Nota 10 - UNIVESP - 2021 - Atividade para Avaliação - Semana 5 - Microeletronica

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Fazer teste: Semana 5 - Atividade AvaliativaMicroeletrônica - EEE001 - Turma 001 Atividades
Fazer teste: Semana 5 - Atividade Avaliativa 
PERGUNTA 1
Quanto à oxidação térmica do Silício, podemos a�rmar que: 
pode ser feita utilizando-se o processo de
oxidação seca que emprega vapor de água. 
é feita em temperaturas relativamente baixas, da
ordem de 800 a 1000oC. 
pode ser feita utilizando-se o processo de oxidação
úmida que emprega oxigênio em fase gasosa. 
pode ser feita utilizando-se o processo de
oxidação seca que emprega oxigênio em fase
líquida. 
é feita em temperaturas relativamente elevadas,
da ordem de 900 a 1200ºC. 
1 pontos  
PERGUNTA 2
Ao se dopar um substrato de silício,  
pode-se introduzir átomos do grupo III, pentavalentes, como
o Boro. 
pode-se introduzir átomos do grupo III, pentavalentes, como
o Fósforo. 
pode-se introduzir átomos do grupo III, trivalentes, como o
Fósforo. 
pode-se introduzir átomos do grupo V, pentavalentes, como
o Fósforo. 
pode-se introduzir átomos do grupo V, pentavalentes, como
o Boro. 
1 pontos  
PERGUNTA 3 1 pontos  
?
https://ava.univesp.br/webapps/blackboard/execute/courseMain?course_id=_3645_1
https://ava.univesp.br/webapps/blackboard/content/listContent.jsp?course_id=_3645_1&content_id=_489167_1&mode=reset
Materiais optoeletrônicos apresentam desa�os quanto ao seu
processamento litográ�co. É característico desses materiais: 
Apresentarem con�namento lateral, o que signi�ca produzir
estruturas com baixa dimensionalidade, na faixa de 10nm. a
100nm.  
Apresentarem con�namento lateral, o que signi�ca produzir
estruturas com elevada espessura, na faixa de 10nm. a
100nm. 
Apresentarem con�namento lateral, o que signi�ca produzir
estruturas com alta dimensionalidade, na faixa de 10nm. a
100nm. 
Apresentarem con�namento lateral, o que implica em �lmes
muito �nos que precisam ser
processados litogra�camente de maneira muito precisa. 
Apresentarem con�namento lateral, o que signi�ca produzir
estruturas com baixa espessura, na faixa de 10nm. a 100nm. 
PERGUNTA 4
Um técnico iniciante pergunta a você como ele deve posicionar
uma máscara em uma fotoalinhadora. A resposta correta é: 
Coloque a fotomáscara com a superfície que contém os
traçados virada para cima e injete ar entre a separação
máscara-lâmina. 
Coloque a fotomáscara com a superfície que contém os
traçados virada para baixo e injete ar entre a separação
máscara-lâmina. 
Coloque a fotomáscara com a superfície que contém os
traçados virada para baixo e injete oxigênio entre a
separação máscara-lâmina. 
Coloque a fotomáscara com a superfície que contém os
traçados virada para cima e injete nitrogênio entre a
separação máscara-lâmina. 
Coloque a fotomáscara com a superfície que contém os
traçados virada para baixo e injete nitrogênio entre a
separação máscara-lâmina. 
1 pontos  
PERGUNTA 5
Assinale a alternativa correta: 
A resolução do equipamento litográ�co é o único fator
limitante em litogra�a. 
Acurácia de registro refere-se à capacidade de
posicionamento absoluto sobre a superfície de uma lâmina. 
1 pontos  
Tolerância de registro refere-se à capacidade de
posicionamento absoluto sobre a superfície de uma lâmina. 
Acurácia de registro refere-se à capacidade de
posicionamento relativo entre camadas (interníveis). 
O controle da dimensão crítica refere-se à capacidade de
manter a espessura de resiste dentro de limites aceitáveis. 
PERGUNTA 6
Quanto ao projeto de um CI podemos a�rmar que: 
exigem a produção basicamente de regiões n. 
exigem tanto a produção de regiões p como de regiões n, no
mesmo substrato. 
exigem tanto a produção de regiões p como de regiões n,
porém em substratos diferentes. 
exigem a produção de regiões p, regiões n e regiões
metálicas no substrato. 
exigem a produção basicamente de regiões p. 
1 pontos  
PERGUNTA 7
O per�l de corrosão, do ponto de vista de processo de fabricação
de Cis, pode ser: 
isotrópico, onde se obtém uma parede lateral vertical na
estrutura. 
anisotrópico, onde se obtém uma parede lateral
arredondada na estrutura. 
parcialmente anistrópico, onde se obtém uma parede lateral
arredondada no fotorresiste. 
anisotrópico, onde se obtém uma parede lateral
arredondada no fotorresiste. 
isotrópico, onde se obtém uma parede lateral arredondada
na estrutura. 
1 pontos  
PERGUNTA 8
O processo CVD pode ser descrito pela seguinte sequência de
etapas: 
Introdução de regentes especí�cos, adsorção e difusão dos
reagentes na superfície do substrato, reação e remoção da
câmara de reação. 
1 pontos  
ç
Introdução de regentes especí�cos, adsorção e difusão dos
reagentes na superfície do substrato, reação, dessorpção dos
produtos da superfície e remoção da câmara de reação. 
Introdução de produtos especí�cos, difusão e adsorção dos
reagentes na superfície do substrato, dessorpção dos
produtos da superfície do substrato e remoção da câmara de
reação. 
Introdução de regentes especí�cos, difusão e adsorção dos
reagentes na superfície do substrato, reação, remoção da
superfície e dessorpção da câmara de reação. 
Introdução de regentes especí�cos, difusão e adsorção dos
reagentes na superfície do substrato, reação, dessorpção dos
produtos da superfície do substrato e remoção da câmara de
reação. 
PERGUNTA 9
Na Implantação Iônica, podemos a�rmar que: 
na implantação iônica, partículas ionizadas de elementos
dopantes são aceleradas num canhão acelerador e feitos
colidir sobre o substrato (alvo) a ser dopado.  
a concentração total �nal dos dopantes implantados e a sua
distribuição no interior do substrato dependem da massa
dos íons implantados, a energia de aceleração, mas não da
corrente do feixe, o que grande reprodutibilidade ao
processo. 
a concentração total �nal dos dopantes implantados e a sua
distribuição no interior do substrato útil “channeling” para
garantir a reprodutibilidade do processo. 
partículas neutras de elementos dopantes são aceleradas
num canhão acelerador e feitos colidir sobre o substrato
(alvo) a ser dopado.  
a concentração total �nal dos dopantes implantados e a sua
distribuição no interior do substrato é determinada
garantindo-se que o substrato está sempre com sua
superfície perpendicular ao feixe de íons. 
1 pontos  
PERGUNTA 10
O processo de deposição de materiais na fabricação de CIs visa
particularmente depositar os seguintes tipos de materiais: 
Dielétricos, semicondutores tipo n e semicondutores tipo p. 
Dielétricos, semicondutores e isolantes. 
Dielétricos, semicondutores e condutores. 
1 pontos  
Dielétricos, óxidos e isolantes. 
Dielétricos, metais e condutores.