Há materiais que estão numa situação intermediária, ou seja, em determinada situação são isolantes e em outra são condutores, sendo classificados c...

Ao dopar o silício com impurezas do tipo doadores, como o fósforo, o material se torna do tipo n, pois há um excesso de elétrons livres. Para determinar o número de lacunas e elétrons livres, podemos utilizar a equação de neutralidade elétrica: p * n = ni^2 Onde p é a concentração de lacunas, n é a concentração de elétrons livres e ni é a concentração intrínseca de portadores de carga. Substituindo os valores, temos: p * n = (10^15)^2 10^30 = n + 10^15 Resolvendo o sistema de equações, encontramos que a concentração de elétrons livres é de aproximadamente 10^15 cm^-3 e a concentração de lacunas é de aproximadamente 10^15 cm^-3. Portanto, o material resultante terá uma concentração de elétrons livres muito maior do que a concentração de lacunas, o que o torna do tipo n. É importante ressaltar que a dopagem do material é um processo controlado e que a concentração de impurezas adicionadas pode ser ajustada para obter as propriedades desejadas do material.