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Sobre o processo de dopagem, considere as afirmacoes a apresentadas a seguir. I – O processo de dopagem constitui na inserção de silício modificad...

Sobre o processo de dopagem, considere as afirmacoes a apresentadas a seguir.

I – O processo de dopagem constitui na inserção de silício modificado em laboratório no silício convencional.

II – Permite o surgimento de cargas livres.

III – A junção PN é a estrutura fundamental de um Diodo.

IV – A dopagem que proporciona a existência de um ou mais elétrons livres é chamada de dopagem tipo P.

V – A dopagem que proporciona o surgimento de lacunas é chamada de dopagem tipo N.

Assinale a alternativa que indica quais afirmações estão corretas em relação ao processo de dopagem:

I – O processo de dopagem constitui na inserção de silício modificado em laboratório no silício convencional.
II – Permite o surgimento de cargas livres.
III – A junção PN é a estrutura fundamental de um Diodo.
IV – A dopagem que proporciona a existência de um ou mais elétrons livres é chamada de dopagem tipo P.
V – A dopagem que proporciona o surgimento de lacunas é chamada de dopagem tipo N.
a. III, IV e V, apenas
b. I, II, IV e V, apenas
c. I, II e III, apenas
d. I, II, III, IV e V.
e. II e III, apenas

Essa pergunta também está no material:

AVA - LISTA2
13 pág.

Enade Colégio ObjetivoColégio Objetivo

Respostas

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A resposta correta é a alternativa d) I, II, III, IV e V. Todas as afirmações estão corretas em relação ao processo de dopagem.

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