Atividade Avaliativa semana 5 Microeletronica Univesp 2021

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PERGUNTA 1 
1. Assinale a alternativa correta: 
 
 
O controle da dimensão crítica refere-se à capacidade de manter a espessura de resiste dentro de 
limites aceitáveis. 
 
 
A resolução do equipamento litográfico é o único fator limitante em litografia. 
 
 
Tolerância de registro refere-se à capacidade de posicionamento absoluto sobre a superfície de uma 
lâmina. 
 
 
Acurácia de registro refere-se à capacidade de posicionamento absoluto sobre a superfície de uma 
lâmina. 
 
 
Acurácia de registro refere-se à capacidade de posicionamento relativo entre camadas (interníveis). 
1 pontos 
PERGUNTA 2 
1. Quanto ao projeto de um CI podemos afirmar que: 
 
 
exigem a produção basicamente de regiões p. 
 
 
exigem tanto a produção de regiões p como de regiões n, no mesmo substrato. 
 
 
exigem a produção de regiões p, regiões n e regiões metálicas no substrato. 
 
 
exigem a produção basicamente de regiões n. 
 
 
exigem tanto a produção de regiões p como de regiões n, porém em substratos diferentes. 
1 pontos 
PERGUNTA 3 
1. Ao se dopar um substrato de silício, 
 
 
pode-se introduzir átomos do grupo III, pentavalentes, como o Boro. 
 
 
pode-se introduzir átomos do grupo V, pentavalentes, como o Fósforo. 
 
 
pode-se introduzir átomos do grupo V, pentavalentes, como o Boro. 
 
 
pode-se introduzir átomos do grupo III, trivalentes, como o Fósforo. 
 
 
pode-se introduzir átomos do grupo III, pentavalentes, como o Fósforo. 
1 pontos 
PERGUNTA 4 
1. Na Implantação Iônica, podemos afirmar que: 
 
 
a concentração total final dos dopantes implantados e a sua distribuição no interior do substrato 
dependem da massa dos íons implantados, a energia de aceleração, mas não da corrente do feixe, o 
que grande reprodutibilidade ao processo. 
 
 
a concentração total final dos dopantes implantados e a sua distribuição no interior do substrato é 
determinada garantindo-se que o substrato está sempre com sua superfície perpendicular ao feixe de 
íons. 
 
 
na implantação iônica, partículas ionizadas de elementos dopantes são aceleradas num canhão 
acelerador e feitos colidir sobre o substrato (alvo) a ser dopado. 
 
 
a concentração total final dos dopantes implantados e a sua distribuição no interior do substrato útil 
“channeling” para garantir a reprodutibilidade do processo. 
 
 
partículas neutras de elementos dopantes são aceleradas num canhão acelerador e feitos colidir 
sobre o substrato (alvo) a ser dopado. 
1 pontos 
PERGUNTA 5 
1. Um técnico iniciante pergunta a você como ele deve posicionar uma máscara em uma fotoalinhadora. A 
resposta correta é: 
 
 
Coloque a fotomáscara com a superfície que contém os traçados virada para cima e injete ar entre a 
separação máscara-lâmina. 
 
 
 
Coloque a fotomáscara com a superfície que contém os traçados virada para baixo e injete 
nitrogênio entre a separação máscara-lâmina. 
 
 
Coloque a fotomáscara com a superfície que contém os traçados virada para baixo e injete oxigênio 
entre a separação máscara-lâmina. 
 
 
Coloque a fotomáscara com a superfície que contém os traçados virada para cima e injete 
nitrogênio entre a separação máscara-lâmina. 
 
 
Coloque a fotomáscara com a superfície que contém os traçados virada para baixo e injete ar entre a 
separação máscara-lâmina. 
1 pontos 
PERGUNTA 6 
1. Materiais optoeletrônicos apresentam desafios quanto ao seu processamento litográfico. É 
característico desses materiais: 
 
 
Apresentarem confinamento lateral, o que implica em filmes muito finos que precisam ser 
processados litograficamente de maneira muito precisa. 
 
 
Apresentarem confinamento lateral, o que significa produzir estruturas com baixa espessura, na 
faixa de 10nm. a 100nm. 
 
 
Apresentarem confinamento lateral, o que significa produzir estruturas com alta dimensionalidade, 
na faixa de 10nm. a 100nm. 
 
 
Apresentarem confinamento lateral, o que significa produzir estruturas com baixa 
dimensionalidade, na faixa de 10nm. a 100nm. 
 
 
Apresentarem confinamento lateral, o que significa produzir estruturas com elevada espessura, na 
faixa de 10nm. a 100nm. 
1 pontos 
PERGUNTA 7 
1. Quanto à oxidação térmica do Silício, podemos afirmar que: 
 
 
pode ser feita utilizando-se o processo de oxidação seca que emprega oxigênio em 
fase líquida. 
 
 
é feita em temperaturas relativamente baixas, da ordem de 800 a 1000oC. 
 
 
pode ser feita utilizando-se o processo de oxidação seca que emprega vapor de 
água. 
 
 
é feita em temperaturas relativamente elevadas, da ordem de 900 a 1200ºC. 
 
 
pode ser feita utilizando-se o processo de oxidação úmida que emprega oxigênio 
em fase gasosa. 
1 pontos 
PERGUNTA 8 
1. O processo de deposição de materiais na fabricação de CIs visa particularmente depositar os seguintes 
tipos de materiais: 
 
 
Dielétricos, semicondutores e condutores. 
 
 
Dielétricos, óxidos e isolantes. 
 
 
Dielétricos, semicondutores e isolantes. 
 
 
Dielétricos, metais e condutores. 
 
 
Dielétricos, semicondutores tipo n e semicondutores tipo p. 
1 pontos 
PERGUNTA 9 
1. O processo CVD pode ser descrito pela seguinte sequência de etapas: 
 
 
Introdução de regentes específicos, difusão e adsorção dos reagentes na superfície do substrato, 
reação, remoção da superfície e dessorpção da câmara de reação. 
 
 
Introdução de regentes específicos, difusão e adsorção dos reagentes na superfície do substrato, 
reação, dessorpção dos produtos da superfície do substrato e remoção da câmara de reação. 
 
 
Introdução de produtos específicos, difusão e adsorção dos reagentes na superfície do 
substrato, dessorpção dos produtos da superfície do substrato e remoção da câmara de reação. 
 
 
Introdução de regentes específicos, adsorção e difusão dos reagentes na superfície do substrato, 
reação e remoção da câmara de reação. 
 
 
Introdução de regentes específicos, adsorção e difusão dos reagentes na superfície do substrato, 
reação, dessorpção dos produtos da superfície e remoção da câmara de reação. 
1 pontos 
PERGUNTA 10 
1. O perfil de corrosão, do ponto de vista de processo de fabricação de Cis, pode ser: 
 
 
isotrópico, onde se obtém uma parede lateral arredondada na estrutura. 
 
 
anisotrópico, onde se obtém uma parede lateral arredondada na estrutura. 
 
 
parcialmente anistrópico, onde se obtém uma parede lateral arredondada no fotorresiste. 
 
 
isotrópico, onde se obtém uma parede lateral vertical na estrutura. 
 
 
anisotrópico, onde se obtém uma parede lateral arredondada no fotorresiste. 
1 pontos 
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