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A combinação de elementos externos ao semicondutor cria faixas de dopagem. II. A dopagem facilita o pulo de elétrons presentes na última camada e...

A combinação de elementos externos ao semicondutor cria faixas de dopagem. II. A dopagem facilita o pulo de elétrons presentes na última camada entre os elementos que constituem uma malha. III. O Gap de energia existente entre as malhas de semicondutores são relacionadas ao elemento de dopagem adicionado e distância entre elementos.É correto o que se afirma em: A) III, apenas. B) I, apenas. C) I, II e III. D) I e II, apenas. E) II e III, apenas.

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A afirmação correta é a alternativa D) I e II, apenas. Explicação: I. A combinação de elementos externos ao semicondutor cria faixas de dopagem. (Correta) II. A dopagem facilita o pulo de elétrons presentes na última camada entre os elementos que constituem uma malha. (Correta) III. O Gap de energia existente entre as malhas de semicondutores são relacionadas ao elemento de dopagem adicionado e distância entre elementos. (Incorreta, pois o gap de energia é relacionado apenas ao elemento de dopagem adicionado, não à distância entre elementos) Portanto, apenas as afirmações I e II estão corretas.

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