As afirmações corretas são: I - Os materiais semicondutores estão em uma faixa intermediária entre os materiais condutores de eletricidade e os materiais isolantes. Em outras palavras, é possível dizer que os materiais semicondutores possuem condutividade térmica intermediária entre os materiais condutores e os materiais isolantes. II - A principal característica de um material semicondutor está na quantidade de elétrons disponíveis na última camada eletrônica dos átomos que formam o material semicondutor - camada de elétrons chamada de camada de valência. III - Os átomos de silício ou germânio se agrupam, formando uma estrutura cristalina e uniforme. Ademais, mantêm-se em uma ligação covalente, de tal forma que compartilham os elétrons de todas as camadas de valência até atingirem oito elétrons. A afirmação IV está incorreta, pois quando a estrutura recebe aumento na temperatura, pode ocorrer transferência de energia suficiente para que os elétrons de algumas dessas ligações se desprendam e fiquem livres, gerando lacunas de elétrons e buracos de carga positiva, mas não ocorre a liberação dos elétrons das ligações covalentes.
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