Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) Na construção de um JFET de canal n é possível veri...
( ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p.
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source).
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B V - F - V - F.
C F - V - F - V.
D V - V - V - F.
💡 1 Resposta
Ed 
A alternativa correta é a letra B: V - F - V - F. Justificativa: - A primeira sentença é verdadeira, pois o JFET de canal n é composto principalmente por material do tipo n que forma o canal entre as camadas de material do tipo p. Logo, a primeira sentença é verdadeira (V). - A segunda sentença é falsa, pois o contato ôhmico na parte superior do material do tipo n é a fonte (S) e na parte inferior é o dreno (D). Logo, a segunda sentença é falsa (F). - A terceira sentença é verdadeira, pois os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G). Logo, a terceira sentença é verdadeira (V). - A quarta sentença é falsa, pois os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G), e não ao terminal dreno (D). Logo, a quarta sentença é falsa (F).
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