No circuito abaixo, Q1 e Q2 são MOSFETs de enriquecimento idênticos com μnCox=20μA/V2, Vt=2V, L=10μm e W=100μm. Despreze o efeito de modulação do c...

a) Para determinar o valor de R1, podemos utilizar a equação de corrente do MOSFET: iD = (μnCox/2) * (W/L) * (Vgs - Vt)² Sabemos que a corrente no dreno de Q1 deve ser de 0,4 mA e que Vgs = Vg - Vd = 10V - R1*iD - 2V = 8V - R1*iD. Substituindo na equação acima, temos: 0,4 mA = (20 μA/V² * 100 μm / 2) * (8V - R1 * 0,4 mA - 2V - 2V)² Resolvendo para R1, encontramos: R1 = 10 kΩ b) Para determinar a tensão de dreno de Q2, podemos utilizar a equação de corrente do MOSFET novamente: iD = (μnCox/2) * (W/L) * (Vgs - Vt)² Sabemos que R2 = 12 kΩ e que Vgs = Vg - Vd = 10V - R2*iD - 2V. Substituindo na equação acima, temos: iD = (20 μA/V² * 100 μm / 2) * (8V - 12 kΩ * iD - 2V - 2V)² Resolvendo para iD, encontramos: iD = 0,5 mA Substituindo novamente na equação de Vgs, temos: Vd = 10V - 12 kΩ * 0,5 mA - 2V = 1V Portanto, a tensão de dreno de Q2 é de 1V. c) Para colocar Q2 no limite de saturação, precisamos garantir que Vgs > Vt. Sabemos que Vgs = Vg - Vd, então podemos escrever: Vg - Vd > Vt Sabemos que Vg = 10V e que Vd = R2*iD. Substituindo, temos: 10V - R2*iD > 2V Isolando R2, encontramos: R2 < 8 kΩ Portanto, o valor de R2 para colocar Q2 no limite de saturação é de no máximo 8 kΩ.