Vamos analisar cada afirmativa: I. Se a junção pn não for polarizada, haverá um campo elétrico na sua região de depleção. Correto. A região de depleção possui um campo elétrico interno devido à separação de cargas, mesmo sem polarização externa. II. Um transistor TBJ do tipo NPN geralmente é um dispositivo de resposta mais rápido devido à forma com a qual as junções se estabelecem. Correto. Transistores NPN geralmente têm maior mobilidade dos elétrons (portadores majoritários), o que proporciona resposta mais rápida. III. Para o desenvolvimento de transistores de alta velocidade, sugere-se o uso de materiais como o arseneto de gálio, em configurações PNP. Incorreto. O arseneto de gálio é usado para alta velocidade, mas geralmente em configurações NPN, pois os elétrons têm maior mobilidade que os buracos (portadores majoritários em PNP). IV. Conforme a tensão aplicada à junção se eleva, independentemente da polarização, a região de depleção se torna mais estreita. Incorreto. A região de depleção se estreita com polarização direta, mas se alarga com polarização reversa. Portanto, os itens corretos são I e II. Resposta correta: alternativa que contenha I e II. Como a alternativa não foi fornecida, a resposta correta é: I e II.