Materias Elétricos Respostas

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Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
 Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
Um aluno do curso de Engenharia, conhecedor das propriedades elétricas dos materiais, recebeu a tarefa de aumentar a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 20 ohms para 30 ohms. Considerando-se que não haverá variação na área da seção reta do material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 5m, pode-se dizer que:
 O novo comprimento deverá ser de 7,5m.
Na temperatura de 25oC mediu-se o valor da resistência de um resistor e obteve-se 12,2 Ω. O material do qual é feito o resistor apresenta um coeficiente de temperatura igual a 0,0042 oC-1. Determine o valor da nova resistência na temperatura de 60oC.
 13,99 ohms
Após completar a disciplina Materiais Elétricos, você compreende os parâmetros que determinam a resistência elétrica de um material. Desta forma, desejando aumentar a resistência elétrica de uma bobina em 20% através da diminuição da seção reta do condutor que a compõe (mantendo-se o comprimento do fio), expresse a diminuição porcentual da nova seção reta em relação a seção reta original.
	16,7%
Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3)
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
	V=R.i
Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento elétrico semelhante ao da borracha, podemos citar:
 Isopor, madeira e água destilada e deionizada.
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
0,09 cm2
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
1,44 x 10-6 Ω.cm
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,38 mm2.
347,4 mili ohms
Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 1,6 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2.
12 mili ohms
Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente elétrico. Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os elétrons sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve este fenômeno é:
Mobilidade elétrica.
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
18,27 cm
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
5,33 cm
Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos.
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por s=p.I e I.mh, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e .mh é mobilidade dos buracos.
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3 átomos de Boro, considerando mh = 0,05m2/V.s
 400 (ohm.m) -1
Em semicondutores, devemos considerar que sempre que ¿criamos¿ uma carga negativa, automaticamente "criamos" uma carga positiva (lei da conservação das cargas), que está associada ao conceito físico de vazio (volume deixado pela saída do elétron), "buraco" ou, em inglês, hole.
A condutividade elétrica nos semicondutores intrínsecos é dependente da movimentação dos portadores de carga negativos (elétrons) e positivos (buracos) da seguinte forma: σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh, onde σ é a condutividade elétrica do material (ohm.m)-1; onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3), respectivamente І e І é o módulo da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), µe e µh são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente.
Considerando o exposto, pode-se afirmar que:
Nos condutores intrínsecos, tem-se N=P e, portanto, pode-se escrever que σ = N ІeІ (µe + µh).
Que átomos de impureza são utilizados na dopagem do silício para formar um semicondutor tipo n?
Átomos com 5 elétrons na camada de valência.
Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
 Resistência
A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados com elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que a incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização.
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um semicondutor extrínseco.
Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os elétrons livres colidem coma estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vibração se transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia quantizada denominada de fônon. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). Com relação ao exposto, podemos afirmar que:
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão r=r0+aT, onde r0 e a ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
Reta.
Do ponto de vista tecnológico, a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica.
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar:
A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem.
A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
Semicondutores, como a palavra sugere, podem apresentar comportamento condutor ou isolante, dependendo da temperatura de utilização, no caso de condutores intrínsecos. Entre os materiais mais utilizados com estas características, encontram-se o germânio, o silício e o arseneto de gálio. No intuito de entender o comportamento destes materiais, diversas teorias físicas foram criadas, introduzindo conceitos novos, como a mobilidade elétrica de elétrons, me, e de buracos, mb. Com relação ao conceito de mobilidade elétrica, assinale a opção CORRETA:
me > mb
Alguns componentes eletrônicos fazem uso de semicondutores extrínsecos e intrínsecos conjuntamente, sendo necessário que na temperatura de trabalho, o semicondutor intrínseco possua condutividade inferior a condutividade do extrínseco. No gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013%. Baseado nestas informações, marque a opção correta. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco provavelmente funcionará sem problemas referentes a condutividade.
A condutividade de um semicondutor varia com diversos parâmetros, entre os quais podemos citar a concentração de portadores de carga, a mobilidade destes portadores, o estado de deformação plástica do material e a temperatura, entre outros parâmetros. Com relação a dependência da temperatura em particular, tem-se que a condutividade varia segundo a expressão s = Cn T-3/2 e (-Eg/2kT), na qual "C" é uma constante associada ao material, "T" é a tempera em Kelvin, "Eg" é a "energia de gap" e "k" é a constante de Boltzmann, igual a 8,62 x 10-5 eV/K.
Com base na expressão anterior, PODEMOS afirmar que:
A medida que a temperatura aumenta, a condutividade diminui.
Em 1951 o primeiro transistor, uma aplicação direta dos semicondutores, foi apresentado ao mundo comercial, porém somente em 1954 foi possível a produção em escala deste dispositivo eletrônico, após resolverem o problema de impurezas de ouro e cobre nas matrizes de silício e germânio, Com relação ao material motivador dos acontecimentos anteriormente descritos, os semicondutores, podemos afirmar que um grande número de modelagens físico-matemáticas foram desenvolvidas, entre as quais a que se refere a condutividade elétrica dos semicondutores extrínsecos tipo-p, na qual se expressa a predominância da concentração dos portadores de carga positiva, ou seja, dos buracos.
Com relação a esta expressão, qual das opções a seguir oferece a MELHOR representação.
s = p | e | mb
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)^(-1). Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10^20 m^(-3) e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09 m^2/V.S e 0,28 m^2/V.S, a concentração de elétrons é:
 618,57 x 10^19 m^-3
A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Efeito Hall.
O Germânio foi um dos elementos testados no início da microeletrônica para ser utilizado como semicondutor; porém, o mesmo possui algumas características diferentes com relação ao Silício; por exemplo, é muito comum em projetos de microcircuitos, utilizar como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m) -1.
Considerando-se o exposto anteriormente e sabendo-se que a condutividade elétrica do semicondutor de Germânio em função da temperatura é dada por ln s = 14 - 4.000. T-1 aproximadamente, onde T é a temperatura de trabalho em Kelvin, marque a opção correta abaixo:
O componente poderá trabalhar a temperatura de 150oC, que corresponde a temperatura de 423K na escala Kelvin.
Um capacitor é constituído por duas placas paralelas com 12 cm2 de área cada uma, espaçadas de 0,1 mm por um material cuja constante dielétrica é igual a 5. Determine o valor da capacitância assim obtida.
531 pF
Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram-se dois corpos, 1 e 2, suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa-se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, escolha a alternativa correta:
Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de movimentação, enquanto no corpo 2, isso não ocorre.
Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuema finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta
Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
Deseja-se construir um capacitor de 1,2 nF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem utilizadas.
120 cm2
Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio.
 Certo	13,5 m
Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
 Certo	64 mV
Uma forma de quantificar a polarização de um material dielétrico é através de seu momento de dipolo elétrico, dado pela expressão p=q.d, na qual "q" é a magnitude da carga do dipolo e "d" é a distância entre as cargas. Supondo que a manipulação físico-química do material tenha dobrado sua carga em alguns pequenos volumes do mesmo, assim como dividido por dois a distância entre as cargas de sinal oposto. Nos pequenos volumes do material mencionado anteriormente, determine como ficou o dipolo.
p
Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-se que a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opção correta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19)
C=(Q0 + Q´) / V
A característica básica dos materiais isolantes é a péssima capacidade de conduzir corrente elétrica. Devido a esta característica, são utilizados como dielétricos de capacitores e constituintes de equipamentos de proteção individual. Assinale o item que contenha informações corretas sobre esses materiais:
 Certo	Os cerâmicos representam os materiais mais abundantes na natureza. Possuem mecânicos.
Existem materiais que apresentam polarização elétrica espontânea a nível microestrutural, ou seja, mesmo na ausência de campos elétricos externos, estes materiais apresentam dipolos elétricos. Isto ocorre em conseqüência da combinação de cargas elétricas pertencentes a íons de sinais contrários e a assimetria geométrica da rede cristalina que compõem a substância, como mostrado na figura a seguir
A assimetria microestrutural pode ser observada nas medidas dos lados da célula unitária que compõem o material mostrado na figura anterior.
Entre as diversas propriedades dos materiais elétricos, há duas que merecem especial relevância devido a aplicação das mesmas nos dispositivos elétricos do dia a dia: a ferroeletricidade e a piezoeletricidade. Com relação a estes dois tipos de propriedade, NÂO podemos afirmar:
Os materiais piezoelétricos são aqueles que transformam luz em energia elétrica.
Para satisfazer a Taxa de Transmissão e Ocupação dos Pares, os projetos de Engenharia em Cabos Telefônicos internos e externos devem considerar os parâmetros elétricos e as condições físicas da rede. Das alternativas abaixo, assinale a única verdadeira.
 Certo	Os parâmetros elétricos podem ser Resistência elétrica, Atenuação, Perda de Retorno, outros Sinais e Crosstalk Next/Fext
Os fios elétricos utilizados em instalações prediais são específicos para este uso, apresentando como fator determinante para instalação o diâmetro (ou bitola) dos mesmos. Com relação a estes tipos de fio, NÃO podemos afirmar que:
Quanto maior for a seção reta do fio, menor é a sua resisitividade.
Contrariando o que se julgava definido, a partir de 1970, diversas linhas de pesquisa apresentaram como produto polímeros condutores, que chegavam a apresentar condutividade comparável a do Cobre.
Considerando os itens abaixo, assinale a opção correta:
Nos casos em que o peso do condutor é relevante, é interessante ter a opção de substituir o metal condutor por polímeros condutores.
Os semicondutores intrínsecos são aqueles que:
Possuem carga elétrica neutra
Os cabos telefônicos atualmente devem atender necessidades que permitem transmitir altas taxas de informações pelos pares metálicos usados na rede de telefonia, daí as inovações das especificações em recentes projetos dos fabricaantes destes cabos. Para o atendimento aos serviços de voz e banda larga, assinale a laternativa correta.
O sinal analógico composto para transmitir dados deve estar em uma faixa de frequência de 40kHz a 1,1MHz.
O uso de sistemas de fibras óticas provocou um aumento na velocidade de transmissão de dados, na densidade de informações, na distância de transmissão e redução na taxa de erro. Além disso, as fibras óticas não sofrem interferência de campos eletromagnéticos.
 Com relação às fibras óticas é incorreto afirmar que:
 Certo	A região denominada núcleo da fibra é oca.
A utilização de fibras óticas na transmissão de dados apresenta diversas vantagens, como por exemplo, o menor peso em relação ao material metálico que normalmente era utilizado, o Cobre.
O gráfico a seguir contém informações quanto às bandas de freqüência utilizadas.
 
Na frequência média de 0,85 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
Capacitores ou condensadores são componentes eletrônicos que armazenam energia quando submetidos a um campo elétrico. Define-se, então, a grandeza denominada capacitância, dada por C=e0(A/l), onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e eo é a permissividade do vácuo.
Considerando-se as informações anteriores, calcule o novo espaçamento que deve assumir as placas de um capacitor com er =2 e l=1mm quando for utilizado um dielétrico de er =4, considerando-se que a capacitância não deve ser alterad
 Certo	2 mm
Considerando um capacitor de placas paralelas com as seguintes características:
Área = 8.10-4 mm2, l = 3.10-3 m, er=5 (constante dielétrica do meio) e e0= 9.10-12 F/m, como mostra a figura a seguir, pode-se afirmar que o deslocamento dielétrico dado por D= e (V/L) é igual a
25,0 . 10-8 C/m2
A transmissão de dados com freqüências de modulação na faixa do GHz é típica de programações televisivas. Para que as mesmas ocorressem sem problema, foram projetados cabos coaxiais cuja estrutura é composta de diversos elementos, cada qual com sua função específica. Com relação a estes elementos, marque a opção incorreta:
Os elementos (1) e (2) possuem afinidade química para facilitar o fluxo de elétrons.
Nas figuras a seguir, têm-se representado um capacitor com vácuo entre as placas, um meio dielétrico e o capacitor com o meio dielétrico inserido. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Entre as opções a seguir, determine a opção correta que se aplica a ilustração anterior
Com a inserção do dielétrico e manutenção da diferença de potencial, tem-se o aumento da carga armazenada no capacitor. 
Os resistores são componentes que possuem a função básica de conversão de energia elétrica em energia térmica na forma de calor. A resistência é o parâmetro que descreve o comportamento dos resistores, medido em Ohm (Ω). Com relação a estes componentes elétricos,é INCORRETO afirmar:
 Certo	Os resistores são denominados de variáveis quando possuem uma variação desconhecida no valor da resistência durante a operação.
Georg Simon Ohm (1787-1854) lecionou Física na Universidade de Munique e em 1827 e foi um dos pioneiros na investigação de propriedades dos resistores, o que lhe conferiu a imortalidade científica através da associação de seu nome, Ohm, a quantificação da característica resistividade de um material. Entre as informações referentes a um resistor, não podemos afirmar que: (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3)
Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
O titanato de bário, mostrado na figura a seguir, é um material que apresenta polarização espontânea a nível microestrutural, ou seja, mesmo na ausência de campos elétricos externos, este material apresenta dipolos elétricos. 
São denominados de ferroelétricos.
A polarização é o alinhamento de momentos dipolares atômicos ou moleculares, permanentes ou induzidos, com um campo elétrico aplicado externamente. Existem três tipos ou fontes de polarização: eletrônica, iônica ou de orientação. Baseado nestas informações e na figura a seguir, os dois tipos de polarização mostrados na figura (a) e figura (b) são respectivamente:
Eletrônica e iônica
Assinale a alternativa que contém apenas resistores ajustáveis.
 Certo	Trimpot, potenciômetro.
As aplicações de telecomunicações, equipamentos médicos e controle, instrumentação e sensoriamento de grandezas físicas são críticas e exigem resistores de alta precisão. A escolha de um resistor de precisão para uma aplicação não envolve apenas a observação de sua tolerância. Pode-se afirmar que vários fatores podem influenciar o valor de um resistor de precisão. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com fator INCORRETO:
Indutância
Considere as seguintes afirmações:
I. Os resistores de película de filme de carbono são resistores de precisão, normalmente com tolerância de 1 ou 2%.
II. Os resistores de filme metálico são resistores de precisão, normalmente com tolerância de 1 ou 2%.
III. Os resistores de película de filme de carbono são resistores normalmente com tolerância de 5 ou 10%.
IV. Os resistores de fio suportam apenas correntes de valores reduzidos e dissipam pouca potência.
V. Os resistores de fio utilizam fios que são compostos de ligas que resultam em uma resistividade adequada para obter o valor da resistência desejado.
Das afirmações listadas acima, são verdadeiras as seguintes:
e) As afirmações II, III e V.
Resistores possuem uma ampla gama de aplicações, entre elas uma muito comum, que torna os nossos dias mais agradáveis, pois nos proporciona banhos quentes através do aquecimento da água em chuveiros elétricos. Entre as proposições associadas aos resistores é INCORRETO afirmar:
Os resistores que possuem indicativo de tolerância são considerados de menor precisão, razão de constar a informação de tolerância para alertar o usuário.
A classificação dos materiais magnéticos se baseia na capacidade dos mesmo em concentrar ou afastar as linhas do fluxo magnético que permeiam um material, o que é descrito pela permeabilidade magnética. Com relação a resposta de um material submetido a um campo magnético, PODEMOS classificá-lo como:
Antimagnético.
A popularização dos aparelhos de televisão tornou premente a intensificação dos meios de transmissão com freqüências moduladas em GHz, que deveriam então se estender por quilômetros. Para tanto, projetou-se o cabo coaxial mostrado na figura a seguir.
Com relação a estrutura do mesmo, somente uma opção não está correta, assinale-a:
O elemento (5) , interface entre os elementos (3) e (4) é uma cola condutora.
As formas de comunicação sofreram recentemente uma revolução com o desenvolvimento da tecnologia das fibras óticas. Enquanto os meios, outrora convencionais, se utilizam de sinais eletrônicos para a transmissão de informação, as fibras óticas se utilizam de sinais fotônicos, ou seja, fótons de radiações eletromagnéticas.
 
Com relação a este meio de transmissão de dados (fibras óticas), representado na figura a seguir, podemos afirmar que:
 A transmissão de fótons pelo núcleo da fibra ótica se deve a diferença do índice de refração entre o núcleo e casa da fibra.
Uma das aplicações mais importantes dos indutores são os transformadores, que são dispositivos que tem a função básica de aumentar ou diminuir a tensão. Para que estes funcionem corretamente, é essencial a escolha do núcleo do indutor de acordo com suas propriedades magnéticas. (GUSSOW, Milton. Eletricidade básica. 2.ed. SÃO PAULO: Makron-Books, 1996). Com relação aos indutores, podemos dizer que:
Indutores com núcleos de ar são constituídos por várias espiras, com alta capacidade de armazenamento de campo magnético e pequena saturação de corrente.
Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, em uma matriz de Silício, cuja valência é 4, promovemos o surgimento de "elétrons extras" na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste processo.
P^+5
A figura a seguir mostra uma reprodução artística de uma fibra ótica no momento da transmissão de dados em seu interior através de feixe fotônico. Percebe-se que o feixe permanece confinado entre o núcleo da fibra e suas paredes, garantindo que a informação não se perca ao longo do caminho.
 
Entre os itens abaixo, podemos apontar como correto:
O feixe fotônico não se perde devido a diferença entre os índices de refração do núcleo da fibra e as paredes.
Considerando-se as propriedades elétricas e a simetria da rede cristalina da figura a seguir. Pode-se dizer que a mesma pode pertencer a um material com que tipo de magnetização?
 
 ferroelétrico
Indutores são dispositivos que se utilizam das propriedades das bobinas de fios condutores e que possuem a função de armazenar energia através de campo magnético. Com relação a este dispositivo, identifique a resposta INCORRETA.
 Nos indutores de núcleo de ferro, não há corrente passando pela bobina, mas somente pelo núcleo de ferro.
Deseja-se construir um capacitor de 12 nF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem utilizadas.
1.201,3 cm2
Capacitores são dispositivos capazes de armazenar energia elétrica através do acúmulo de cargas elétricas em, por exemplo, placas paralelas. A capacitância de um capacitor desse tipo é dada por C = eo A/l, onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e eo= 9. 10-12 C2N-1m-2 é a permissividade do vácuo.
Considerando um capacitor de placas quadradas e paralelas, cuja distância entre as mesmas é igual ao triplo do lado das placas, que por sua vez é igual a 50mm, obtenha a capacitância do capacitor.
0,15 pF
Considere que um capacitor de placas paralelas separadas a 3 mm, com dimensões iguais a 100mm e 60 mm e constante dielétrica er igual a 6 foi submetido a uma diferença de potencial igual a 20V.
Sabe-se que a capacitância de um capacitor de placas paralelas é dada por C = eo (A/l), onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e eo= 9. 10-12 é a permissividade do vácuo.
 
Considerando as informações anteriores, determine o valor da carga armazenada em suas placas.
Considere que um capacitor de placas paralelas separadas a 3 mm, com dimensões iguais a 100mm e 60 mm e constante dielétrica er igual a 6 foi submetido a uma diferença de potencial igual a 20V.
Sabe-se que a capacitância de um capacitor de placas paralelas é dada por C = eo (A/l), onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e eo= 9. 10-12 é a permissividade do vácuo.
 
Considerandoas informações anteriores, determine o valor da carga armazenada em suas placas.
2.160 pC.
Deseja-se construir um capacitor de 180 nF utilizando-se duas placas paralelas com 250 cm2 de área cada uma e espaçadas de 0,01 mm. Determine o valor da constante dielétrica do material a ser utilizado.
8,14
A resistência de um material é uma propriedade física que depende da geometria e da quantidade em que o material se encontra. Matematicamente, a resistência, R, está relacionada a resistividade r do material através da relação R = r.l / A, onde A é a área da seção reta e l é o comprimento do material condutor, como ilustrado na figura a seguir.
 
  4R
 
Considerando-se que houve necessidade de estirar (esticar) o condutor, o que duplicou o seu comprimento e reduziu a metade a sua área, assinale entre as respostas a seguir aquela que melhor representa a nova resistência do condutor em função da resistência anterior R.
Os resistores são componentes eletrônicos que transformam energia elétrica em calo. Isto ocorre porque durante a movimentação dos elétrons ao longo do volume do material condutor, ocorrem milhares de choques com as diversas estruturas (discordâncias, inclusões, contornos de grão etc) e partículas que compõem o material (prótons, nêutrons e elétrons). Ao colidirem com as estruturas e partículas que compõem o condutor, os elétrons transferem parte de sua energia cinética, aumentando o estado vibratório de toda rede "cristalina" que constitui o material, o que se traduz em aumento de temperatura. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20).
 
Com relação aos tipos de resistores, podemos afirmar, com exceção de:
Os defeitos na rede cristalina de um condutor não interferem no valor da resistividade, uma vez que possuem ordem de grandeza inferior ao tamanho do elétron.
Capacitores são dispositivos capazes de armazenar carga quando submetidos à diferença de potencial elétrico. Em diversas situações de projeto de circuitos eletrônicos, há a necessidade de execução de cálculos como o exigido a seguir.
Considere que um capacitor de placas paralelas separadas a 3 mm, com dimensões iguais a 100mm e 30 mm e constante dielétrica er igual a 6 foi submetido a uma diferença de potencial igual a 20V.
Sabe-se que a capacitância de um capacitor de placas paralelas é dada por C = eo (A/l), onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e eo= 9. 10-12 é a permissividade do vácuo.
 
Considerando as informações anteriores, determine o valor da capacitância.
54 pF
O resistor de aquecimento de um forno é constituído por um fio de 2m de comprimento e 1mm2 de seção. Quando ligado a uma tensão de 220V dissipa uma potência de 4,4 kW. A resistividade do material do fio em Ohmxm. é de:
5,5 x 10-6