MATERIAIS ELÉTRICOS 2

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1a Questão (Ref.: 201308460757)
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	Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por:
		
	 
	=W.A/l
	
	v=s/t
	 
	v=E.e
	
	V=N.i.IpI.h
	
	V=R.i
	
	
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201308460760)
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	Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não.
A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor:
		
	 
	Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica.
	
	Temperatura, pressão e impurezas.
	
	Temperatura, comprimento do condutor e pressão.
	
	Volume, comprimento do condutor e impurezas.
	 
	Temperatura, impureza e deformação mecânica.
	
	
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201308460746)
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	Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
		
	
	Al+3
 
	 
	Ba+2
	
	 
B+3
 
	
	O-2
	 
	As+5
 
	
	
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201308400713)
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	Considere as seguintes afirmações:
I.       Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20ºC
II.       Os materiais considerados isolantes têm um valor de condutividade grande.
III.       A condutividade é o inverso da resistividade.
IV.       A unidade da resistividade no SI é o Ω/m.
V.       Resistividade é a resistência específica de um material.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
		
	
	As afirmações I, IV e V.
	 
	As afirmações I, II e IV.
	
	As afirmações III e IV.
	
	Somente a afirmação III.
	 
	As afirmações III e V.
	
	 Gabarito Comentado
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201308400111)
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	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		
	
	4,33 cm
	 
	8,33 cm
	
	7,33 cm
	 
	5,33 cm
	
	6,33cm
	
	
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201308400112)
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	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		
	
	19,12 cm
	 
	18,27 cm
	
	16,24 cm
	 
	20,15 cm
	
	15,26 cm