Para responder à pergunta sobre a sensibilidade elevada dos MOSFETs e os riscos envolvidos, vamos analisar cada alternativa: a) A espessura da camada de isolamento é muito fina e não pode ser exposta a picos de tensão, mesmo que de natureza eletrostática. - Esta opção é verdadeira, pois a camada de isolamento (geralmente óxido de silício) é fina e sensível a tensões elevadas, especialmente tensões eletrostáticas. b) A sensibilidade a elevação de corrente, que causará uma redução na resistência de entrada aumentando ciclicamente ainda mais a temperatura. - Embora a temperatura possa ser um problema, a sensibilidade dos MOSFETs está mais relacionada à tensão do que à corrente. c) Falta de conexão direta entre a porta e o substrato, podendo ocasionar um efeito capacitivo que resulte em descargas elevadas, que poderão danificar o transistor. - Esta opção menciona um efeito capacitivo, mas não é a principal razão da sensibilidade elevada. d) O material utilizado no isolamento poderá oxidar facilmente na presença de umidade. - Embora a umidade possa afetar o desempenho, não é a principal razão da sensibilidade elevada. e) Aproximidade dos contatos entre os terminais que reduzem o isolamento desses. - Esta opção não é a principal razão da sensibilidade elevada dos MOSFETs. Após analisar as alternativas, a opção que melhor explica a razão da sensibilidade elevada dos MOSFETs e o risco envolvido é: a) A espessura da camada de isolamento é muito fina e não pode ser exposta a picos de tensão, mesmo que de natureza eletrostática.