqüência de ressonância do circuito tanque. 
Oscilador Hartley
Neste circuito, a realimentação é obtida através de uma indutância e temos osciladores desse tipo alimentados em série e em paralelo. Essas alimentações se referem ao método de obtenção da polarização de coletor. No circuito alimentado em série, a corrente constante e a variável passam pelo circuito tanque. Ao aplicarmos energia ao circuito flui uma corrente instantânea através de Q1 que é acoplada por C3 à parte inferior de L1. O campo magnético gerado na parte inferior de L1 induz uma tensão na sua parte superior, que se tornará positiva. Isto faz com que a polarização direta da junção base-emissor de Q1 aumente, fluindo maior corrente até que Q1 atinja a saturação. Neste ponto, o capacitor C1 estará carregado com sua placa superior positiva e a parte inferior de L1 deixará de induzir tensão na sua parte superior, pois não haverá mais nenhuma corrente variável através dela. A partir deste momento, C1 começa a se descarregar e quando estiver totalmente descarregado, a energia armazenada na bobina L1 irá carregá-lo com polaridade oposta a anterior, provocando o corte de Q1. C1 começará a se descarregar novamente e o transistor Q1 sairá do corte. Nesse ponto, com a descarga de C1, a parte superior de L1 estará novamente menos negativa e o ciclo começara uma nova repetição. A freqüência de oscilação é a freqüência de ressonância do circuito tanque.
Oscilador Colpitts
	O oscilador Colpitts assemelha-se ao oscilador Hartley alimentado em paralelo, porém, ao invés de ter o conjunto de indutância dividida, no circuito de realimentação, usa um conjunto de capacitância dividida. A freqüência de oscilação é a freqüência de ressonância do circuito tanque.
Cristais osciladores
Quando certos cristais são comprimidos ou expandidos em direções específicas, surgem cargas elétricas em suas superfícies. Este fenômeno é chamado de efeito piezoelétrico. O efeito piezoelétrico é conseguido quando é aplicada uma diferença de potencial em um cristal oscilador, geralmente o quartzo. A aplicação da DDP provoca a vibração mecânica do cristal em movimentos de contração e expansão, dando às cargas elétricas na superfície desse cristal. Para oscilarem perfeitamente, os cristais devem ser submetidos a um tratamento de laboratório, onde sofrerão um determinado tipo de corte, que é um dos fatores determinantes da freqüência de oscilação. O cristal mais usado em circuitos osciladores é o Quartzo, devido ao seu baixo custo, robustez mecânica e a pouca variação de freqüência em função da temperatura.
A freqüência de oscilação fundamental de um cristal depende da largura, da espessura e do tipo de corte do cristal.
Circuitos osciladores a cristal
Oscilador Armstrong a cristal
 
O oscilador Armstrong a cristal funciona de maneirasemelhante ao oscilador Armstrong elementar. Com a inserção do cristal na trajetória de realimentação, consegue-se um aumento na estabilidade da freqüência de operação. O cristal é o elemento determinante da freqüência de operação, de tal modo que para se obter freqüências diferentes outros cristais deverão ser usados.
Oscilador Colpitts a cristal
	O oscilador Colpitts a cristal funciona de maneira semelhante ao oscilador Colpitts elementar. A freqüência de oscilação desse circuito não é determinada somente pelo cristal, mas também pela capacitância em paralelo formada pelos capacitores C1 e CE. Estes capacitores, normalmente, possuem valores grandes a fim de reduzir as capacitâncias de entrada e de saída do transistor e assim tornar as oscilações independentes das mudanças dos parâmetros do transistor.
Multivibrador astável
Com o desenvolvimento dos sistemas eletrônicos, houve a necessidade de se criar circuitos que operem ou que forneçam sinais não senoidais. Esses sinais podem ser definidos como variações momentâneas de tensão ou corrente, e incluem tensões de onda quadrada, onda retangular ou pulsos.
O multivibrador é um circuito eletrônico capaz de produzir uma tensão de saída em forma de onda quadrada ou retangular. Os circuitos multivibradores são, atualmente, muito usados em receptores de TV, osciloscópios, computadores e sistemas digitais em geral.
Circuito multivibrador astável
O circuito multivibrador astável não necessita de pulsos de excitação na entrada para o seu funcionamento. Basicamente, o circuitoé formado por dois transistores que conduzem alternadamente. Enquanto um dos transistores é levado ao corte o outro é levado à saturação, pois o corte de um transistor produz um pulso que satura o outro. As principais características do multivibrador astável são:
Tem sua freqüência de oscilação controlada pelas constantes de tempo de carga e descarga dos capacitores;
A saída pode ser retirada de qualquer um dos coletores dos dois transistores usados.
AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 10
Transistores especiais
Transistores de efeito de campo
	O transistor de efeito de campo, conhecido como FET (Field Effect Transistor) ou TEC, apresenta características elétricas bastante interessantes que permitem sua utilização numa gama muito grande de aplicações práticas. As diferenças fundamentais entre os transistores de efeito de campo (FETs) e os de junção bipolar (TJBs), é que nos FETs a corrente é dada pelo fluxo de portadores de um só tipo, e por este motivo, os transistores de efeito de campo são conhecidos como transistores unipolares em contraposição aos demais que são bipolares. A outra grande diferença é que os FETs são transistores controlados pela tensão, enquanto os TJBs são controlados pela corrente. A principal vantagem dos transistores de efeito de campo é a elevada impedância de entrada. Os principais transistores de efeito de campo são: o JFET (Junction Field Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
JFET
	
O JFET ou TECJ é o mais comum dos transistores de efeito de campo. Ele é formado por uma minúscula barra de silício, que pode ser do tipo “N” ou “P”, formando o que é chamado de canal. Em cada extremo do canal são feitos contatos ôhmicos que são chamados de dreno (drain) e fonte (source) ou supridouro. No centro, em torno da barra, é aplicada uma camada de silício do tipo oposto ao do material do canal (tipo N ou P). Neste material, é feito um contato ôhmico, formando a porta (gate) ou gatilho.
Funcionamento
	
	
	Efeitos do aumento da tensão aplicada à porta sobre a largura do canal
	
O gatilho é, normalmente, polarizado inversamente em relação à fonte, o que deixa a entrada com alta impedância. A tensão aplicada ao gatilho tem alto poder de controle sobre a corrente fonte-dreno, em virtude do aumento ou diminuição da área de depleção, tendo como conseqüência o aumento ou diminuição da largura do canal. Chamamos de tensão de corte, a tensão inversa aplicada ao gatilho capaz de bloquear completamente o canal, tornando a corrente fonte-dreno igual a zero. Os JFETs, da mesma forma que os transistores de junção bipolar, também podem ser usados em três configurações diferentes, sendo que a mais usada é o supridouro ligado à massa, que corresponde à configuração emissor comum.
MOSFET
O MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ou IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) é o transistor de efeito de campo mais utilizado em aplicações que requerem uma altíssima impedância de entrada. Em um MOSFET, o gatilho está isolado do canal por uma camada de dióxido de silício (vidro), material altamente isolante, o que torna a corrente de porta extremamente pequena seja a porta positiva ou negativa. O funcionamento é similar ao do JFET. O substrato, sempre formado por um cristal com dopagem diferente da dopagem do canal (P ou N), se contrai ou se expande, conforme a tensão negativa ou positiva aplicada ao gatilho. A expansão máxima do substrato bloqueia o canal e impede o fluxo da corrente elétrica. Os transistores MOSFET são amplamente utilizados na fabricação de circuitos integrados digitais, formando a família de CMOS de circuitos integrados.
Transistor de Unijunção
	
	
	
	Construção física do UJT
	Símbolo do UJT
	Oscilador de relaxação 
O transistor de junção única (UJT ou TJU) é um dispositivo semicondutor de três terminais que tem sua principal aplicação em circuitos osciladores não senoidais e de comutação. Ele é constituído por uma pequena barra de silício do tipo N, na qual são feitos contatos ôhmicos nos extremos que são denominados Base 1 (B1) e Base 2 (B2) e na parte lateral é feita uma junção PN, na qual também é feito um contato ôhmico, o que constitui o emissor. Utilizando o UJT e poucos componentes adicionais, é possível construir um excelente oscilador de relaxação para controlar o disparo de tiristores. Basicamente, um oscilador de relaxação com UJT funciona da seguinte maneira: o capacitor C1 inicia sua carga através de R1. Quando C1 atinge a tensão de disparo do UJT (Vp), C1 se descarrega rapidamente através de B1 até a tensão de vale. Estes ciclos de disparo geram pulsos que são acoplados ao gatilho dos tiristores.
AEROCLUBE DO PARANÁ
Disciplina: Aviônicos Professor: Alessandro Baladón
Capítulo 11
Circuitos integrados
	Os circuitos eletrônicos são divididos em circuitos eletrônicos discretos e circuitos eletrônicos integrados. Na maioria dos equipamentos, os dois tipos atuam em conjunto.	
Circuitos eletrônicos discretos: São os circuitos formados por componentes eletrônicos individuais (resistores, capacitores, diodos, transistores, etc.), soldados em placas de circuito impresso ou qualquer outro meio utilizado para interligá-los.
	Circuitos eletrônicos integrados (CIs): São os circuitos formados por um conjunto inseparável de componentes eletrônicos, em uma única estrutura chamada de pastilha. Com o uso de CIs, foi possível a miniaturização de diversos equipamentos. Os circuitos integrados podem ser divididos em dois grupos: os circuitos monolíticos e os circuitos híbridos. 
	Circuitos monolíticos: Nos circuitos monolíticos, todos os componentes dos circuitos são fabricados dentro de uma mesma pastilha de silício envolta em um invólucro de epóxi.
	Circuitos híbridos: Nos circuitos híbridos, várias pastilhas de silício, conectadas entre si, são colocadas em um mesmo invólucro de epóxi.
Tipos de encapsulamento e contagem de pinos
	O invólucro de um circuito integrado desempenha quatro funções importantes:
Protege a pastilha de silício contra a ação do meio ambiente;
Protege mecanicamente a pastilha do circuito integrado;
Simplifica a interligação do CI com os outros componentes do circuito;
Dissipa o calor dentro da pastilha, durante o funcionamento