Ed
ano passado
Vamos analisar as alternativas apresentadas sobre as características dos transistores de potência: 1. Transistores de potência possuem três terminais, dos quais dois atuam como chave, enquanto o terceiro controla o funcionamento do dispositivo, permitindo a separação do controle e do circuito principal. - Esta descrição é correta, pois os transistores de potência realmente têm três terminais (base, coletor e emissor) e funcionam como chaves. 2. O transistor TJB é um dispositivo controlado por tensão e não por corrente, tornando-o ideal para aplicações de baixa potência em circuitos de controle simples e eficientes. - Esta afirmação é incorreta, pois o transistor BJT (que parece ser o que você quis dizer com TJB) é controlado por corrente, não por tensão. 3. A operação de transistores de potência em circuitos inversores é limitada à comutação em baixas tensões por conta da dificuldade de manter a saturação em correntes elevadas. - Esta afirmação é imprecisa, pois transistores de potência podem operar em altas tensões e correntes, desde que sejam adequadamente projetados para isso. 4. Transistores NPN são os mais utilizados em eletrônica de potência, especialmente por conta da sua capacidade de conduzir grandes correntes quando comparados a transistores PNP. - Esta afirmação é verdadeira, pois os transistores NPN são frequentemente preferidos em aplicações de potência. 5. A saturação do transistor de potência é atingida quando a corrente entre os terminais base-emissor é suficiente para manter a comutação sob valores elevados de corrente e tensão. - Esta descrição é correta, pois a saturação ocorre quando a corrente de base é suficiente para permitir a condução máxima. Analisando as opções, as alternativas 1, 4 e 5 estão corretas, mas a que descreve uma característica fundamental e amplamente reconhecida dos transistores de potência é a alternativa 4: "Transistores NPN são os mais utilizados em eletrônica de potência, especialmente por conta da sua capacidade de conduzir grandes correntes quando comparados a transistores PNP." Portanto, a resposta correta é a alternativa 4.