Ed
há 2 meses
Vamos analisar cada afirmativa: I. O resfriamento lento favoreceu maior crescimento de grãos devido à intensa difusão atômica. Verdadeiro. O resfriamento lento permite mais tempo para a difusão, resultando em grãos maiores. II. O resfriamento rápido promoveu refino de grãos, resultando em maior resistência mecânica. Verdadeiro. O resfriamento rápido limita o crescimento dos grãos, gerando grãos menores e maior resistência. III. A relação de Hall–Petch explica por que grãos menores aumentam a resistência ao escoamento. Verdadeiro. Essa relação mostra que a resistência aumenta com a diminuição do tamanho dos grãos. IV. A nucleação homogênea foi favorecida no resfriamento lento devido à alta mobilidade atômica. Falso. A nucleação homogênea é rara e geralmente não favorecida; a nucleação heterogênea é mais comum, mesmo com alta mobilidade atômica. V. O controle da velocidade de resfriamento é uma ferramenta prática para manipular a microestrutura. Verdadeiro. Controlar a velocidade de resfriamento é fundamental para ajustar propriedades do material. Portanto, os itens verdadeiros são: I, II, III e V. A alternativa correta é: c) I, II, III e V.