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Para o circuito abaixo, responda as seguintes questões. a) Considere Vt=1V, kn=2mA/V2 e calcule os seguintes parâmetros de polarização: VGS, ID e V...

Para o circuito abaixo, responda as seguintes questões.
a) Considere Vt=1V, kn=2mA/V2 e calcule os seguintes parâmetros de polarização: VGS, ID e VD. (1,5 pontos)
b) Em qual modo de operação o transistor se encontra? Justifique. (0,5 ponto)
c) Apresente o circuito completo com o modelo de pequenos sinais do transistor. (1,0 ponto)
d) Descreva expressões literais para cada um dos seguintes parâmetros do amplificador: Rin , Ro, Avo , Av , vi/vsig e Gv. (3,0 pontos)
e) Calcule o valor numérico dos parâmetros do item anterior. (1,5 ponto)
f) O que é carga ativa, como pode ser implementada com MOSFETs e qual sua importância na fabricação de circuitos integrados? (0,75 ponto)
a) Calcular VGS, ID e VD
b) Identificar o modo de operação do transistor
c) Apresentar o circuito completo com o modelo de pequenos sinais do transistor
d) Descrever expressões literais para Rin, Ro, Avo, Av, vi/vsig e Gv
e) Calcular os valores numéricos dos parâmetros do item anterior
f) Explicar o que é carga ativa, como pode ser implementada com MOSFETs e qual sua importância na fabricação de circuitos integrados

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p3
1 pág.

Eletrônica Básica I Universidade PaulistaUniversidade Paulista

Respostas

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a) Para calcular VGS, usamos a equação VGS = VDD * R2 / (R1 + R2) - ID * RD. Substituindo os valores, temos VGS = 10V * 10kΩ / (10kΩ + 10kΩ) - 2mA * 5kΩ = -1V. Para calcular ID, usamos a equação ID = kn * (VGS - Vt)². Substituindo os valores, temos ID = 2mA/V² * (-1V - (-1V))² = 2mA. Para calcular VD, usamos a equação VD = VDD - ID * RD. Substituindo os valores, temos VD = 10V - 2mA * 5kΩ = 0V. b) O transistor se encontra no modo de saturação, pois VDS = 0V e VGS < Vt. c) O circuito completo com o modelo de pequenos sinais do transistor é: d) As expressões literais para cada um dos parâmetros do amplificador são: - Rin = R1 || R2 - Ro = RD - Avo = -kn * RD - Av = -kn * RD / (R1 || R2) - vi/vsig = -kn * RD / (R1 || R2) - Gv = -kn * RD / (R1 || R2) e) Calculando os valores numéricos dos parâmetros do item anterior, temos: - Rin = R1 || R2 = 10kΩ || 10kΩ = 5kΩ - Ro = RD = 5kΩ - Avo = -kn * RD = -2mA/V² * 5kΩ = -10V/V - Av = -kn * RD / (R1 || R2) = -2mA/V² * 5kΩ / (10kΩ || 10kΩ) = -5V/V - vi/vsig = -kn * RD / (R1 || R2) = -2mA/V² * 5kΩ / (10kΩ || 10kΩ) = -5V/V - Gv = -kn * RD / (R1 || R2) = -2mA/V² * 5kΩ / (10kΩ || 10kΩ) = -5V/V f) Carga ativa é um circuito eletrônico que fornece ganho de corrente e/ou tensão para um sinal de entrada. Pode ser implementada com MOSFETs através de um amplificador de fonte comum. A carga ativa é importante na fabricação de circuitos integrados porque permite a amplificação de sinais com baixa potência e alta impedância de entrada.

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