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AV BDQ Eletronica de potência Prova

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26/04/2015 BDQ Prova
http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_ead_ens_preview.asp?cript_hist=2085759520 1/2
   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
Simulado: CCE0446_SM_201001331222 V.1   Fechar
Aluno(a): FABIO FERREIRA GOMES Matrícula: 201001331222
Desempenho: 0,5 de 0,5 Data: 17/04/2015 15:44:48 (Finalizada)
  1a Questão (Ref.: 201001507291) Pontos: 0,1  / 0,1
O ponto de partida para o estudo dos semicondutores é o cristal de silício de quatro valências em uma pureza
na qual, dentre 10E90 átomos de silício, há apenas um átomo estranho presente no cristal. Na formação do
cristal, todos os quatro elétrons de valência de cada átomo são usados para manter as ligações dentro da
cadeia. Em relação a esse tipo de semicondutor estão certas as afirmativas abaixo, EXCETO a alternativa:
  Quando o cristal está sujeito a um campo elétrico, os elétrons e lacunas movem­se no cristal na mesma
direção e sentido.
Em baixas temperaturas, o cristal comporta­se como um isolante.
Os átomos sem elétrons carregados positivamente, podem capturar novos elétrons e são chamados de
lacunas quando nesta condição.
Em altas temperaturas, os elétrons de valência, como resultado do aumento de energia, podem
temporariamente deixar suas posições no átomo e se mover como elétrons livres.
Os átomos aos quais os elétrons pertenciam ficam carregados positivamente devido à saída do elétron.
  2a Questão (Ref.: 201001507244) Pontos: 0,1  / 0,1
Os inversores de tensão são conversores estáticos destinados a controlar o fluxo de corrente entre uma fonte
de tensão de corrente continua e uma carga em corrente alternada. Suas principais aplicações são indicadas a
seguir EXCETO:
Acionamento de máquinas elétricas de corrente alternada.
Sistemas de alimentação ininterrupta, em tensão alternada a partir de uma bateria.
Fontes chaveadas
  Amplificador de potência na transmissão de rádio freqüência na faixa de microondas.
Aquecimento indutivo.
  3a Questão (Ref.: 201001507498) Pontos: 0,1  / 0,1
Um retificador de doze pulsos é essencialmente constituído de duas pontes de seis pulsos conectadas em
paralelo por um transformador de interfase para assegurar balanceamento de corrente apropriado entre as
duas pontes. A entrada para as duas pontes é provida por dois enrolamentos separados no secundário do
transformador do retificador. Um dos enrolamentos é conectado em delta enquanto o outro é conectado em
estrela. Este tipo de circuito provê um deslocamento de que tipo? Qual o tipo de retificador é descrito aqui?
Deslocamento de duas fases e por isso é chamado retificador bifásico.
Deslocamento de uma fase e por isso é chamado retificador monofásico.
Deslocamento de quatro fases e por isso é chamado retificador polifásico.
  Deslocamento de seis fases e por isso é chamado retificador hexafásico.
Deslocamento de três fases e por isso é chamado retificador trifásico.
  4a Questão (Ref.: 201001507345) Pontos: 0,1  / 0,1
A formação de camadas em um diodo de potência consiste de uma camada tipo N com alta dopagem (N+,
26/04/2015 BDQ Prova
http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_ead_ens_preview.asp?cript_hist=2085759520 2/2
chamada substrato), logo acima desta, vem outra camada também tipo N com dopagem mais leve (N­) e
espessura especificada. Dessa forma é obtida a junção PN, formada pela difusão de uma camada tipo P com
alta dopagem (P+) que forma o anodo do diodo. O tamanho destas camadas variará de acordo com a corrente
e tensão nominais do diodo. Em relação a camada N­ estão corretas as afirmativas abaixo EXCETO:
Em diodos de pequena potência, a queda de tensão durante a condução é considerada como constante
sendo da ordem de 0,7 V a 1,0 V. Para diodos de potência, esta estimativa não seria bem verdadeira,
pois se estaria desprezando a queda ôhmica'naregiãodearras→(N­
),esãoestasperdasquelimitamapotênciadodiod⊙
A camada N­ é um tanto larga para altas tensões reversas, e estabelece a tensão reversa máxima
suportada pelo diodo.
  O valor da resistência ôhmica na região de arrasto (N­) no estado de condução é bem maior que o
esperado, tomando por base a geometria do diodo, devido à grande quantidade de portadores injetados
nesta região.
A camada N­, geralmente chamada de região de arrasto, é a característica não encontrada nos diodos
comuns de sinal. Sua função é absorver a camada de depleção da junção P+N­ quando o cristal é
reversamente polarizado.
A camada N­ é longa e relativamente com baixa dopagem, por isso tenderia a apresentar uma alta
resistência ôhmica quando o diodo estivesse sendo diretamente polarizado, se não fosse a quantidade
de portadores injetados nesta região devido à polarização direta.
  5a Questão (Ref.: 201001507366) Pontos: 0,1  / 0,1
Nos diodos a resistência elétrica é muito baixa para a polaridade direta e muito alta para a polaridade reversa.
Devido a esta propriedade, os diodos são usados para retificar tensões e correntes alternadas. As aplicações
citadas a seguir dependem da retificação de corrente proporcionada pelo uso do diodo, EXCETO na alternativa:
Voltímetros e Amperímetros de corrente alternada.
Fontes de tensão DC.
Em iluminação com utilização de LED.
  Em qualquer ventilador.
Na saída do alternador.

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