SIMULADO AV1 ELETRÔNICA 2019

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Disc.: ELETRÔNICA   
	Aluno(a): RAFAEL 
	
	Acertos: 2,0 de 2,0
	28/08/2019
	
	
	1a Questão (Ref.:201608621924)
	Acerto: 0,2  / 0,2
	O transistor NPN da figura abaixo está polarizado e operando na região ativa. Nessas condições, o transistor opera com β=400β=400e VBE=0,6VVBE=0,6V. Com base nos dados do circuito, o valor aproximado da corrente IBIB em μAμA é:
		
	
	3,5
	 
	2,5
	
	5,5
	
	1,5
	
	4,5
	
	
	
	2a Questão (Ref.:201607615039)
	Acerto: 0,2  / 0,2
	No circuito abaixo determine o valor da corrente I e o valor da tensão Vo.  Considere que se o diodo de silício estiver diretamente polarizado e consequentemente conduzindo, a queda de tensão considerada será de 0,7 V.
		
	
	Vo = 6,6 V                    I = 3 mA
	 
	Vo = 8,6 V                    I = 3,91 mA
	
	Vo = 8,6 V                    I = 3 mA
	
	Vo = 7,3 V                    I = 3 mA
	
	Vo = 9,3 V                     I = 3,91 mA
	
	
	
	3a Questão (Ref.:201607614907)
	Acerto: 0,2  / 0,2
	Em uma primeira aproximação considera-se o diodo como um componente ideal, que quando conduz é considerado um curto.  No circuito a seguir, considerando o diodo ideal, determine o valor da tensão Vo.
		
	 
	Vo = 5 V
	
	Vo = 10 V
	
	Vo = 7,5 V
	
	Vo = 2,5 V
	
	Vo = 6,5 V
	
	
	
	4a Questão (Ref.:201607614897)
	Acerto: 0,2  / 0,2
	Em uma primeira aproximação considera-se o diodo como um componente ideal, que quando conduz é considerado um curto.  No circuito a seguir, considerando os diodos ideais, determine o valor da tensão Vo.
		
	
	Vo = -8 V
	 
	Vo = 0 V
	
	Vo = 12 V
	
	8 V
	
	Vo = -12 V
	
	
	
	5a Questão (Ref.:201608550095)
	Acerto: 0,2  / 0,2
	São terminais de um transistor bipolar:
		
	
	Gate, dreno e fonte
	
	Catodo anodo e gate
	
	Base, dreno e supridouro
	 
	Base, coletor e emissor
	
	base1 base2 e emissor
	
	
	
	6a Questão (Ref.:201608621921)
	Acerto: 0,2  / 0,2
	O transistor NPN da figura abaixo está polarizado e operando na região ativa. Nessas condições, o transistor opera com β=500 e VBE=0,6V. Com base nos dados do circuito, o valor aproximado da corrente IB em μA é:
		
	 
	2
	
	1
	
	5
	
	4
	
	3
	
	
	
	7a Questão (Ref.:201608550099)
	Acerto: 0,2  / 0,2
	São terminais de um FET:
		
	 
	Gate, dreno e fonte
	
	Base, coletor e emissor
	
	base1 base2 e emissor
	
	Catodo anodo e gate
	
	Base, dreno e supridouro
	
	
	
	8a Questão (Ref.:201607614881)
	Acerto: 0,2  / 0,2
	Em uma primeira aproximação considera-se o diodo como um componente ideal, que quando conduz é considerado um curto.  No circuito a seguir, considerando os diodos ideais, indique quais deles conduzem e quais não conduzem.
		
	
	D1 não conduz                D2 conduz                  D3 conduz
	
	D1 conduz                     D2 não conduz            D3 não conduz
	
	D1 não conduz             D2 não conduz             D3 não conduz
	 
	D1 não conduz             D2 conduz                     D3 não conduz
	
	D1 conduz                     D2 conduz                    D3 conduz
	
	
	
	9a Questão (Ref.:201608637488)
	Acerto: 0,2  / 0,2
	Para uma tensão de entrada (Vi) menor que a tensão do diodo Zener (Vz), a tensão de saída (Vo) será:
		
	
	menor que a tensão de entrada (Vi).
	
	Igual à tensão Zener (Vz).
	 
	Igual à tensão de entrada (Vi).
	
	a soma da tensão de entrada (Vi) com a tensão do diodo Zener (Vz).
	
	maior que a tensão de entrada (Vi).
	
	
	
	10a Questão (Ref.:201608565084)
	Acerto: 0,2  / 0,2
	Um transistor está sendo utilizado para uma aplicação que trabalha apenas em sua zona de corte e de saturação. Podemos dizer que esta é uma aplicação de:
		
	 
	Chave semicondutora
	
	Chave inversora
	
	Chave magnética
	
	Configuração darlington
	
	Chave direta