Para resolver essa questão, precisamos entender como funciona o transistor FET e as relações entre as variáveis fornecidas. Dado: - \( g_m = g_{m0} = 5 \, \text{mS} \) - \( I_{DSS} = 10 \, \text{mA} \) - \( V_P = -4 \, \text{V} \) A corrente de dreno \( I_D \) em um FET é dada pela relação: \[ I_D = I_{DSS} \left(1 - \frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2 \] Para que \( I_D = I_{DSS} \), a condição é que \( V_{GS} = 0 \). Isso ocorre porque, se \( V_{GS} \) for maior que \( V_P \), a corrente de dreno será menor que \( I_{DSS} \). Agora, analisando as alternativas: a) \( V_{GS} = 5V \) e \( I_D = I_{DSS} = 10mA \) - Incorreto, pois \( V_{GS} \) não pode ser maior que \( V_P \). b) \( V_{GS} = 1V \) e \( I_D = I_{DSS} = 10mA \) - Incorreto, pois \( V_{GS} \) não é igual a zero. c) \( V_{GS} = 2,3V \) e \( I_D = I_{DSS} = 10mA \) - Incorreto, pela mesma razão. d) \( V_{GS} = 0 \) e \( I_D = I_{DSS} = 10mA \) - Correto, pois \( V_{GS} = 0 \) é a condição para que \( I_D = I_{DSS} \). e) \( V_{GS} = -4 \) e \( I_D = I_{DSS} = 10mA \) - Incorreto, pois \( V_{GS} \) não pode ser igual a \( V_P \). Portanto, a alternativa correta é: d) VGS = 0 e ID = IDSS = 10mA.