Aula 04 Eletrônica Básica - Transtor Bipolar de Junção

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Eletrônica Básica 
Aula 04 Transistor de Junção Bipolar 
Professor: Vladimir Homobono Soares 
E-mail: eng.vladhomobono@gmail.com 
 
1 
Construção de um Transistor 
Existem dois tipos de transistores: 
• pnp 
• npn 
 
 
Os terminais são chamados: 
• E - Emissor 
• B - Base 
• C - Coletor 
pnp 
npn 
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Operação do Transistor 
Com uma fonte externa, VEE and VCC, são conectadas: 
• A junção base emissor é polarizada diretamente 
• A junção base coletor é polarizada reversamente 
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Corrente em um Transistor 
A corrente no coletor é composta por duas 
correntes: 
B
I
C
I
E
I 
osminoritari
COI
osmajoritari
CICI 
A corrente no emissor é a soma das correntes da 
base e do coletor: 
4 
Configuração Base Comum 
The base is common to both input (emitter–base) and 
output (collector–base) of the transistor. 
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Amplificador Base Comum 
Características de Entrada 
Essa curva mostra a relação entre a 
corrente de entrada (IE) para tensão 
de entrada(VBE) para três níveis de 
tensão de saída (VCB). 
6 
Esse gráfico demontra a 
corrente de saída (IC) para 
uma tensão de saída (VCB) 
para vários níveis de 
corrente de entrada (IE). 
Amplificador Base Comum 
Caracterísiticas de Saída 
7 
 
Regiões de Operação 
• Ativa – Faixa de operação do 
amplificador. 
• Corte – Não há amplificação. Existe 
tensão, mas pouca corrente. 
• Saturação – Alta amplificação. 
Existe corrente, mas pouca tensão. 
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E
I
C
I 
 sílico)o (Para V 0,7BEV 
Aproximações 
Corrente no Emissor e Coletor: 
Tensão base-emissor: 
9 
 Idealmente: a = 1 
 Na realidade: a está entre 0,9 e 0,998 
Alfa (a) 
Alfa (a) é a razão de IC com IE : 
 
 
 
EI
C
I
α dc
Alfa (a) no modo AC: 
EI
C
I
α
Δ
Δ
ac 
10 
Transistor Amplification 
Ganho de Tensão: 
 
 
V 50kΩ 5ma 10
mA 10
10mA
20Ω
200mV




))((R
L
I
L
V
i
I
L
I
E
I
C
I
i
R
i
V
i
IEICorrentes e Tensões: 
11 
250
200mV
50V

i
V
LV
vA
Configuração Emissor Comum 
O emissor é comum tanto na entrada 
(base emissor) quanto na saída 
(coletor emissor). 
 
A entrada está ligada na base e a 
saída no coletor. 
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Caracterísitcas do Emissor Comum 
Collector Characteristics Base Characteristics 
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Emissor Comum Amplificador de Corrente 
Correntes Ideais 
 
 IE = IC + IB IC = a IE 
Actual Currents 
 
IC = a IE + ICBO 
Onde IB = 0 A o transistor está em corte, mas existe alguma corrente 
minoritária chamada ICEO. 
μA 0


BI
CBO
CEO
α
I
I
1
where ICBO = corrente do coletor minoritária 
14 
ICBO é, usualmente, tão pequena que pode ser ignorada. Exceto em 
transistores de alta potência e altas temperaturas. 
Beta () 
Em modo DC: 
Em modo AC: 
 Representa um fator de amplificação do transitor. ( é 
referido, algumas vezes, como hfe, um termo utilizado em 
cálculo de modelo de transistor) 
B
C
I
I
β dc
constantac 



CEV
B
C
I
I
15 
Determinando  pelo gráfico 
Beta () 
108
A 25
mA 2.7
β 7.5VDC CE


 
100
μA 10
mA 1
μA) 20 μA (30
mA) 2.2mA (3.2
β
7.5V
AC
CE






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Relação entre a amplificação  e a 
1β
β
α


1α
α
β


Beta () 
Relação entre as correntes 
BC βII  BE 1)I(βI 
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Coletor Comum Configuração 
A entrada é na base a 
saída está no emissor. 
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Configuração Coletor Comum 
As características são 
semelhantes aos da 
configuração de emissor 
comum, com exceção do 
eixo vertical que é IE. 
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VCE está no máximo and IC está no 
mínimo (ICmax= ICEO) a região de corte 
 
IC é máximo and VCE e mínimo (VCE 
max = VCEsat = VCEO) na região de 
saturação. 
 
O transistor opera na região ativa 
entre saturação e corte. 
Limites de operação de cada configuração 
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Potência Dissipada 
Coletor Comum: 
CCBCmax IVP 
CCECmax IVP 
ECECmax IVP 
Base Comum: 
Emissor Comum: 
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Datasheet de um Transistor Típico 
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Datasheet de um Transistor Típico 
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Teste de Transistor 
• Traçar Curva 
Levantar uma curva característica. 
 
• DMM 
Alguns DMM medem DC ou hFE. 
 
• Ohmmímetro 
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Terminal de identificação do transistor 
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