Questão 1/10 - Materiais Elétricos De acordo com as impurezas dopadas no semicondutor obtém-se o semicondutor denominado tipo P (predomínio de lacu...

Questão 1/10 - Materiais Elétricos De acordo com as impurezas dopadas no semicondutor obtém-se o semicondutor denominado tipo P (predomínio de lacunas), e tipo N (predomínio de elétrons livres). Sobre semicondutor tipo P e tipo N, avalie as seguintes proposições: o semicondutor tipo N pode ser feito através do acréscimo de impurezas com valência cinco (antimônio) no átomo de silício; II. Em semicondutores tipo N chama-se os elétrons livres de portadores majoritários e as lacunas de portadores minoritários; III. o semicondutor tipo P ocorre quando é adicionado uma impureza, como gálio ou boro, que tem uma valência de três, no Si ou Ge: IV. A dopagem, portanto, faz semicondutor adquirir características de temperatura mais próxima dos materiais condutores, pois a condutividade aumenta para materiais isolantes e diminui para materiais condutores. Assinale a alternativa correta:


A) Apenas a III e IV são verdadeiras.
B) Apenas a I e III são verdadeiras.
C) Apenas a I são verdadeiras.
D) Todas são verdadeiras.
E) Apenas a I e IV são verdadeiras.