Exercício 3 – Um MOSFET canal n, tipo enriquecimento com uma razão de aspecto (W/L) igual a 10, tem uma corrente de dreno de 4mA para vGS = vDS =5V...

Exercício 3 – Um MOSFET canal n, tipo enriquecimento com uma razão de aspecto (W/L) igual a 10, tem uma corrente de dreno de 4mA para vGS = vDS =5V e uma corrente de dreno de 1mA para vGS = vDS =3V. Qual o valor do parâmetro de transcondutância do processo da tensão de limiar desse dispositivo?

Resposta:  / ; Vt = 1V

Sistemas Eletronicos

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Aprimorando com Questões

24/04/2024

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PSI3322 - Primeira Lista Aula V2

Sistemas Eletronicos • Universidade PaulistaUniversidade Paulista

Crislaine da Silva

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24.04.2024

Para resolver esse exercício, podemos usar a fórmula da transcondutância (μnCox) para um MOSFET de canal n, onde Cox é a capacitância por unidade de área do óxido do gate. A transcondutância é dada por: μnCox = 2 * (ID2 - ID1) / ((VGS2 - VGS1) * (VDS2 - VDS1)) Substituindo os valores fornecidos: ID1 = 1mA, ID2 = 4mA, VGS1 = VDS1 = 3V, VGS2 = VDS2 = 5V, e Vt = 1V. μnCox = 2 * (4mA - 1mA) / ((5V - 3V) * (5V - 3V)) μnCox = 6mA / (2V * 2V) μnCox = 6mA / 4V μnCox = 1.5mA/V Portanto, o valor do parâmetro de transcondutância (μnCox) é 1.5mA/V.

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