Prévia do material em texto
Unidade 1b Diodos Semicondutores – parte 2 1 Diodo Ideal 2 Curto-circuito Circuito aberto ID (limitada pelo circuito) Diodo Ideal 3 Diodo Ideal (resumo) 4 O diodo ideal se comporta como uma chave que teria a capacidade de conduzir corrente em apenas um sentido: do anodo para o catodo. Diodo Real: Vantagens do Silício 5 Tensão de Ruptura Inversa (PIV) máxima Temperatura máxima Silício 1.000 V 400 ºC Germânio 400 V 100 ºC Diodo Real: Desvantagem do Silício Tensão de Limiar (VT) Silício 0,7 V Germânio 0,3 V Diodos Reais: Silício e Germânio 7 Diodo Real: Efeito da Temperatura no Silício 8 EFEITO EM Is: Is dobrará o valor para cada aumento de 10 ºC. Is Diodo Real: Resistências 9 São calculadas 2 resistências: Resistência CC ou Estática Resistência CA ou Dinâmica Diodo Real: Resistência CC ou Estática (RD) 10 Q Diodo Real: Resistência CC ou Estática 11 Diodo Real: Resistência CA ou Dinâmica (rd) Sinal CA move o ponto de operação para cima e para baixo, em torno de Q. 12 Diodo Real- Resistência CA: determinação gráfica Reta tangente no ponto Q define as variações na tensão e na corrente, usadas no cálculo da resistência CA ou dinâmica para essa região na curva do diodo. Quanto mais baixo o ponto Q, mais alta a resistência CA. 13 Diodo Real- Resistência CA: determinação gráfica Exemplo 2: Determine a resistência AC em ID = 2mA 14 Equação para cálculo da Resistência CA (rd ) 15 , já que ID >> IS ( outra forma de cálcular rd usando apenas a corrente no ponto Q. ) Id Vd Diodo Real: Resistência CA Média (rav) Para sinal com grande amplitude. Usamos a reta secante entre os pontos extremos do intervalo. 16 Circuito Equivalente de um Dispositivo É a combinação de elementos que melhor representa as características reais do dispositivo. Com ele podemos substituir o símbolo do dispositivo e fazer a análise do circuito. Para o diodo existem 3 opções: circuito linear por partes; circuito simplificado; circuito ideal . 17 Diodo Ligado: Circuito Linear por Partes (Exemplo) 18 Diodo Ideal rav rav Bateria VT (tensão de limiar) tem direção oposta à da condução do diodo. Resistência CA média (rav) é obtida na parte inclinada da poligonal azul (aproximação da curva). Diodo Real: Circuito Linear por Partes 19 rav VT Para o diodo de silício do exemplo, se IF = 10mA para VD = 0,8 V, temos: Circuito Linear por partes: Cálculo 20 rav VT Diodo Real: Circuito Simplificado Em Eletrônica de pequenos sinais, rav pode ser desprezada, por ser muito pequena em relação aos valores típicos de resistências dos circuitos destas aplicações. 21 Diodo: Uso do Circuito Ideal Em Eletrônica de Potência, fazemos VT = zero, já que 0.7V é muito pequeno em relação aos valores típicos de tensão nestas aplicações. 22 Diodos: Folha de Dados do Fabricante Dados mais importantes: Tensão direta máxima VF (em corrente e temperatura específicas) Corrente direta máxima IF (a uma temperatura específica) Corrente de saturação reversa Is . Tensão reversa nominal (PIV ou TPR, ou V(BR) ) - (a uma temperatura específica) Valor máximo de dissipação de potência (a uma temperatura específica) Valores de capacitância. Tempo de recuperação reversa. Faixa de temperatura de operação. 23 Diodos: Folha de Dados do Fabricante Dependendo do tipo de diodo utilizado, pode-se fornecer dados adicionais, tais como: faixa de freqüência, nível de ruído, tempo de chaveamento. A potência máxima é dada por : Utilizando o modelo simplificado, temos: VD = 0,7 V (Si) 24 Parâmetros de alguns Diodos Retificadores Diodo Tensão de Ruptura (PIV) ID máxima IS (25ºC) IS (100ºC) IN914 75 V 100 mA IN4001 50 V 1 A 50 pA 1µA IN1185 120 V 35 A IN4007 1000 V 1 A Diodos Zener 26 Diodo Zener: sentido de condução Diodo Semicondutor(estado ligado): corrente no sentido da seta Diodo Zener: sentido de condução é oposto ao da seta. Potencial Zener (VZ ): varia entre 1,8V a 200V, com potências entre ¼ a 50W. 27 Diodo Zener: circuito equivalente na região Zener rz: resistência dinâmica 28 1N959 8,2 400 mW 1N5250 20 500 mW 1N5335 3,9 5 W 1N960 9,1 400 mW 1N5251 22 500 mW 1N5336 4,3 5 W 1N961 10 400 mW 1N5252 24 500 mW 1N5337 4,7 5 W 1N962 11 400 mW 1N5254 27 500 mW 1N5338 5,1 5 W 1N963 12 400 mW 1N5256 30 500 mW 1N5339 5,6 5 W 1N964 13 400 mW 1N5257 33 500 mW 1N5340 6,0 5 W 1N965 15 400 mW 1N5258 36 500 mW 1N5341 6,2 5 W 1N966 16 400 mW 1N5259 39 500 mW 1N5342 6,8 5 W 1N967 18 400 mW 1N5260 43 500 mW 1N5343 7,5 5 W 1N968 20 400 mW 1N5261 47 500 mW 1N5344 8,2 5 W 1N969 22 400 mW 1N5262 51 500 mW 1N5345 8,7 5 W 1N970 24 400 mW 1N5263 56 500 mW 1N5346 9,1 5 W 1N971 27 400 mW 1N5265 62 500 mW 1N5347 10 5 W 1N972 30 400 mW 1N5266 68 500 mW 1N5348 11 5 W 1N973 33 400 mW 1N5267 75 500 mW 1N5349 12 5 W 1N974 36 400 mW 1N5268 82 500 mW 1N5350 13 5 W PRINCIPAIS DIODOS ZENER (com tensão Vz e potência Pz ) Clique para editar os estilos do texto mestre Segundo nível Terceiro nível Quarto nível Quinto nível 1N976 43 400 mW 1N5271 100 500 mW 1N5352 15 5 W 1N977 47 400 mW 1N4728 3,3 1 W 1N5353 16 5 W 1N978 51 400 mW 1N4729 3,6 1 W 1N5354 17 5 W 1N979 56 400 mW 1N4730 3,9 1 W 1N5355 18 5 W 1N980 62 400 mW 1N4731 4,3 1 W 1N5356 19 5 W 1N981 68 400 mW 1N4732 4,7 1 W 1N5357 20 5 W 1N982 75 400 mW 1N4733 5,1 1 W 1N5358 22 5 W 1N983 82 400 mW 1N4734 5,6 1 W 1N5359 24 5 W 1N984 91 400 mW 1N4735 6,2 1 W 1N5361 27 5 W 1N985 100 400 mW 1N4736 6,8 1 W 1N5362 28 5 W 1N986 110 400 mW 1N4737 7,5 1 W 1N5363 30 5 W 1N987 120 400 mW 1N4738 8,2 1 W 1N5364 33 5 W 1N988 130 400 mW 1N4739 9,1 1 W 1N5365 36 5 W 1N989 150 400 mW 1N4740 10 1 W 1N5366 39 5 W 1N990 160 400 mW 1N4742 12 1 W 1N5367 43 5 W 1N991 180 400 mW 1N4743 13 1 W 1N5368 47 5 W 1N992 200 400 mW 1N4744 15 1 W 1N5369 51 5 W 1N5221 2,4 500 mW 1N4745 16 1 W 1N5370 56 5 W 1N5222 2,5 500 mW 1N4746 18 1 W 1N5371 60 5 W 1N5223 2,7 500 mW 1N4747 20 1 W 1N5372 62 5 W 1N5224 2,8 500 mW 1N4748 22 1 W 1N5373 68 5 W Clique para editar os estilos do texto mestre Segundo nível Terceiro nível Quarto nível Quinto nível Diodo Emissor de Luz (LED) Recombinação de elétron e lacuna na junção gera emissão de energia. Si e Ge: emite energia, principalmente em forma de calor. Fosfeto de arsenieto de gálio(GaAsP ) ou fosfeto de gálio(GaP): emitem energia principalmente em forma de luz. VD na faixa de 1,7 V a 3,3 V. 31 9- 325Ω 10- 54,67Ω 11- a)3Ω ; b)2,6 Ω 12- usando a eq.(1.6): 55Ω, para 1mA; 2Ω, para 15mA; usando a eq.(1.7): 52Ω, para 1mA; 1,73Ω, para 15mA;