MICROELETRÔNICA - Semana 6

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1 ptsPergunta 1
Somente as afirmativas II e III estão corretas.
Somente a afirmativa I está correta.
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Todas as afirmativas estão corretas.
Somente a afirmativa II está correta.
Em relação à epitaxia na fabricação de circuitos integrados, podemos afirmar que:
É um processo de deposição de um material sobre o substrato no qual o substrato
funciona como semente, influenciando o processo.
I.
Basicamente, existem dois tipos de epitaxia: homoepitaxia e heteroepitaxia.II.
Na epitaxia normalmente é utilizado como técnica: o CVD (Chemical Vapor Deposition)
ou o MBE (Molecular Beam Epitaxy).
III.
1 ptsPergunta 2
Somente a afirmativa I está correta.
Somente as afirmativas I e III estão corretas.
Somente as afirmativas II e III estão corretas.
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Todas as afirmativas estão corretas.
Como características do processo de epitaxia, podemos afirmar que:
Permite crescer regiões volumétricas homogeneamente dopadas.I.
Uma das vantagens associadas a essa técnica é o fenômeno de autodopagem.II.
É possível a produção de silício monocristalino, silício policristalino ou ainda de um
processo de corrosão através da variação das quantidades de tetracloreto de silício
(SiCl ) e hidrogênio (H ).
III.
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1 ptsPergunta 3
Com relação ao silício policristalino dopado que pode ser obtido pelo processo de eptaxia,
podemos afirmar que:
Somente a afirmativa I está correta.
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Todas as afirmativas estão corretas.
Somente a afirmativa II está correta.
Somente as afirmativa II e III estão corretas.
Possui uma condutividade elevada, permitindo sua utilização como contato de porta.I.
O seu uso permitiu aumentar a capacidade dos circuitos, possibilitando um maior
número de interconexões, uma vez que admitiu a realização de outros processos a
altas temperaturas durante a fabricação, o que não seria possível somente com a
utilização de metais.
II.
As suas características de condutividade são devidas grandemente ao seu efeito
autodopante.
III.
1 ptsPergunta 4
somente no sentido lateral.
somente no sentido transversal.
somente através de perda dopante para o ambiente.
somente no sentido vertical.
no sentido vertical, lateral e através de perda dopante para o ambiente.
Podemos afirmar que o fenômeno de autodopagem ocorre:
1 ptsPergunta 5
Somente as afirmativas II e III estão corretas.
Somente a afirmativa II está correta.
Com relação ao processo de metalização em circuitos integrados, podemos afirmar que:
O alumínio é o metal mais utilizado para fazer as interconexões de CIs.I.
Nos níveis superiores, as interconexões são mais espessas e, nos níveis inferiores,
nas conexões feitas com os dispositivos entre si, as conexões são mais finas.
II.
São exemplos de materiais utilizados para realizar as interconexões: o silício
policristalino, o cobre e os silicetos.
III.
Todas as afirmativas estão corretas.
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Somente a afirmativa I está correta.
1 ptsPergunta 6
evaporação térmica, electron beam, sputtering.
oxidação térmica, implantação iônica, eletrodeposição.
autodopagem, raios X, deposição catiônica.
magnetron, reativo, por cinética de crescimento.
difusão, epitaxia, deposição plasmática.
São exemplos de processos de metalização por deposição:
1 ptsPergunta 7
Evaporação térmica.
Sputtering.
Feixe de elétrons.
Oxidação térmica.
Spin casting.
Dos itens relacionados abaixo, qual consiste em um processo de metalização por deposição
livre de contaminação?
1 ptsPergunta 8
Implantação Iônica.
Dos itens relacionados abaixo, qual representa um processo de metalização por deposição
que tem a desvantagem de poder gerar raio X durante o processo de deposição?
Spin casting.
Epitaxia.
Electron beam.
Sputtering.
1 ptsPergunta 9
Somente a afirmativa I está correta.
Somente a afirmativa III está correta.
Somente as afirmativas II e III estão corretas.
Somente a afirmativa II está correta.
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Podemos afirmar, em relação a técnica de sputtering:
É utilizado o argônio que incide sobre um material de interesse (cátodo alvo),
liberando o material ionizado que, através de uma diferença de potencial, é atraído e
depositado sobre o substrato.
I.
Apresenta menor contaminação em relação à técnica de evaporação térmica.II.
Tem como principal limitante sua incapacidade de ser aplicada para deposição de
ligas.
III.
1 ptsPergunta 10
Somente a afirmativa III está correta.
Somente as afirmativas II e III estão corretas.
Somente a afirmativa II está correta.
Somente a afirmativa I está correta.
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Em relação aos siciletos, podemos afirmar que:
É o nome dado às regiões do substrato de silício nas quais se aplica autodopagem.I.
O siliceto é obtido por meio de um processo de recozimento, no qual, através do
emprego de algum metal, obtém-se uma liga com baixa resistência de contato.
II.
São normalmente utilizados para realizar o contato entre o silício e o metal.III.