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Avaliação Final: Princípios de Eletrônica Analógica- CT 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1. Considere o circuito da Figura abaixo e calcule o ripple Vrpp e a tensão média VL na carga RL. 
VP = 110 V 
VS1 = VS2 = 15 V 
RL = 100 Ω 
C = 1000 µF 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
I=V/ R I = 0,15 A 
Vrpp = ILmax/ ( f *C) = 1, 25 V 
V L = V máx (V rpp /2) = 109, 375 V 
 
2. Qual é o valor do capacitor que, submetido a uma tensão de 100 V, armazena 10 µC de carga? 
 
C= q/V c C= ( 10* 10-6 ) / 100 C= 1* 10-7 C= 10 µF 
 
3. Um capacitor de 100 nF está carregado com 50 µC. Qual é a tensão entre os seus terminais? 
 
100*10-9 = ( 50 *1 0-6 ) / V c V c = 500 V 
 
4. Especifique os capacitores abaixo conforme os dados dos seus encapsulamentos: 
 
 
 
Princípios de Eletrônica Analógica - CT 
Aluno (a): LUCAS MONTEIRO FONSECA Data: 27/06/2021 
Avaliação Final NOTA: 
INSTRUÇÕES: 
 
❖ Esta Avaliação contém 08 questões, totalizando 10 (dez) pontos. 
❖ Você deve preencher dos dados no Cabeçalho para sua identificação 
o Nome / Data de entrega 
❖ As respostas devem ser digitadas abaixo de cada pergunta. 
❖ As questões que envolvem cálculo só serão avaliadas se constarem os mesmos. 
❖ Ao terminar grave o arquivo com o nome: Avaliação Final (nome do aluno). 
❖ Envie o arquivo pelo sistema. 
 
 
 Avaliação Final: Princípios de Eletrônica Analógica- CT 
a) 0,47uF = 470 nF, com tolerância de 10% e tensão de isolação de 250V 
 
b) 47*103 pF = 470 nF, com tolerância de 10% e tensão de isolação de 250V 
 
c) 47*103 pF = 470 nF, com tolerância de 20% e tensão de isolação de 50V 
 
 
 
 
 Avaliação Final: Princípios de Eletrônica Analógica- CT 
5. Esboce a curva característica do diodo 1N4004, sabendo que ele é de silício e que suas principais 
especificações, obtidas em um manual, são: 
 
IFmáx = 1 A 
VRmáx = 400 V 
 
A Tensão de condução vale aproximadamente 0,6 V, pois o diodo é de silício. A corrente IFMÁX 
corres ponde à corrente direta máxima e vale 1 A. E VRMAX é a tensão reversa máxima e vale 
400V 
 
 
6. O que é dopagem? 
 
Dopagem é processo pelo qual se introduz em impurezas em um a rede cristalina de um 
semicondutor de maneira a modificar adequadamente suas propriedades físicas de forma 
controlada. 
 
7. Considere um transformador especificado para operar com tensão 110 V no primário e 15 V no 
secundário com capacidade de corrente de 1 A. Determine: 
 
a) A tensão eficaz no secundário (Vef) ao aplicar-se 127 V no primário. 
(110/15) = (1 7/ V 2) então V 2 = 17.31V 
 
b) A corrente no primário quando o transformador estiver fornecendo a corrente máxima no 
secundário (1 A). 
(110/15) = (I 1/ 1) então I1 = 7.33A 
 
 
8. Dados os sinais a seguir, determine os valores solicitados a partir dos valores fornecidos: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 Avaliação Final: Princípios de Eletrônica Analógica- CT 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Primeiro: T= 50 ms 
F=1/ T então f = 20 Hz 
= 2 f = 125,66 rad/s 
Vdc = (2*12) / = 7,64 V 
Vef = (12) / = 8,485 V 
 
Segundo: T = 4 µs ou 0,004 ms 
 F=1/T = 250 kHz 
 = 2 f = 157*104 rad /s 
 Vef= Vma x / então 
Vmax = 50* = 70,71 V 
 Vdc = 0 
 
Terceiro: F = 1/T 
400000 Hz = 1/T 
T= 0,0025 ms 
= 2 f = 2,5*106 ra d/s 
Idc = Ima x ma x = 3,14 A 
Ief = Ima x /2 então Ief = 1,57 A

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