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Ed 
A afirmação correta é a alternativa D) I e II, apenas. Explicação: I. A combinação de elementos externos ao semicondutor cria faixas de dopagem. (Correta) II. A dopagem facilita o pulo de elétrons presentes na última camada entre os elementos que constituem uma malha. (Correta) III. O Gap de energia existente entre as malhas de semicondutores são relacionadas ao elemento de dopagem adicionado e distância entre elementos. (Incorreta, pois o gap de energia é relacionado apenas ao elemento de dopagem adicionado, não à distância entre elementos) Portanto, apenas as afirmações I e II estão corretas.
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