Para determinar o valor de Rb para o transistor inversor, precisamos usar a relação entre a corrente de coletor (Ic), a corrente de base (Ib) e o ganho de corrente do transistor (hFE). 1. Dados fornecidos: - Ic (saturação) = 10 mA - Vcc = 10 V - hFE = 250 2. Cálculo da corrente de base (Ib): A corrente de base pode ser calculada pela fórmula: \[ Ib = \frac{Ic}{hFE} \] Substituindo os valores: \[ Ib = \frac{10 \, \text{mA}}{250} = 0,04 \, \text{mA} = 40 \, \mu A \] 3. Cálculo da resistência Rb: Para calcular Rb, usamos a Lei de Ohm. Sabemos que a tensão na base (Vb) é aproximadamente igual a Vcc, pois o transistor está em saturação. Assim, podemos usar a fórmula: \[ Rb = \frac{Vcc - Vb}{Ib} \] Considerando que Vb é aproximadamente 0,7 V (tensão de base-emissor típica para um transistor de silício): \[ Rb = \frac{10 V - 0,7 V}{40 \, \mu A} = \frac{9,3 V}{40 \times 10^{-6} A} = 232.500 \, \Omega \] 4. Analisando as alternativas: - A) 100kΩ - B) 15kΩ - C) 155kΩ - D) 1kΩ Nenhuma das alternativas corresponde exatamente ao valor calculado, mas a mais próxima é a opção C) 155kΩ. Portanto, a resposta correta é C) 155kΩ.