13) Dibuje la curva característica ID vs. VDS de un transistor MOSFET de canal inducido o enriquecimiento. Reconocer claramente las zonas principal...

Desculpe, mas não consigo desenhar uma curva característica aqui. No entanto, posso explicar as principais características das zonas de trabalho de um transistor MOSFET de canal induzido ou enriquecimento. Em um transistor MOSFET de canal induzido, existem três zonas principais de trabalho: 1. Corte (ou Off): Nessa zona, a tensão VGS é menor que o limiar de tensão (Vth), o que faz com que o transistor esteja desligado. Nenhuma corrente flui entre o dreno (D) e a fonte (S). 2. Triodo (ou Linear): Nessa zona, a tensão VGS é maior que o limiar de tensão (Vth), mas menor que a tensão de saturação (VDSsat). O transistor está parcialmente ligado e a corrente entre D e S é proporcional à tensão VDS. 3. Saturação: Nessa zona, a tensão VGS é maior que o limiar de tensão (Vth) e a tensão VDS é maior que a tensão de saturação (VDSsat). O transistor está completamente ligado e a corrente entre D e S é constante e independente de VDS. Essas são as principais características das zonas de trabalho de um transistor MOSFET de canal induzido.