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Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Nes...

Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem. Al+3 Ba+2 B+3 O-2 As+5


a) Al+3
b) Ba+2
c) B+3
d) O-2
e) As+5

Essa pergunta também está no material:

MATERIAIS ELÉTRICOS 2
3 pág.

Materiais Elétricos Universidade Estácio de SáUniversidade Estácio de Sá

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O elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem é o Arsênio (As+5), pois ele também possui valência igual a 5, assim como o Fósforo. Portanto, a alternativa correta é a letra E.

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