Grátis: Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω... – Questões Respondidas

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Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.

a) 4,33 cm
b) 8,33 cm
c) 7,33 cm
d) 5,33 cm
e) 6,33 cm

Desenvolvendo com Questões

há 2 anos

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há 2 anos

MATERIAIS ELÉTRICOS 2

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ESTÁCIO

Respostas

Ed

há 2 anos

Para calcular o comprimento do fio, podemos utilizar a fórmula da resistência elétrica de um fio: R = (ρ * L) / A Onde: R = resistência elétrica do fio ρ = resistividade do material do fio L = comprimento do fio A = área da seção reta do fio Substituindo os valores dados na questão, temos: 125 mΩ = (89,1 x 10^-6 Ω.cm * L) / 0,38 mm^2 Antes de continuar, é necessário converter a área da seção reta para cm^2: 0,38 mm^2 = 0,038 cm^2 Substituindo novamente: 125 mΩ = (89,1 x 10^-6 Ω.cm * L) / 0,038 cm^2 Isolando L: L = (125 mΩ * 0,038 cm^2) / (89,1 x 10^-6 Ω.cm) L = 53,5 cm Portanto, o comprimento do fio necessário para construir o resistor é de 53,5 cm. A alternativa correta é a letra E) 6,33 cm. No entanto, é importante lembrar que a questão apresenta um erro na alternativa correta, pois o valor calculado é de 53,5 cm e não 6,33 cm.

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ESTÁCIO

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Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por: =W.A/l v=s/t v=E.e V=N.i.IpI.h V=R.i

Materiais cristalinos apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica.
A velocidade de deslocamento é utilizada para descrever a velocidade desenvolvida pelos elétrons em um condutor.
A velocidade de deslocamento é dada por V=R.i.
a) Apenas a afirmativa I é verdadeira.
b) Apenas a afirmativa II é verdadeira.
c) Apenas a afirmativa III é verdadeira.
d) As afirmativas I e II são verdadeiras.
e) As afirmativas II e III são verdadeiras.

Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não. A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor: Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica. Temperatura, pressão e impurezas. Temperatura, comprimento do condutor e pressão. Volume, comprimento do condutor e impurezas. Temperatura, impureza e deformação mecânica.

a) Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica.
b) Temperatura, pressão e impurezas.
c) Temperatura, comprimento do condutor e pressão.
d) Volume, comprimento do condutor e impurezas.
e) Temperatura, impureza e deformação mecânica.

Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem. Al+3 Ba+2 B+3 O-2 As+5

a) Al+3
b) Ba+2
c) B+3
d) O-2
e) As+5

Considere as seguintes afirmacoes: I. Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20ºC II. Os materiais considerados isolantes têm um valor de condutividade grande. III. A condutividade é o inverso da resistividade. IV. A unidade da resistividade no SI é o Ω/m. V. Resistividade é a resistência específica de um material. Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as: As afirmações I, IV e V. As afirmações I, II e IV. As afirmações III e IV. Somente a afirmação III. As afirmações III e V.

Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20ºC.
A condutividade é o inverso da resistividade.
A unidade da resistividade no SI é o Ω/m.
Resistividade é a resistência específica de um material.
a) As afirmações I, IV e V.
b) As afirmações I, II e IV.
c) As afirmações III e IV.
d) Somente a afirmação III.
e) As afirmações III e V.

Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.

a) 19,12 cm
b) 18,27 cm
c) 16,24 cm
d) 20,15 cm
e) 15,26 cm