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1 Aula 07 Espectros eletrônicos de Complexos de MT Prof. Dr. Marco Antônio SCHIAVON QUÍMICA DE COORDENAÇÃO 1 Objetivos desta aula Entender os processos que levam à absorção de energia nos complexos metálicos. 2 2 Espectro Eletrônico Importantes Considerações: •Amplitude do desdobramento do campo ligante são tais que as energias das transições eletrônicas correspondem à absorção da radiação eletromagnética. •Presença de Repulsões elétron-elétron •Repulsões e-e alteram as frequências de absorção dos desdobramentos do campo ligante. • Repulsões e-e foram originalmente determinadas pela análise dos átomos e íons em fase gasosa. 3 [Ti(OH2)6]3+ Espectro Eletrônico 4 3 Tipos de bandas de absorção em complexos As repulsões e-e resultam em absorções múltiplas no espectro eletrônico [Cr(NH3)6]3+ d3 5 Bandas dos espectros eletrônicos de complexos 1. número (quantas são?) Depende da configuração eletrônica do metal central do complexo. 2. posição (qual comprimento de onda/energia) Isto depende do campo ligante (parâmetro de desdobramento do campo ligante) e de repulsões entre os elétrons dos orbitais d. 3. intensidade Isto depende da “permissão" que a transição tem para ocorrer (2 regras de seleção). 6 4 Energia das Transições Energia de rotação molecular (0,01 - 1 kJ mol-1) Radiação microondas Transições eletrônicas de Maior energia (100 - 104 kJ mol-1) Radiação UV e Visível Energia de vibração molecular (1 - 120 kJ mol-1) Radiação IV Estado fundamental Estado Excitado Durante uma transição eletrônica: O complexo absorve energia Elétrons mudam de orbitais O complexo muda o estado de energia 7 Como medir os espectros eletrônicos Esquema de um espectrofotômetro UV/Vis com arranjo de diodos. 8 5 Absorção Absorção da radiação promovendo uma transição eletrônica. UV = transições mais energéticas visível = transições de baixa energia UV 400 l / nm (comprimento de onda) 200 700 visível Absorção ~14 000 50 00025 000 UVvisível n / cm-1 (frequência)- [Ru(bpy)3]2+ [Ni(H2O)6]2+ 10 104 O que é espectroscopia eletrônica? 9 Tipos de Transição eletrônica de compostos de coordenação 10 6 Bandas do Ligante 11 Bandas do Contra-íon 12 7 Bandas de transferência de carga 13 Bandas de Transferência de carga do L® M 14 8 Bandas de Transferência de carga do M® L 15 Bandas de Transferência de carga M® M 16 9 Transições eletrônicas em complexos 17 Transições d-d 18 10 eg t2g Do hn Transição d-d [Ti(OH2)6]3+ lmax = 510 nm Do é \ 243 kJ mol-1 20 300 cm-1 A energia da absorção do íon [Ti(OH2)6]3+ é o Do Um elétron muda de orbital; O íon muda seu estado de energia Complexo no estado fundamental complex o no Estado Eletrônico excitado GS ES GS ES eg t2g 19 Limitação da Teoria do Campo Ligante TCL assume que não há repulsão entre os elétrons!!! [Ni(OH2)6]2+ = d8 2+ Ni A 3 bandas de absorção eg t2g Repulsão entre os elétrons nos orbitais d tem efeito sobre a energia de todo o íon 15 00025 000 n / cm-1- 20 11 Transições d-d 21 [Cr(NH3)6]3+ (d3) Espectro de absorção óptico de [Cr(NH3)6]3+ dz2¬ dxy d z2 ¬ dzx t2g eg eg ¬ t2g Transições d-d 22 12 Repulsão elétron-elétronÍon d2 eg t2g xy xz yz z2 x2-y2 eg t2g xy xz yz z2 x2-y2 xz + z2 xy + z2 Lobos se sobrepõem, repulsão alta dos elétrons Lobos distantes, pequena repulsão dos elétrons x z x z y y Estas duas configurações eletrônicas não tem a mesma energia!!!!! 23 Derivando os termos em um íon livre - Um elétron é completamdente definido por 4 números quânticos n = 1,2,3… (energia e distância do núcleo, ou seja, que camada...) l = 0, 1, 2…momento angular orbital (que tipo de orbital, s, p, d…) ml = -l…+l componente espacial de l (que tipo de orientação: para d: xy, xz…) ms = momento angular spin (contribuição de elétrons desemparelhados, spin 1/2) - Um íon pode ser definido usando números quânticos iônicos que são construídos com a contribuição de todos os elétrons num íon. ..…estes definem o íon todo! Configurações eletrônicas de mesma energia são colocados juntos em um termo 24 13 Cada estado eletrônico tem seu próprio termo 2S+1 L Multiplicidade de spin L = 0 termo SL = 1 termo P L = 2 termo D L = 3 termo F Dentro de cada termo pode haver microestados degenerados com diferentes ML e MS Acoplamento Russel Saunders L = 0, 1, 2…momento angular orbital total (termo) ML = -L…+L componente de L (ML = S ml) S = número quântico spin total (S = S s) Ms = -S….+S componente de S (MS = S ms) Números quânticos iônicos: 25 Termos espectroscópicos – Níveis de energia de átomos ou íons observados através de emissão ou absorção. – Classificados de acordo com o momento angular orbital, L, e o momento angular spin, S. (acoplamento spin-órbita) – J = | L + S | microestados => correspondem às diferentes maneiras que um elétron pode ser colocado em um determinado conjunto de orbitais. 26 14 Energia dos Termos (Hund) 27 Termos fundamentais para configuração dn 28 15 Determinando o número de microestados n! Número de microstados = -------- e! h! Em que n = número máximo de elétrons em um subnível (soma: e + h) e => número de elétrons estudado h => número de ”buracos" estudado (buraco é um sítio não ocupado por um elétron) 29 Exemplo: caso p2 2 elétrons em um orbital p 30 16 Termo no estado fundamental é 3P J = | L + S |... |L - S | portanto, termo 3P tem L+S = 2; L-S=0 J = 2, 1 ou 0 3P2 3P1 3P0 Exemplo: caso p2 2 elétrons em um orbital p 31 Exemplo: caso d2 2 elétrons em um orbital d 32 17 Microestados e termos de Russel-Saunders para um íon de metal de transição com configuração d2. 33 34 18 Termos de Russel-Saunders Energias relativas dos termos originando-se de configurações d2 e d3. Posteriormente, iremos incluir o efeito do campo cristalino!! 35 Resumo – Termos de Russell- Saunders 36 19 Parâmetros de Repulsão e-e Parâmetro A corresponde a uma média das repulsões totais intereletrônicas. Parâmetros B e C relacionam-se com a energia de repulsão entre elétrons d individuais. Parâmetro de Racah: expressão quantitativa por trás das regras de Hund e explicam os desvios destas. - Os diferentes termos de uma configuração possuem energias diferentes por causa da repulsão dos elétrons; - Para calcular as energias dos termos, temos que avaliar essas energias de repulsão e-e (cálculos envolvem integrais!!!) - Integrais podem ser agrupadas em 3 combinações específicas (chamadas de Paramêtros de Racah) - Energia de repulsão pode ser de qualquer termo pode ser expressa por meio da soma dessas três quantidades. - A, B e C 37 Parâmetros de Repulsão e-e Parâmetro de Racah: Para uma dada configuração, cada termo possui uma energia que pode ser expressa em termos dos parametros de Racah: E (1S) = A + 14B +7C E (3P)= A + 7B …. Com esses termos em função de energia podemos colocar em ordem energética: d2 3F < 3P < 1D < 1G < 1S Ordem é a mesma obtida usando as regras de Hund!!! 38 20 Diagrama de Correlação Efeito da força do campo ligante octaédrico nas energias dos termos 2T2g e 2Eg de um íon metálico d1. Símbolos dos Termos Moleculares 39 Regras de Seleção 40 21 Regras de seleção 41 Regras de seleção DL = ± 1 42 22 Relaxação das regras de seleção Complexos Octaédricos: centrossimétricos regra de Laporte relaxada por vibração Complexos tetraédricos: não-centrosimétricos regra de Laporte relaxada pela mistura de orbitais Regras de seleção Regra de seleção de spin DS = 0 Não pode haver mudança na multiplicidade do spin durante uma transição eletrônica Regra de seleção de Laporte D l = ± 1 Tem que haver uma mudança de paridade durante uma transição eletrônica 43 109o Ex: Transições TCLM Metal pobre em e- (eletropositivo) Mn(VII), …… TCLM = Transferência de carga do ligante ao metal Ligante rico em e- O2-, Cl-, Br-, I- Permitidas por spin Permitidas por Laporte O Mn OO O - 44 23 Transição e complexos Proibida por Spin e 10-3 – 1 Maioria d5 Oh Laporte [Mn(OH2)6]2+ Permitida Spin Proibida por Laporte 1 – 10 Muitos complexos Oh [Ni(OH2)6]2+ 10 – 100 Alguns quadrados planares [PdCl4]2- 100 – 1000 Complexos 6-coordenados de baixa simetria, Permitidas por Spin e 102 – 103 Algumas bandas TCML com lig. insaturados Laporte 102 – 104 Ligantes com P como átomo doador 103 – 106 Muitas bandas TC, Regras de seleção transições em compostos orgânicos 45 Espectros devido ao campo ligante 46 24 Campo Fraco 47 Campo forte 48 25 Termos do campo ligante para um complexo octaédrico 49 50 26 51 52 27 Formalismo do buraco • d9 é derivado de d10 pela troca de um elétron por um buraco “positivo” • d9 contém um buraco “positivo” • d1 contém um elétron “negativo” • Então, as energias dos termos são invertidas • Termos de d4 e d6 são relacionados da mesma forma!! 53 Transições permitidas •Para octaédro d1 and d6 2Eg¬2T2g e 5Eg¬5T2g •Para octaédro d4 e d9 5T2g¬5Eg e 2T2g¬2Eg •Para tetraédrico d1 e d6 2T2¬2E e 5T2¬5E •Para tetraédrico d4 e d9 5E¬5T2 e 2E¬2T2 54 28 Diagramas de Orgel Os diagramas de Orgel são qualitativos e para situações de campo fraco. Nestes é possível fazer correlação entre as configurações: d1 e d9. Diagrama de correlação de Orgel para configuração d2 55 a energia dos termos está Diagramas Tanabe-Sugano •Nos diagramas Tanabe-Sugano, colocada em função da força do campo ligante (fraco e forte). Mais quantitativo, completo. diagrama para configuração d2 56 29 Características: • Estado fundamental é colocado na abscissa e a energia dos outros estados são calculados a partir desse estado; • Repulsão intereletrônica é expressa pelos parâmetros de Racah, B e C • Força do campo ligante é expressa em termos de ∆O/B • Energia dos termos é expressa em termos de E/B • Duas situações: campo forte e campo fraco diagrama para configuração d2 57 • Regra Geral: Termos que cruzam são aqueles com simetria e multiplicidade diferentes. Termos com designações idênticas nunca cruzam: d2 58 30 • As configurações d4, d5, d6, e d7apresentam mudanças nos termos dos estados fundamentais com aumento da força do campo ligante. Por quê? Os Diagramas Tanabe e Sugano para essas configurações são dividos em campo forte e campo fraco: d4 59 60 31 Configuração d6 • Campo fraco (= Orgel): estado fundamental é 5T2 proveniente de 2D • Campo forte: estado fundamental é 1A1 que é proveniente de 1I (termo excitado) • Mudança ocorre em ∆/B = 20 (linha vertical) 61 Configuração d5 • Campo fraco (= Orgel): estado fundamental é 6S • Campo forte: estado fundamental é 2T2g que é proveniente de 2I A mudança de multiplicidade de 6 para 2 corresponde a uma diminuição no número de elétrons desemparelhados de 5 para 1. transição de spin alto para spin baixo 62 32 O estado fundamental para [TiL6]2+(d2) é 3T1g para TODOS os valores de DO esses complexos terão 2 elétrons desemparelhados independente da natureza de L. d2 63 Voltando para os complexos de Co3+(d6): Quais as transições esperadas para [Co(en)3]3+? 64 33 Como determinar os parâmetros B e DO 3+ 6 3 Dados: 2o) E/B = 38 p/ 1,37 E = 21.550 cm-1 B = 570 cm-1 3o) DO/B = 40 B = 570 cm-1 DO = 23.000 cm-1 1A1g 1A1g n2 n1 ® 1T1g = 21.550 cm-1 (n1) ® 1T2g = 29.600 cm-1 (n2) = 1,37 65 Efeito Nefelauxético • O valor de B’ calculado para o íon Co3+ no complexo [Co(en)3]3+ no slide anterior é: • B’ = 570 cm-1 • O valor de B para o íon livre é B = 1100 cm-1 •O valor do parâmetro de repulsão B de Racah para os íons livres é sempre maior que o valor calculado nos complexos (B’): B´ B b = 66 34 • A diminuição na repulsão se deve a uma maior deslocalização dos elétrons do metal devido ao caráter covalente da ligação, ou seja, os elétrons agora têm um “espaço” maior (O. Moleculares) para se distribuírem. • Série Nefelauxética: diminuição de β, ou seja, aumento da covalência: 67 Merci beaucoup pour votre attention!!!! Et bon courage!!!!!!! 68
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