Vamos calcular o tempo necessário para que os elétrons atravessem o cristal de silício de 1 micrômetro submetido a uma diferença de potencial de 2V. Para isso, podemos usar a fórmula do tempo de trânsito em um material: \[ t = \frac{L^2}{\mu V} \] Onde: - \( t \) é o tempo de trânsito, - \( L \) é a distância que os elétrons precisam percorrer (1 micrômetro = \( 1 \times 10^{-6} \) metros), - \( \mu \) é a mobilidade dos elétrons no silício dopado do tipo n, - \( V \) é a diferença de potencial (2V). A mobilidade dos elétrons no silício dopado do tipo n é um dado que está faltando na sua pergunta. Sem esse dado, não consigo calcular o tempo necessário. Você teria essa informação para fornecer?
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