Para determinar o valor de VGS necessário para que o MOSFET opere com ID = 0,8 mA, precisamos considerar a relação entre VGS e ID, que é geralmente dada pela equação do MOSFET na região de saturação. Dado que temos VGS th = 1 V e VGS on = 4 V, sabemos que o MOSFET começa a conduzir a partir de VGS th e que a corrente de dreno (ID) aumenta com o aumento de VGS. Para um MOSFET do tipo intensificação, a corrente de dreno (ID) pode ser aproximada pela equação: \[ ID = k \cdot (VGS - VGS_{th})^2 \] onde k é uma constante que depende do dispositivo. Como não temos o valor de k, não podemos calcular diretamente VGS. No entanto, podemos analisar as opções dadas e considerar que, para ID = 0,8 mA, VGS deve ser maior que VGS th e próximo de VGS on. Analisando as alternativas: A) 7,92V - Muito alto, provavelmente não é necessário. B) 4,99V - Um valor razoável, acima de VGS on. C) 4,46V - Abaixo de VGS on, pode não ser suficiente. D) 5,35V - Um valor acima de VGS on, pode ser adequado. E) 5V - Um pouco abaixo de 5,35V, mas ainda acima de VGS on. Dentre as opções, a que parece mais adequada para garantir que o MOSFET opere com ID = 0,8 mA, considerando que deve estar acima de VGS on, é a B) 4,99V.