Para responder à sua pergunta sobre a sensibilidade elevada dos MOSFETs e os riscos envolvidos, vamos analisar cada uma das alternativas: a) A proximidade dos contatos entre os terminais que reduzem o isolamento desses. - Embora a proximidade possa afetar o desempenho, não é a principal razão da sensibilidade elevada. b) Falta de conexão direta entre a porta e o substrato, podendo ocasionar um efeito capacitivo que resulte em descargas elevadas que poderão danificar o transistor. - Esta opção menciona um efeito capacitivo, que é relevante, mas não é a principal razão da sensibilidade. c) A sensibilidade à elevação de corrente, que causará uma redução na resistência de entrada x aumentando ciclicamente ainda mais a temperatura. - Essa opção fala sobre a elevação de corrente, mas não aborda diretamente a sensibilidade dos MOSFETs. d) O material utilizado no isolamento poderá oxidar facilmente na presença de umidade. - Embora a umidade possa afetar o desempenho, não é a principal razão da sensibilidade elevada. e) A espessura da camada de isolamento é muito fina e não pode ser exposta a picos de tensão, mesmo que de natureza eletrostática. - Esta opção aborda diretamente a sensibilidade dos MOSFETs, pois a fina camada de isolamento é crítica e pode ser danificada por tensões excessivas. Após analisar as alternativas, a resposta correta é: e) A espessura da camada de isolamento é muito fina e não pode ser exposta a picos de tensão, mesmo que de natureza eletrostática.